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使用相同的数据信号,在不同的频点上,发射功率相差5dBm怎么办?

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1#
发表于 2019-7-16 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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5 l3 {4 P5 ]& f2 e5 I5 e最近在使用SKY77645-11的PA,调试LTE band3,使用相同的射频控制字,使用相同的数据信号,在不同的频点上,发射功率相差5dBm(在PA之前已经测试过信号功率波动在0.5dBm内),而且杂散也很大。不知道什么原因导致的,有哪位大神遇到过类似的问题或者知道什么原因,望不吝赐教,非常感谢!

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发表于 2019-7-20 22:53 | 只看该作者
同一频段   不同Channel  功率不平坦
: N- ]. C2 v& B3 L( ?, d有可能是匹配没调好
$ b5 e7 Q; Z2 \, r* Y但你这差到5 dB   我是不太认为   匹配没调好   会差到这么多$ I! G! y; O$ H) o* Z0 [. Q
你是在Connector量到?  还是PA输出端量到?- F. M$ ]* K7 k! F
如果是Connector   未必是PA问题# A& ^3 f/ o, W. l+ j8 w% }7 h: S; U3 Y
也可能是双工器    如果你用的是FBAR  Z; V: q+ z7 |: F7 A0 X7 O5 @

8 _6 A( W' ^; d" R
. s7 M) m; J$ Y
( ~  _9 b$ f! P4 F4 a) l* v" o3 W7 v

% C, H$ d8 r, b) S& @6 m% x. A0 v高温时    频率响应  会往低频方向移动
# O$ ~9 F  v0 p+ A0 W, m% G7 x1 y导致高通道的Loss瞬间增加 (因为座落在Outband)
7 N) ]" y9 x0 M8 v  I: S而大功率打久  本来就会因PA自我发热   导致PCB温度上升( h2 ], C) E, Y: w

: v5 T9 K9 p3 \; C" b# P6 m
! s+ [$ A# H3 s. u- ]
2 u3 H5 s2 U, B: S% z! _" J所以
# f5 t: ]& G: |" ?7 Y7 S; H8 F' R! q! u8 w2 d) e
1.        用冷冻喷雾喷一下   看会不会改善   如果会   那就跟温度相关9 `. a$ [3 J0 }0 u$ p) X
2.        单纯量双工器在高温下的频率响应   如果高信道的S21变大  o1 m) m$ c: Z! }
那就肯定是这原因了
0 n6 M6 R3 |. _- _; E8 X1 g) u# w: l% R: L$ @# t
# ^0 C* n. _6 x: c

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2#
发表于 2019-7-16 15:30 | 只看该作者
是否涉及电路上的双工器?还是单独的功放测试?

该用户从未签到

3#
发表于 2019-7-16 18:25 | 只看该作者
可能与电源纹波,噪声,双工收敛等有关,需要逐一排查
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