四个关键点助你提升反激电源轻载效率

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四个关键点助你提升反激电源轻载效率

9 K2 }" Y3 b3 ~" ]2 I在这个科技飞速发展的时代，人们对科技产品的自动化和网络化需求越来越强烈。因此就要求科技产品拥有待机功能作为支持，但是即便是在待机模式之下，还依旧是消耗能源的，这就造成了一定程度上的能源浪费。所以当务之急，是寻找一种提高工作效率和轻载能效，但又降低功耗的方法。

) q! o4 n/ s0 \; Z4 @; w本篇文章将以反激式开关电源为例，通过几个方面来提升轻载效率和降低待机功耗。

表1 轻载能耗标准

1、开关MOSFET的损耗通常可以分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的主要损耗。在轻载和空载情况下，原边电流的峰值和有效值都会明显降低，这时候的开关损耗是主导因素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的关系。因此，减少MOSFET在轻载和空载时的损耗，可以通过使用QRC 模式的反激芯片和具有降频、间歇工作方式的芯片来实现;

' H; Q! x3 x) a, B* G1 v2、使用具有HV启动功能的芯片，这样可以避免启动电阻产生的损耗。另外，要选择合适的X电容泄放电阻;
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3、对反馈线路的优化。选择CTR高的光耦、低工作电流的基准431以及较大的输出电压取样电阻都可以一定程度的降低待机功耗。当然，同时也要考虑到对Dynamic的影响;
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4、对吸收线路的优化。传统的RCD嵌位线路会造成比较大的损耗，相对而言，使用TVS嵌位也可以提升轻载能效和待机功耗;
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2 i: D) r8 j! g5 x- H( G4 j此外，使用ZFB比较大的芯片，以及优化变压器的设计也会起到一定的积极作用。

相信有些技术基础的朋友已经看出来了，想要在反激式开关电源当中降低待机功耗并提高轻载能效，就需要对反激拓扑线路进行细致的分析。揪出每一个产生损耗的源头，逐一进行分析。并从中总结出经验和知识，不断丰富自身的设计知识。
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