# z' i; w- c' w5 e1、基本名词
常见的基本结构
■Buck降压
■Boost升压
■Buck-Boost降压-升压
■Flyback反激
■Forward正激
■Two-TransistoRForward双晶体管正激
■Push-Pull推挽
■HalfBridge半桥
■FullBridge全桥
■SEPIC
■C’uk
基本的脉冲宽度调制波形
这些结构都与开关式电路有关。
基本的脉冲宽度调制波形定义如下:
! W( N7 m3 U4 V; r, _' \( [3 k![]()
3 N" Q( e* Y4 F) F9 k# k/ E4 `" A1 Z! N' L! @8 Z5 H5 }2 k+ r
2、Buck降压
4 k4 P2 U( X2 O
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$ O7 F8 U( A+ K, y! a/ M+ V+ v2 O0 i6 X
特点
■把输入降至一个较低的电压。
■可能是最简单的电路。
■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。
■输出总是小于或等于输入。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流平滑。
3、Boost升压
) f* e; q6 ]1 k, @' e![]()
' m q' D6 W7 C* |" `
/ x1 n2 ?- v+ r$ l( n x特点
■把输入升至一个较高的电压。
■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。
■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。
■输入电流平滑。
■输出电流不连续(斩波)。
4、Buck-Boost降压-升压
0 u* N) ^ ~$ T
( c: Y( R6 f& b: B$ T
% K8 \5 R: z! Z- O- c* _特点
■电感、开关和二极管的另一种安排方法。
■结合了降压和升压电路的缺点。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流也不连续(斩波)。
■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。
■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。
5、Flyback反激
7 r5 ]0 l, F3 B# O+ y% \
% A* j) P' R6 R- F
- M7 o2 ~! N6 v% O6 O9 T* x
特点
■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。
■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。
■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。
■这是隔离结构中最简单的
■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。
6、Forward正激
: M# C7 Q/ k4 i0 j% ^/ i' P% B3 T
\/ F2 ^ ?' G. q4 b; x
3 u3 ?) G, m( B5 Y% X" \3 l
特点
■降压电路的变压器耦合形式。
■不连续的输入电流,平滑的输出电流。
■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。
■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。
■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。
■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。
7、Two-TransistorForward双晶体管正激
+ f( N( U# {% n+ _& y: q+ `
8 _; V' ?8 ?) L1 e* O& f# j$ k
8 \2 L% f3 G" { O6 a+ i$ H+ |
特点
■两个开关同时工作。
■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。
■主要优点:
■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。
■无需对绕组磁道复位。
8、Push-Pull推挽
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1 y8 t" A% Z3 v/ ]" |$ m! j A1 F0 ?5 w' g2 N9 V
特点
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。
9、Half-Bridge半桥
- O8 G7 ^" H8 R& K+ M7 _1 w
3 l' R2 V% v- o; O! ]; P+ {' z& L
- R3 b( N; H% o1 i4 _- m# }% R! \9 Q3 U特点
■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压与输入电压相等。
10、Full-Bridge全桥
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" q0 J6 _5 C1 b8 H- j
( p" H1 b; z. w# `特点
■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。
■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FETs上的电压与输入电压相等。
■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。