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楼主: ijiqux838
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特性阻抗终情于50与100的原因

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16#
发表于 2008-3-31 20:07 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表
7 I( d9 h1 H7 S1 H9 \' P我翻译了一下上面的那个文章
5 T# K4 E* c) V$ a+ R9 I发现好像主要讲同轴电缆的" E2 v$ t' x# A1 c  F0 ^  |
不知翻译的对否% x, Q* P2 c6 b: w8 e  ?
往指正
) H& x" l/ ]( y. M5 ~6 Z
谢谢!* p2 L! X% N' n, n, L
看一下
! d' I, U# E, O% @再讨论

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17#
发表于 2008-3-31 22:11 | 只看该作者
原帖由 mzsuper 于 2008-3-31 01:31 发表
* C" C; a, Q  S. d; Y% d我翻译了一下上面的那个文章* Y5 _' c8 P  {( \1 @  s; ]
发现好像主要讲同轴电缆的
; A' g5 E; c* g2 f0 R: G, [+ C$ I不知翻译的对否
" q) ?! A8 I& R$ }* l7 X6 L往指正

0 l0 S6 k2 [; {( o7 x. B1 L
( F  @( V1 g- K! L翻译得很认真7 D6 V" M  Z2 a) b( ~) Q8 I
前面是PCB,后面是同轴电缆, f" G5 O( @3 u( I4 f
结论是两者都取50ohm并没什么关系

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18#
发表于 2008-4-1 12:08 | 只看该作者
受教了!

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19#
发表于 2008-5-1 15:20 | 只看该作者
之所以一般同轴选择50欧姆,是因为从机械加工和成本控制方面考虑的,75欧姆一般用的相对少些,电视的射频接口就用的75欧姆  d$ ~1 y- ?3 c  B
差分阻抗不完全是单端阻抗的叠加,是因为线对之间耦合后改变了电容和电感

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参与人数 1贡献 +10 收起 理由
Allen + 10 谢谢参与讨论!

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20#
发表于 2008-5-11 17:54 | 只看该作者
牛人门啊

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21#
发表于 2008-5-24 17:17 | 只看该作者
其实有很多原因,主要好象是:单板设计实现性来讲的,想想要是阻抗太小,线就很粗,这样做起板来就很难实现,50也是人们总结出来的,是个比的结果,不知道对不对。

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22#
发表于 2008-5-29 14:47 | 只看该作者
原帖由 vvyyxx 于 2008-5-12 08:45 发表
# a7 _" ?1 @# T" G$ U3 T9 L3 M  D特征阻抗的绝对值 在一般情况下并不是很重要,主要是走线阻抗稳定均匀!!
7 |' N6 R9 v0 _: @5 R6 p

1 E/ d( m  Q9 w: K走线阻抗稳定均匀,一般是要怎么达到呢,我总觉得布线的时候不是很注意这个, 也与我少做这个有关系吧,,,,

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23#
发表于 2008-5-29 23:53 | 只看该作者
好,学习了,谢谢

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24#
发表于 2008-6-3 13:34 | 只看该作者
學習.謝謝分享

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25#
发表于 2008-6-10 11:26 | 只看该作者
学习中...

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26#
发表于 2008-9-24 11:49 | 只看该作者
此问题前面已经讲的很清楚了 有一点需记住 差分USB 90   DDR DDR2  差分100  单端一定是大于45  和50  的

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Allen + 10 谢谢回帖

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27#
发表于 2008-9-25 16:04 | 只看该作者
这个帖子不错 要顶起来

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28#
发表于 2008-10-10 16:38 | 只看该作者

回复 12# 的帖子

我觉得这个说法是比较好!双端线,可以方便的结成单端线。

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29#
发表于 2008-10-11 16:21 | 只看该作者
感谢 ,收藏。

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30#
发表于 2008-12-30 16:45 | 只看该作者
已经收藏,谢谢
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