SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

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SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。

SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高（10倍于Si），更宽的能带隙（3倍于Si），热导率高（3倍于Si），这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。
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& o5 W. k' j" t3 G, RSiC MOSFET性能明显优于Si MOSFET
1.极其低的导通电阻RDS(ON)，导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作。
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  ~1 t9 f3 K3 g3 D# G2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的转换速率。
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3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用。

$ H) _  {/ x" s4 J. ^1 vSiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用对比
世强市场经理宫一樵解释道，现代工业对电力电子设备提出了许多新的要求，要求体积小、功率大、发热量小、设备轻便等。面对这些新要求，Si MOSFET一筹莫展，而SiC MOSFET 就开始大显身手了。通过对SiC MOSFET管与Si MOSFET管相关电气参数进行比较，我们可以肯定SiC MOSFET将成为高压高频场合中应用的主流器件，可谓应用SiC MOSFET者得天下。


2 z, P- ^% f9 ?图1：SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用的对比图

% H5 }1 q. h4 |+ Z8 l低电阻特性，SiC具有低电阻特性，在同等电压和电流等级的MOSFET中，SiC MOSFET 的内阻要几倍小于Si MOSFET 的内阻，且SiC的模块体积小型化，有利于增加系统功率密度。
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* H& B/ i& M* W9 S2 r9 D. D高速工作特性，SiC MOSFET相对于Si MOSFET具有更高频率的工作特性，使系统中的电容电感器件体积小型化，减小系统整体体积，同时也降低了生产加工成本。
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2 |8 c) @  u* _高温工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境，原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小，另一方面，热导率高3倍于Si MOSFET。

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图2：SiC与Si性价比对照图

3 A$ l! _) J( m# z! I2 v# x; x有了以上特性对比结果，我们可以清楚的认识到SiC MOSFET 性能全面优于Si MOSFET。虽然单个SiC MOSFET价格高于Si MOSFET，

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