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开关电源的11种拓扑结构

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-6-15 09:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    开关电源的11种拓扑结构
    ; V" W9 A4 j; p' s' r3 F

    5 d9 L" T( h5 Y: I

    # z' i; w- c' w5 e

    1、基本名词

    常见的基本结构

    ■Buck降压

    ■Boost升压

    ■Buck-Boost降压-升压

    ■Flyback反激

    ■Forward正激

    ■Two-TransistoRForward双晶体管正激

    ■Push-Pull推挽

    ■HalfBridge半桥

    ■FullBridge全桥

    ■SEPIC

    ■C’uk

    基本的脉冲宽度调制波形

    这些结构都与开关式电路有关。

    基本的脉冲宽度调制波形定义如下:


    ! W( N7 m3 U4 V; r, _' \( [3 k
    3 N" Q( e* Y4 F) F9 k# k/ E4 `" A1 Z! N' L! @8 Z5 H5 }2 k+ r

    2、Buck降压

    4 k4 P2 U( X2 O

    $ O7 F8 U( A+ K, y! a/ M+ V+ v2 O0 i6 X

    特点

    ■把输入降至一个较低的电压。

    ■可能是最简单的电路。

    ■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。

    ■输出总是小于或等于输入。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流平滑。

    3、Boost升压


    ) f* e; q6 ]1 k, @' e
    ' m  q' D6 W7 C* |" `
    / x1 n2 ?- v+ r$ l( n  x

    特点

    ■把输入升至一个较高的电压。

    ■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。

    ■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。

    ■输入电流平滑。

    ■输出电流不连续(斩波)。

    4、Buck-Boost降压-升压


    0 u* N) ^  ~$ T( c: Y( R6 f& b: B$ T

    % K8 \5 R: z! Z- O- c* _

    特点

    ■电感、开关和二极管的另一种安排方法。

    ■结合了降压和升压电路的缺点。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流也不连续(斩波)。

    ■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。

    ■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。

    5、Flyback反激

    7 r5 ]0 l, F3 B# O+ y% \
    % A* j) P' R6 R- F
    - M7 o2 ~! N6 v% O6 O9 T* x

    特点

    ■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。

    ■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。

    ■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。

    ■这是隔离结构中最简单的

    ■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。

    6、Forward正激

    : M# C7 Q/ k4 i0 j% ^/ i' P% B3 T
      \/ F2 ^  ?' G. q4 b; x
    3 u3 ?) G, m( B5 Y% X" \3 l

    特点

    ■降压电路的变压器耦合形式。

    ■不连续的输入电流,平滑的输出电流。

    ■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。

    ■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。

    ■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。

    ■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。

    7、Two-TransistorForward双晶体管正激

    + f( N( U# {% n+ _& y: q+ `
    8 _; V' ?8 ?) L1 e* O& f# j$ k
    8 \2 L% f3 G" {  O6 a+ i$ H+ |

    特点

    ■两个开关同时工作。

    ■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。

    ■主要优点:

    ■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。

    ■无需对绕组磁道复位。

    8、Push-Pull推挽


    9 x6 m# f" `7 R
    1 y8 t" A% Z3 v/ ]" |$ m! j  A1 F0 ?5 w' g2 N9 V

    特点

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。

    9、Half-Bridge半桥


    - O8 G7 ^" H8 R& K+ M7 _1 w3 l' R2 V% v- o; O! ]; P+ {' z& L

    - R3 b( N; H% o1 i4 _- m# }% R! \9 Q3 U

    特点

    ■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压与输入电压相等。

    10、Full-Bridge全桥

      s% r% D7 w" I0 |' [

    " q0 J6 _5 C1 b8 H- j
    ( p" H1 b; z. w# `

    特点

    ■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FETs上的电压与输入电压相等。

    ■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。


      `" S( [8 Y4 N$ K
    , P2 J1 {2 g+ x/ `- U

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-6-17 11:24 | 只看该作者
    学习啦,7,8推导不出来,大神可否加上推导过程。。。。。
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