求助大佬，mos管容易坏，是什么原因

w_wengang

7 I  r, R; m' Q
  v8 M; j9 f8 _3 s& p. M$ U. w$ H28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压，现在发现这个MOS管特别容易坏掉，DS无法导通，正常测量+12V_SSD应该是12V，坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么？还是忽略了什么地方，求大神指点。

gaoqianbo

1.做开关管使用时应该选用P-MOS管；

449786840

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试 ...

  ]$ U. G! h+ e! C源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的，还是因为导通条件Vgs的问题，源极输出如果有电容接地，初始源极电压为0，栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通；一旦导通源极电压就是12V了，这时Vgs为负MOS管截止，就这样反复的导通截止。
* J7 v) W8 D3 X( u) g0 m) M1 I如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右（IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压）就绝对没问题。

w_wengang

449786840 发表于 2019-9-11 17:45
* J1 [6 C" _% v有可能是没导通  你把R95阻值改大一点，是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电 ...

这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的
1 d" }+ A3 H7 Q$ \6 W

gaoqianbo

gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:49
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管；

3 \6 z7 Y/ P: |8 l' V/ W* U" W2.若用PMOS管输入应该接到S集；
  D+ j: q, `+ I3.PMOS管G极为低时导通；
如果使用NMOS管：
/ [2 }" D  \6 O% n7 Z1.导通电流比较小；
2.D极应该串一个电阻；
你这个电路原理上就错误了。
  v8 T2 l6 h0 L$ ^) P4 H( `

w_wengang

gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:51
2.若用PMOS管输入应该接到S集；
3.PMOS管G极为低时导通；
( R' [; D& C$ I4 x8 Z7 b+ u# _$ @  D如果使用NMOS管：

是N MOS管，但是看参数应该不存在什么问题

449786840

有可能是没导通  你把R95阻值改大一点，是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电容

超級狗

9 x+ R) M: h( }! k

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:41
) [9 @" F- B1 H3 h1 s# e; b是N MOS管，但是看参数应该不存在什么问题

N MOS 管導通後，+12V_SSD 就會出現，這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V

Vgs < 0V !!!
7 i* O' a! V% c( U( N

飞熊在天0311

# t! t6 M$ Q. U; L  z
  K, f$ u/ d* |* o7 n) t% Z这个电路就是一个有问题的电路，而且不可能一直导通，狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通，结果12V和GND干一起了，结果完球了。
常规用Pmos；如果用NMOS，需要再加一级电路。
0 W4 f6 v& h. L4 ~5 }

w_wengang

449786840 发表于 2019-9-11 22:35
源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应 ...

搞定了，感谢感谢~~~~
/ e# E0 c, N& V4 G) `* @6 w

w_wengang

飞熊在天0311 发表于 2019-9-11 18:42
这个电路就是一个有问题的电路，而且不可能一直导通，狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触 ...

解决了，灰常感谢~~~~

w_wengang

超級狗 发表于 2019-9-11 18:05
N MOS 管導通後，+12V_SSD 就會出現，這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V

Vgs < 0V !!!

灰常感谢，确实是这个原因
6 A1 O4 r9 d/ e  }; l( I

ziyue

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试 ...

# D. \0 v; G4 f9 [. R! {  V这个有道理
& X6 O( n0 L+ V+ x# \0 R

Ryanapp

VGS操作有正確嗎？？可關注是否在開關不完全下，導致熱堆積讓ic毀損

海星karie

讲的都很有道理，学习了