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请教大神们:关于结温如何确定?

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发表于 2019-6-12 08:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问怎么确定可控硅的结温???超过结温时会有哪些危害?# D8 M" x% e( x; ~% t6 U
7 n. A9 U* ]1 s% `& }" x- J' D

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2#
发表于 2019-6-12 09:22 | 只看该作者
使得半导体器件失去其正常功能的结温就叫半导体器件的最高结温。
# t, w! ~+ Z* r对硅材料半导体来说,最高结温一般在150度左右。
5 W, u9 H0 S( R$ s# Z; i1 w对大功率的半导体器件,为了工作的更可靠,一般到要想办法提高它的散热性能(比如加装散热片等),尽量降低其结温,避免超过最高结温而不能正常工作。# n, o3 p& K8 n, c" r
注意,结温和半导体器件的外表温度是不同的,前者要比后者高。

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学习了  详情 回复 发表于 2019-6-18 13:33

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3#
发表于 2019-6-12 14:27 | 只看该作者
有公式进行表面温度与结温之间的换算,需要知道材料的热阻系数。网上找一下公式就行

点评

还需要知道芯片本身的耗散功率Pd才能计算。Tj(结温)=Tc(外壳温度)+Pd*θj-c(结到外壳的热阻)。不过,芯片规格书上的热阻一般是在特定条件下(比如评估板散热面积,4层板等)测出来的,实际值一般会偏大。  详情 回复 发表于 2019-9-12 13:29

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5#
发表于 2019-6-18 13:33 | 只看该作者
niguanwoshi 发表于 2019-6-12 09:22  z* W% ^! j9 j
使得半导体器件失去其正常功能的结温就叫半导体器件的最高结温。
& S. O1 \/ s: c' |) W9 }$ t对硅材料半导体来说,最高结温一般在150 ...

9 D: x+ l* t$ g学习了, e! e$ Y5 q, w9 w6 _# W, y4 h

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6#
发表于 2019-6-20 14:37 | 只看该作者
结温一般无法直接测得,通过表面温度和导热系数计算得出。

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应该不是导热系数,是热阻吧?单位是℃/W  详情 回复 发表于 2019-9-12 13:30
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

    10#
    发表于 2019-9-12 13:29 | 只看该作者
    NorthTiger 发表于 2019-6-12 14:27% y3 K( y4 v& ^
    有公式进行表面温度与结温之间的换算,需要知道材料的热阻系数。网上找一下公式就行
    3 g- u' f0 l( b
    还需要知道芯片本身的耗散功率Pd才能计算。Tj(结温)=Tc(外壳温度)+Pd*θj-c(结到外壳的热阻)。不过,芯片规格书上的热阻一般是在特定条件下(比如评估板散热面积,4层板等)测出来的,实际值一般会偏大。
    / V+ P- k1 B" E& N. h
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    [LV.2]偶尔看看I

    11#
    发表于 2019-9-12 13:30 | 只看该作者
    eastxidu 发表于 2019-6-20 14:37& r6 X1 K( v3 Z
    结温一般无法直接测得,通过表面温度和导热系数计算得出。

      t  M; F. B" G3 S( c7 n  K: W8 s应该不是导热系数,是热阻吧?单位是℃/W' d- ]6 T; _4 [  a0 l; M2 F
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    2020-4-9 15:05
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    [LV.2]偶尔看看I

    13#
    发表于 2019-9-12 13:37 | 只看该作者
    热设计之JESD51-7电子器件热测试方法High Effective Thermal Conductivity.pdf (1002.65 KB, 下载次数: 2) 1 _, J9 @6 d" d* L9 K7 h; e
    这个是很多芯片规格书中提到的热阻测量标准条件,一般的设计中,是达不到这么大的铜皮面积和铜厚吧,所以计算出来的Tj也只能是做个参考。要想准确地知道自己设计中的热阻θ值,我觉得就要做个破坏性试验,把Tc一直升上去,直到芯片损坏或热保护,这时候就是已知 Tj(芯片会标出比如125℃、150℃等)、Tc(试验终止时的外壳问题)、Pd(芯片的功耗)求θj-c(实际值)。
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