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楼主: ijiqux838
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特性阻抗终情于50与100的原因

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16#
发表于 2008-3-31 20:07 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表 8 a/ P6 Q6 u0 O7 ?: R- Z
我翻译了一下上面的那个文章
- h, d: P5 V, y: u1 p3 b- \9 a& P3 a$ T发现好像主要讲同轴电缆的
$ R# r' @# |% m不知翻译的对否
8 n( a2 E. {' G( W; D往指正
- |' R" @/ L+ D+ E  u& P6 d) x, w
谢谢!8 L  k- K1 a" m. D# b! L
看一下
  W0 r; X" Y" r' F: N再讨论

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17#
发表于 2008-3-31 22:11 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表 , k( u9 z$ ?  f# j4 c% `7 f: V2 q7 z  q9 y
我翻译了一下上面的那个文章
& x) s' H  X- \) f发现好像主要讲同轴电缆的
7 {- W) K( Z' N& L" o不知翻译的对否( G3 W6 [" q- H
往指正

% S; f+ L# L- T$ [2 R: b0 _% h: n' Q9 q" R
翻译得很认真0 v% c# \7 T  Y, Z% c7 Z6 c
前面是PCB,后面是同轴电缆
' g4 t% e- u, X  R+ C+ t, c结论是两者都取50ohm并没什么关系

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18#
发表于 2008-4-1 12:08 | 只看该作者
受教了!

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19#
发表于 2008-5-1 15:20 | 只看该作者
之所以一般同轴选择50欧姆,是因为从机械加工和成本控制方面考虑的,75欧姆一般用的相对少些,电视的射频接口就用的75欧姆
; Y# l% m- {) I. s. W差分阻抗不完全是单端阻抗的叠加,是因为线对之间耦合后改变了电容和电感

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
Allen + 10 谢谢参与讨论!

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20#
发表于 2008-5-11 17:54 | 只看该作者
牛人门啊

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21#
发表于 2008-5-24 17:17 | 只看该作者
其实有很多原因,主要好象是:单板设计实现性来讲的,想想要是阻抗太小,线就很粗,这样做起板来就很难实现,50也是人们总结出来的,是个比的结果,不知道对不对。

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22#
发表于 2008-5-29 14:47 | 只看该作者
原帖由 vvyyxx 于 2008-5-12 08:45 发表
, `1 k, s9 r, t3 ~- [1 F$ q+ f特征阻抗的绝对值 在一般情况下并不是很重要,主要是走线阻抗稳定均匀!!
" ?3 S) K# F+ Y" u
1 O5 d/ e8 D# X1 j
走线阻抗稳定均匀,一般是要怎么达到呢,我总觉得布线的时候不是很注意这个, 也与我少做这个有关系吧,,,,

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23#
发表于 2008-5-29 23:53 | 只看该作者
好,学习了,谢谢

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24#
发表于 2008-6-3 13:34 | 只看该作者
學習.謝謝分享

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25#
发表于 2008-6-10 11:26 | 只看该作者
学习中...

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26#
发表于 2008-9-24 11:49 | 只看该作者
此问题前面已经讲的很清楚了 有一点需记住 差分USB 90   DDR DDR2  差分100  单端一定是大于45  和50  的

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
Allen + 10 谢谢回帖

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27#
发表于 2008-9-25 16:04 | 只看该作者
这个帖子不错 要顶起来

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28#
发表于 2008-10-10 16:38 | 只看该作者

回复 12# 的帖子

我觉得这个说法是比较好!双端线,可以方便的结成单端线。

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29#
发表于 2008-10-11 16:21 | 只看该作者
感谢 ,收藏。

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30#
发表于 2008-12-30 16:45 | 只看该作者
已经收藏,谢谢
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