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MM5Z5V1ST1G规格参数介绍
/ K7 X5 Q! D1 G) K4 o- d" d) n1 X4 F3 ~( o2 |
规格参数
: G9 F3 M9 `! G u制造商：ON Semiconductor : o4 y6 o5 s+ N: W, V$ W
系列：- , {, X4 x( E6 [5 y1 f
包装 ：剪切带（CT）
) E0 s7 s7 Q7 M* O电压 - 齐纳（标称值）（Vz）：5.1V ( j1 g) [# ^+ y0 o' Q( m
容差：±2%
1 v# }" O* x( Y# j5 F* @) N C; `3 u功率 - 最大值：500mW x$ V6 ?8 i6 E. v# y
阻抗（最大值）（Zzt）：60 Ohms
' `1 S2 i+ s( x! k# \不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：2μA @ 2V
% Z5 x/ q& p+ q7 m6 t不同 If 时的电压 - 正向（Vf：900mV @ 10mA 7 v, N8 f$ y- w7 `
工作温度：-65°C ~ 150°C
9 `3 r- w) R" H: x8 G安装类型：表面贴装
1 w/ J$ ~& X8 o6 O0 `5 L封装/外壳：SC-79，SOD-523
b7 w- e% C2 X& ?供应商器件封装：SOD-523 4 _# i9 n# A5 t( ?
基本零件编号：MM5Z5V1
8 w! j& ]0 b& F: d9 m( m
* J5 l+ o7 |& a8 q4 Z- {8 u1 j8 } 该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间非常宝贵的情况下尤其具有吸引力。它们非常适用于手机，手提便携式设备和高密度PC板等应用。
9 I5 k/ l0 d& v3 N* |. V! C
9 g B% V$ W2 D% e- B/ S/ i规格特征3 C2 r3 D( B6 n* z
标准齐纳击穿电压范围-2.4V至18V6 e# u4 o+ c) e# u
稳态功率等级为200 mw4 y5 ]/ C. G/ |8 ]9 q0 V$ G
小体外形尺寸：0.047×0032（1.20mm×0.80mm）
0 ?5 j2 c8 w& R/ |3 [, I2 H低车身高度：0.028（0.7 mm）9 R. b6 E: j: ?# p' W+ S
每个人体模型的3级（> 16 kV）ESD等级# [% ] I4 {' j: t( ^1 T9 C' j
紧ToleranggV
& j: U6 H; t7 X2 s: B9 vAEC-Q101合格且PPAP能力
5 K, d' f1 b* R8 Z+ u I用于汽车和其他应用的SZ前缀需要独特的, D$ M/ |3 q, ^+ Z7 g; W+ n
站点和控制变更要求
$ e! E1 x& r& W0 w这些是无铅设备( M7 z0 O, m& v
0 m7 Z* g7 ?$ w' H N. V, kMM5Z5V1ST1G机械特性
9 @9 {- F r; [* y/ K( K' x# {. O表壳：无空隙，传递模塑，热固性塑料: }0 O- |: i' e* h. W
环氧树脂符合UL 94，V-05 r3 t' Y7 u0 G. z2 M
LEED FINISH：100％哑光锡（锡）
* f3 ]$ f) e) t4 Z安装部分：任何
1 L9 G$ l! s( Y* o& K0 T合格的最高回流温度：260℃
. c- S. u' o( A设备符合MSL 1要求
1 E# K# I0 l& A6 d1 a" p& g0 T. z9 Y
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发表于 2019-5-31 14:09
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