DCR电流检测架构之比较 2

Allevi

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DCR电流检测架构之比较 2

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以N相位的应用而言，若要检测每相位的电流信号，总和电流检测架构还需要额外的N个接脚。如图四所示，每相位的电流信号均共享ISUM_N接脚；所以，和差分检测架构相比，总和电流检测架构使用的IC接脚数较少。
简而言之，总和电流检测架构共会使用到N + 3个接脚，包括检测总和电流和每相位的电流讯息。在相位数超过3以上的多相位应用时，总和电流检测架构所用的IC接脚数，会比差分检测架构的少。

图四、总和电流检测架构的每相位电流的检测电路
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( D9 E% J$ ^& m) s) m) F/ y3.1 总和电流检测架构之公式推导参考图三，并假设，作为式（13），（14），（15）和（16）的最终形式。将 代入VLn，电感两端的电压即可表示如式（14）和电容电流IX可以表示如式（15）。将式（15）代入式（14），电感电流和电容电压之间的关系可以表示如式（16）。
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' K) R' P. h4 K5 d5 e7 JVsum的表示式可以从式（17）和（18）得到。将式（16）代入式（18）之后，可导出Vsum和IL之间的关系，如式（19）。

如果检测网络的时间常数（RX // RS）* CX能匹配电感的时间常数LX / DCR，也就是如式（20）所表示的，则式（19）即可化简为式（21）。式（21）显示Vsum值是和电感电流的总和成正比的。


4. 差分与总和电流检测架构之比较
4.1 节省接脚之特点如上所述，总和电流检测架构利用加法器，将每个DCR电流检测网络的电容电压相加起来，因此，只需3个接脚即可获得总电流的讯息。此外，总和电流检测架构检测仅需N个接脚，即可检测N个个别相位的电流信号；相比之下，差分电流检测架构却需要2N个接脚，以得到N个相位的总电流和个别相位的电流讯息。换言之，只要相位数超过3，使用总和电流检测架构就可以达到节省接脚的目的。
差分电流检测架构不能使用单一ISENN接脚，这是因为运算放大器正、负端之间虚拟短路的特点。从图二，如果只使用单一ISENN接脚，就如同两个电压源 (ISEN1P和ISEN2P) 被连在一起，若这两个电压是不相同的，此电路即违反了KVL定律。实际上，因为这两点分别检测来自不同相位的电感电流，所以这两点的电压是不会相同的。
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. X8 F5 b8 r: v; F5 [3 @* i/ b4.2 每相位电流的精确度虽然透过总和电流检测架构和差分电流检测架构都可精确地获得总电流，但是，每个相位的电流信号却不是如此。差分电流检测架构因为是直接检测DCR电流检测电容的电压，所以可得到每个相位精确的电流信号。将ISEN_N输入接脚和负载VCORE点之间的印刷电路板的寄生电感和电阻考虑进来，当电流流过这些寄生组件时，就会在每一ISEN_N接脚引起一个电压尖峰脉冲；然而，在差分电流检测架构中，所引起的电压尖峰脉冲也同时会在各ISEN_P接脚，所以正负端的差分值不会受到影响。由图五电路仿真产生的波形显示，即使在ISEN_N接脚上有一电压尖峰脉冲，所检测的电流依然正确。

5 S* s- j0 E! a$ n$ M0 _4 A图五、在ISEN_N和ISEN_P接脚上，PCB上寄生组件所引起的电压尖峰脉冲
然而，检测每一相位的电流信号，总和电流架构是用共同的ISUM_N接脚，而非每相位各自的ISEN_N接脚（图三）。因为共享ISUM_N接脚的电压是各相位之检测电容负端电压的平均值，ISUM_N电压和差分架构的ISEN_N点的（即电容）电压稍有不同，特别是考虑到ISEN_N输入接脚和负载VCORE点之间的PCB寄生电感和电阻。图六（a）的电路仿真波形显示所检测的每相位的电流波形与PCB寄生组件所引起之噪声的关系；因此，总和电流检测架构的每相位电流精确度可能不如差分电流检测架构的。
: d/ Y, w6 l/ w! Y然而，加上适当的滤波组件是可以提高总和架构的性能的；可以在每个检测电容的负端加上滤波组件，RF和CF，以将此节点和输出负载点隔离。这虽会增加总和电流检测架构布局的复杂性，但却可改善每相位电流的精确度。图六（b）的电路仿真波形显示在各相位都有RF和CF滤波组件时，所检测的每相位电流之波形。
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+ N- Q% a* }7 X% S图六、总和电流检测架构与PCB寄生组件 (a) 滤波组件时的每相位电流 (b) 有滤波组件时的每相位电流

4.3 误差范围 (Tolerance Band) 之分析与商规 (Commercial Grade) 温度规范误差范围分析：
差分电流检测法共需要N个电流检测运算放大器，将所有电压信号VCX转换成电流信号。由于晶圆制程的漂移特性，每个电流检测运算放大器之特性参数可能会有些不同，例如输入偏移电压，输入偏压电流...等。电流检测运算放大器的偏移电压会造成控制器无法正确检测电流值，且会将电压调节在错误的准位上，从而降低了输出电压和电流回报的准确性。为避免此现象，在IC内部，设计了一个能在IC启动过程期间自校准的电路。由于差分电流检测法需要校准N个电流检测运算放大器，所以在相同的 IC 晶粒尺寸下，很难增加校准的精确度。因此，差分电流检测法，可能会有较大的偏移电压，因此就需要较窄的误差范围才能解决此问题。
( B! |; F& L% C0 O然而，在总和电流检测架构，在总电流信号的路径上，仅需一个电流检测运算放大器。因为只有一个运算放大器需要校准，在相同的IC晶粒尺寸下，它的自校准的精确度就可以增加，因此也可降低运算放大器的偏移电压。在总和电流架构中，每相位的电流信号仅用于每相位的电流平衡和过流保护，并没有直接用于决定输出电压准位的设定。因此，每相位的电流检测运算放大器的误差范围可以较松一点，而每相位的电流检测运算放大器之间轻微的不匹配是可以接受的。
% v1 Y0 R- \/ }. o# r商规温度规范：
由于总和电流检测架构的自校准精确度较高，能大为减低运算放大器的输入偏移电压，因此，可操作的温度范围可以较宽；也因此，总和电流检测架构较易通过商规温度规范。
" u. Y9 R7 J7 h2 p  ?8 A( k9 |表一、差分和总和电流检测架构的比较

	差分电流检测架构 ( t( P' N0 ^- r. B	总和电流检测架构
IC接脚数 5 F. b; F5 o7 _- b: i' [* H	相位数 < 3时，较佳	相位数 > 3时，较佳
总和电流精确度		较佳 , x9 d3 d. @- D6 a
每相位电流的精确度	较佳 , E, o! N0 i6 V  ?	3 L; j/ j( x: h& O' ^' |
抗PCBESR和PCBESL引起的电压尖锋脉冲噪声之免疫能力	较佳 : J# `( X& {4 T7 z0 P  d: C$ ~7 u, i	: b& c! V5 x& H1 E+ f
PCB布局复杂度	简单	复杂
不受晶圆制程漂移的影响	7 U7 `, L- j3 A; j4 z	较佳
误差范围和商规温度规范 4 g8 n9 @) _+ m8 f1 \% v/ T	; F  o. P. j" ^* d1 y+ ~& ?	易通过 3 C  l8 [! L3 ]* V

helendcany

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