Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

0 O4 |0 n! Q8 O$ e2 u最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
0 H9 w$ }0 a" }' l7 u看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？


但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%
  i4 Z6 R! @. h' S
所以想问一下
0 C! Z1 T% r+ m- |1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
! b% f/ f& u: n7 ?1 ~0 P" w3 G+ [2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

wu6886

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3 C* ]0 H8 K+ j* X$ i

hyz12888

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curry_wang

) L$ N, Y# }4 `3 M
7 D3 M* E2 h- }/ _$ e8 @  Q3 e* D感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
+ M- O. w9 X- e8 x" J2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
  _$ P1 P& d5 H. b0 h. i+ W3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
! M- Z6 i. T8 M. M, u2 w: M0 Y- \

上山砍柴

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Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
: H  n! P/ R1 Q% U感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
' B: o6 o5 [, R3 A2 ^2 J8 L ...

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
多谢

Joen0_0

% A- M# U" H( p& U9 w看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
- Q  N+ _2 V! O4 z但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看
6 d# Y; P3 e4 m$ b) ^

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥

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Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

9 }3 w8 l) |+ ^$ F$ X" M- C多谢????
0 G& w0 Z2 w) n
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