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超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍7 j3 H! H. k* Z$ K
& S4 p: }1 g- k特征- X( Z' H! m% r- K, V
·开放式NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容!
3 s1 T i; j! v" V; Z" \1 z·单级单元(SLC)技术$ o4 ?$ J" R( {1 X
·组织6 _8 k! Q! f7 H/ l* b8 ~/ k
- 页面大小x8:2112字节(2048 + 64字节)/ [# r4 Y9 b, P! x, @
- 页面大小x16:1056字(1024 + 32字)2 D4 s1 n% `0 K' F7 N5 @
- 块大小:64页(128K + 4K字节)
% ~4 u0 M3 j1 I j0 h - 平面尺寸:每平面2个平面x 2048个块
# G3 ~9 }( n! L5 E$ {8 k - 设备大小:4Gb:4096块; 8Gb:8192块; ]# X" _# V2 \% O8 @3 i$ G
16GB:16,384blocks( d* G8 T% G% e* Z7 u
·异步I / O性能, S! ^) B; v/ f: P/ K
-TRC / WC:20ns(3.3V),25ns(1.8V) a& m# n5 y% T' @, ]
·阵列性能
{, b% j0 h; F7 _) E ~1 j9 g+ s2 R" M - 阅读页面:25us3' E+ M8 P% z- D1 m& ~6 P
-Program page:200us((TYP:1.8V3.3V)3
, _0 Y$ E! f) ? - 删除块:700us(TYP)
& ^0 y; K1 O& A V* u·命令集:ONFI NAND Flash协议
2 K: C; ^9 B$ D4 [, @: p# n' P·高级命令集# p- B( J* R5 P4 f5 x% n/ m5 R
- 程序页面缓存模式45 Y9 _; {) P2 @" z! N. q) v
- 阅读页面缓存模式45 i' d' T. O/ `0 p s6 k/ e
- 一次性可编程(OTP)模式3 e9 J% H; O& i- k
- 双平面命令4: Z: [9 o# l5 B: T6 S
- 交织模(LUN)操作4 Q2 | V' x* Y2 R" z: L
- 阅读唯一ID9 }# M. q! g% p5 J" p$ g% M1 n" k
- 锁定(1.8Vonly)
1 g0 S/ w" b+ o6 a5 y3 P - 内部数据移动
2 `' d( h; T# }9 j/ U·操作状态字节提供检测的软件方法7 \% {: P' c0 s _, S
- 操作完成7 d$ {+ V q) u7 D: Z
- 通过/失败条件
( e( s- `' M: [9 P$ D( V. n8 f: h - 写保护状态
* _# ?0 u F8 n& K' q) j·就绪/忙碌#(R / B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
% t% s/ I# _ a4 x. l4 ]·WP#信号:写保护整个设备
( R" `5 K, _# y·第一个区块(区块地址00h)在发货时有效来自ECC的工厂。有关最低要求的ECC,请参阅错误管理。
& ?+ v3 w& k% t; n4 X·如果PROGRAM / ERASE cy-块O需要1位ECCcles小于1000
3 U) A, b$ e% J d( o$ K( `·复位(FFh)作为电源后的第一个命令ER-上0 G8 N5 @4 T) v
·在读取数据的平面内支持内部数据移动操作8 b+ b2 u0 ]/ p+ _5 _* s l
·质量和可靠性 - 数据保留:10年" C7 Y1 m1 N3 q' K4 R; [0 V
- 保证:100,000次PROGRAM / ERASE周期
6 d$ T( r1 V6 {. d·工作电压范围
, n3 L* C5 \# j" t w3 B-Vcc:2.7-3.6V& P0 v% q0 |3 w# ?0 c! j
-Vcc:1.7-1.95V
7 ?: R0 G/ e: p- p! h8 t·MT29F2G08ABAEAWP-IT:E工作温度:
, K4 D p9 o- C+ B - 商业:0℃至+ 70℃# h4 c! `& a( l
- 工业(T): - 40℃至+ 85℃
+ B- M) @+ f) ?) e·包装
, r0 q' |: N: N& t* w q- }, G-48引脚TSOP类型1,CPL2
7 W( | R+ r' }# }+ |$ [-63-ball VFBGA' s( X4 f: g( @2 F7 I
8 T4 x3 u' R! J |
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