|
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍
% O8 L) Q: i, H0 N- U& L, W* I. G- }2 f# I$ t6 h- T1 k: r% O' P/ ~
特征
+ g5 o% ?! A; ^( @8 A% V% o9 O·开放式NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容!
" @; Y3 w* _# t·单级单元(SLC)技术8 h5 _0 |+ m: h0 C
·组织% ^- ?1 O" u! R5 w; W; V. Z: f
- 页面大小x8:2112字节(2048 + 64字节)
* x' |* }7 v1 Z8 ] - 页面大小x16:1056字(1024 + 32字)& F( z' y. ?7 A3 s G" e- u
- 块大小:64页(128K + 4K字节)
@( e$ O8 y3 }7 Y; z - 平面尺寸:每平面2个平面x 2048个块
( V+ R% t9 G7 T& @. Z4 I - 设备大小:4Gb:4096块; 8Gb:8192块
) T) p. w7 x8 S; Z" D16GB:16,384blocks' |( e" l6 k& L |' ~3 S
·异步I / O性能
% Z+ n6 a7 X4 W# L- a; c, b-TRC / WC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)
) n/ I' B7 G: ~5 X·阵列性能; D, I. @; [9 s, R: _
- 阅读页面:25us3
% s! R" N2 D O2 G' |6 S6 [-Program page:200us((TYP:1.8V3.3V)3
; K+ O2 Q3 a: A - 删除块:700us(TYP)
2 V9 R- @, @& J·命令集:ONFI NAND Flash协议7 |! Y) u! q3 A4 D) N: C
·高级命令集: k* {1 _7 X. G; K
- 程序页面缓存模式40 |: P e* i& `
- 阅读页面缓存模式4
- ^- k. `2 R9 \3 o [. x - 一次性可编程(OTP)模式
7 A1 M" ?5 B- s" q, Q - 双平面命令48 o# C' O) f9 R& W- K( p9 A6 B
- 交织模(LUN)操作3 q* q0 c' F+ K* v7 R
- 阅读唯一ID/ [! n# F, u9 [! t, a
- 锁定(1.8Vonly)
" h+ p$ X" ]/ R2 A% a- `; h - 内部数据移动9 [5 o/ f; C) v- }
·操作状态字节提供检测的软件方法
4 }8 C c9 k9 x' J7 T' L, _ V - 操作完成
. L! u( P8 g5 Y/ n+ a, B - 通过/失败条件% j$ \4 u9 A9 ]
- 写保护状态0 H3 s9 l0 i, @% f+ j4 z
·就绪/忙碌#(R / B#)信号提供检测操作完成的硬件方法/ J' u% f% \# _2 P
·WP#信号:写保护整个设备
# h9 Q$ W4 s/ U·第一个区块(区块地址00h)在发货时有效来自ECC的工厂。有关最低要求的ECC,请参阅错误管理。3 ~! \4 [( l. B$ G# @% G( m
·如果PROGRAM / ERASE cy-块O需要1位ECCcles小于1000
2 D( F& ^/ d- C. m1 u/ Y7 M·复位(FFh)作为电源后的第一个命令ER-上
3 h8 c( l) {% Y P8 c# v·在读取数据的平面内支持内部数据移动操作6 M3 R2 }. g# V1 x: L0 r. h
·质量和可靠性 - 数据保留:10年8 l$ \+ P* K- y% H" H
- 保证:100,000次PROGRAM / ERASE周期
# R$ S+ ~7 Q# P6 D, ^·工作电压范围& }, Y* P7 e7 h* T1 R' [; r; l
-Vcc:2.7-3.6V
: H% H0 w, ~8 m: k" P-Vcc:1.7-1.95V7 @' i, \- g' [; E2 y P
·MT29F2G08ABAEAWP-IT:E工作温度: i0 t( l0 S4 T, u" _. y8 {) d
- 商业:0℃至+ 70℃. d: h. K; y/ F: P$ G
- 工业(T): - 40℃至+ 85℃
`6 f! f: k: T* U2 a·包装
- U% U" p) e0 m% s$ V1 Y5 d-48引脚TSOP类型1,CPL2
f( k3 _7 l2 [) l: V-63-ball VFBGA
! l# y: m* [' a' c( ^# m% [( F; e& I. G5 e) q( {4 u/ H
|
|