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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x

( I% S5 Y2 X5 _最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。' O2 v: D2 D' w$ v
看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?
' A  W( c& Y4 T0 t5 n2 U+ p. P . g+ u; T3 K1 W4 @' u  W

+ X) W, ^# O7 `但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%1 |& a4 \  J0 c" p2 Z

# l, `7 ~0 S9 c& f5 J: j- O所以想问一下9 {8 E: G5 H, b, D1 G
1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?
/ M  G" F  i) f) l/ T  e' Z. r2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?) L: V6 D; x( m0 K  }0 Q* _

" E- K6 h- C6 L! i* [7 z6 B% G

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑 - N+ O7 O( E: L
! U4 I4 W# ?, l2 {5 D* Y( r( o8 C) i
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。$ z1 t% @. W/ ~
2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。
8 v8 R- x; `( A" x' ]# x3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
3 i# R/ c: a, }8 I% `+ _- F

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:178 Q& h5 n5 N9 k' N7 V/ \
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
4 q: D, t: N0 l) d; m7 F5 ~ ...
6 a6 g/ U0 n, F0 ]( s. U
哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!
7 f2 A6 u3 n# K! x" M没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!
6 ?9 v& Z. g0 I% [* z多谢* B& \8 A3 x  ]- c5 M7 c

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7#
 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者
# D0 f  O3 T5 o/ q
; `! o$ X* H' V
看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上
: k5 ]* z) g' H" P4 Z5 f& ], |; I但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看  B8 _! f5 V) i

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者

" m: I- @0 i' r$ H* ?
2 C* z( G: D+ r: p  [; h多谢????
! M3 z, @3 o- H8 R+ {  {9 Q6 m$ v- X% L/ o5 D! W

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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