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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
' H  {8 |$ o( I
最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。1 c: k8 Q8 U( j) h' Z# z+ j! ?
看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?
# z, t; l' A$ l4 Z2 ]
' m1 I2 e! U; {5 {) F$ C0 p2 I0 t( W# w5 k4 L
但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%, ~1 d  f! i! Q# K/ ^/ e

3 m  t& R3 u& n) P" F; T6 a所以想问一下2 F% z+ y1 @! s) K& S' j0 n: V
1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?& z4 R- B0 ~$ D
2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?
' {3 z6 ~( ]  `5 n( L& v7 s& j* w

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑
. Y9 o5 t( f  h5 ~9 Z* z/ }3 ~
6 E* l2 u1 N$ s2 b感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
1 d5 K6 ?4 m4 X- y& t7 }# i2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。
! L) v$ v7 m& q3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。$ h$ x4 N" j  X! W; ]( L1 M% s

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:178 ^; l$ a$ c; i% F2 C9 ^
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
7 p3 L, s! m2 y/ ~7 a0 p8 T ...

( D5 M5 c5 e. ]$ w4 n, }哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!$ k% [  `+ w3 o
没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!8 D; @  N) J) s9 z" T
多谢7 I' X5 `) J2 k8 U- S

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 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者
8 x  x$ G' L" i/ u
7 C2 r1 \, m) ?9 {% d# b  m% K2 \
看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上. ?) k) G! n- Y  M% [$ E
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看. O. i* ~7 O7 V9 T

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者

7 m) z7 U9 Z4 B7 p7 I& L8 l* |$ |& ^
多谢????
7 z  f/ X" ?1 s- ~" m' e# i: q' R
( b8 B5 U7 H. }( k

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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