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一文了解EM638325TS-6G9 A2 Y$ I1 g; i/ t" |
% [- X6 \# B; S4 [5 ?0 f+ |$ v概述
( I$ z' Y8 A, c( c EM638325TS-6G是一款包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。它在内部配置为带有同步接口的四通道512K x32 DRAM（所有信号都在时钟信号的上升沿重置，CLK）。每个512K x32位组被组织为2048行×256列×32位。对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续编程的位置数。访问以BankActivate命令的注册开始，然后是Read或Write命令。
4 h: _8 O/ f2 R EM638325TS-6G提供1,2,4,8或整页的可编程读或写突发长度，具有突发终端选项。可以启用自动预充电功能以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。刷新功能，自动或自动刷新都很容易使用。
. h7 _8 ~' l' g" a) L! ?7 V 通过具有可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高存储器带宽的应用。 `' i6 D" \9 E9 H9 F, ^
9 e6 E; C% j3 P# o
特征2 Z) k; \8 m; [. z) h$ ~2 B( Q
·时钟频率：200/183/166/143/125/100 MHz; f5 E; ^( N# [ q
·完全同步操作( C7 G% T! U$ I7 v3 Y4 [5 }/ n3 w4 v/ H
·内部尖头精炼建筑% b9 } c1 j) s1 q
·四个内部库（512K x 32位x 4bank）
- L9 @% e- \* C+ N, q·可编程模式& y5 w! [ c& V# d8 g5 ?* O. G
-CAS＃Latency：2或37 Y. W& {4 s( n
-Burst Length：1,2,4,8，或整页
) A& E, j0 p0 ?. G-Burst类型：交错或线性突发
) ^0 F" E! L, F; w8 _. D: K-Burst-读单写
* B7 f- h, D3 r! d. U8 o5 o·突发停止功能! o0 b/ k0 _! k2 s( E9 \" \3 L
·由DQM0-3控制的单个字节5 U# k; x s( Z
·自动刷新和自刷新
. v% f6 _9 O9 O& a) |' y·4096刷新周期s / 64ms5 a! z, e; f1 D
·单+ 3.3V±0.3V电源
; B1 T1 A) Q& b: p2 m2 E# X+ A·接口：LVTTL
/ C$ Y, `7 ?, `& C·封装：400×875mil，86引脚TSOP II，0.50mm引脚间距
* C( R$ W. K" m: z9 i·提供无铅封装' D/ B% H# F; W) R6 s
% k. f& J, j$ y" I4 K9 a2 P
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发表于 2019-8-2 14:56
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