超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍

Cinderella0922

超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍

特征
·开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容！
" J% {/ X# ~4 L' @·单级单元（SLC）技术
·组织
- 页面大小x8：2112字节（2048 + 64字节）
; B1 ?8 H. m, L- F, G" _ - 页面大小x16：1056字（1024 + 32字）
+ h3 [) q; s, u( p" B4 F - 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 平面尺寸：每平面2个平面x 2048个块
% y% x) G9 I5 N$ F( ] - 设备大小：4Gb：4096块; 8Gb：8192块
' ?# R5 E6 }' x) \4 h. x3 m* C16GB：16,384blocks
·异步I / O性能
, M( f7 R! g) t-TRC / WC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
/ B  w) _( ?1 X( K! A, ?. t4 ]·阵列性能
, b2 j, N2 ]% Z9 a4 e - 阅读页面：25us3
-Program page：200us（（TYP：1.8V3.3V）3
- 删除块：700us（TYP）
·命令集：ONFI NAND Flash协议
0 |4 X" K* c, {·高级命令集
- 程序页面缓存模式4
: ?. x) h# e/ F  W* P: n: D# ~ - 阅读页面缓存模式4
$ E3 ?$ d, D4 C" s! M1 @- ] - 一次性可编程（OTP）模式
0 y3 E9 l8 i. v- f4 N$ o - 双平面命令4
- 交织模（LUN）操作
- 阅读唯一ID
- 锁定（1.8Vonly）
- 内部数据移动
·操作状态字节提供检测的软件方法
- 操作完成
- ?9 @, |4 V) H. D% O' n% | - 通过/失败条件
# g4 |: j, [! d7 S - 写保护状态
9 T- Y" ^. k, D$ u: ~8 r- c6 P! n·就绪/忙碌＃（R / B＃）信号提供检测操作完成的硬件方法
·WP＃信号：写保护整个设备
·第一个区块（区块地址00h）在发货时有效来自ECC的工厂。有关最低要求的ECC，请参阅错误管理。
·如果PROGRAM / ERASE cy-块O需要1位ECCcles小于1000
9 z7 V9 l$ z& W6 M·复位（FFh）作为电源后的第一个命令ER-上
) m4 x+ \- u) r" F; l2 Q·在读取数据的平面内支持内部数据移动操作
. |6 o, S5 }: m3 X* }$ g·质量和可靠性 - 数据保留：10年
2 f: k5 i4 ?) N3 h: G% K3 Q& W - 保证：100,000次PROGRAM / ERASE周期
6 G$ m* P8 t! i0 V3 \7 o8 {·工作电压范围
-Vcc：2.7-3.6V
-Vcc：1.7-1.95V
- H% v7 X$ p* O' L·MT29F2G08ABAEAWP-IT:E工作温度：
; M0 Y; u6 d" j( n, K- b% ?3 Z - 商业：0℃至+ 70℃
% h3 l9 g/ ^0 ^ - 工业（T）： -  40℃至+ 85℃
* u7 p" e  B3 \( j. J, U·包装
-48引脚TSOP类型1，CPL2
-63-ball VFBGA
- p* @" q3 ]$ n+ B- _) L9 S
8 |2 J9 P9 K( G) Q: E+ K