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从HSPICE代码修改的PSPICE忆阻器仿真的一个简单实验

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发表于 2019-5-9 18:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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网上Pspice的教程不少,可是数量多也真心让我头疼,总结了今天一下午弄的成果,希望后人不要再走弯路。- m+ m$ l* v  p' Q8 v+ b- A  P

5 a( I% q" g/ N5 _. d*****本实验原始HSPICE代码取自Yide Zhang(张以德),本实验代码为张先生代码修改所得,特此致谢张先生,转载请保留此行。*****
0 s# d3 ^4 }, ^* B( f' I5 a. {+ \9 ]0 i9 H" U
本实验使用PSPICE 10.5.0。
# n' p1 U* g* C; f* r) n# Y9 W+ O. D( j2 g) T# M/ b
通过定义子电路memristor.subckt,并调用子电路进行忆阻器仿真。
$ i) R% J1 N9 x8 e' J" O/ g8 i: n7 s: t; ~/ J3 N, K! V6 B- y
最终实现了忆阻器的滞回效应。
/ A& w  R0 J9 X) u$ W4 [4 t: y. a8 f! e" Q+ j* Q8 Q+ M
首先需要定义忆阻器子电路memristor.subckt/ N0 U0 o$ @. G# d9 [" k

# w8 V5 d( ?9 }4 U8 U" p6 |0 [& ]+ V6 o6 o" R7 ?
<span style="font-size:18px;">*Single Memristor Property
& W+ X) X1 ]9 e7 b7 i) d+ M' O- I4 W8 _6 \* `) j
.SUBCKT memristor plus minus# [. P/ `) H( ~) U# x9 h% O
.PARAM # Z! j: N/ W! d' H! C# l
+Ron=1MEG Roff=50MEG Rinit=44MEG % V: ^3 r1 q1 N4 z5 w. B
+D=10N uv=1e-14 p=1 7 J, Z. V: U3 q  w; ~3 P
.FUNC f(x) {1-pwr(2*x-1,2*p)}' }4 L' T+ r" u) D- R

( M( S& o1 R- e0 m( d- v4 KEmem plus aux value={-I(Emem)*V(x)*(Roff-Ron)}- K* Z6 v( j- R4 {$ S
Gx 0 x value={I(Emem)*uv*Ron/pwr(D,2)*f(V(x))}
  t4 v" m; \# g7 s) ]+ x: x  r9 Y' dCx x 0 1 IC={(Roff-Rinit)/(Roff-Ron)}6 I9 o- I! L* g$ Q' v
Raux x 0 1T
1 _* I" W6 s9 }% d% X" aRoff aux minus {Roff}' v- q# t* n1 H* v1 R
; ?" D. e; E1 X7 H  S
.ENDS memristor6 G$ Y& C8 _6 t9 x
</span>' h! `* b. _" E0 y( ]
2 W# x6 c! D9 F. ]. m$ L; q, I
以上语句的具体说明此处不再赘述,可以查看PSPICE官方的语法书。
( ?! _; @) `9 L; R. f" J需要注意的是hspice和pspice的幂函数不一样,pspice是pwr,hspice是pow;
! F- {) R. k, m8 e& U" u0 P" g6 F
. Z5 C7 U  U# X/ }. O另外pspice使用{}而hspice使用''来限定表达式,特别注意的是param里的常量表达式也必须加{};
3 R8 g6 R7 t3 x3 k$ b1 }% b: W* J& w& h' d: s  N- i
随后定义仿真文件sim.cir。
+ _' E1 C1 F# R  x! |8 _( R
/ m1 t& y: F2 R0 @3 N/ P6 |8 f$ C<span style="font-size:18px;">*Memristor simulation" s. N0 H/ q3 ~) [, Y  c+ `: P

% j! u) }% N, Q, B.INC memristor.subckt- {( w8 g- e/ u1 a! X0 ^
7 o4 d' H; ]8 H: K0 M
XMEM 2 0 memristor
8 x8 \; |5 Y0 u, {Vtemp 1 2 0
7 E) i9 F  l" m. X1 sVapp 1 0 SIN(0 3.5 1 0 0 180)
% p/ n% r1 m' E( T. U' Q.TRAN 0.1M 10 uic + g* t& F4 f$ u1 B- J$ B. F$ v2 A4 R
.Probe  G* W7 q* {5 T7 N0 J
.END</span>
# i, i; }/ a: m' i! q$ v  l
& Q% O6 Z1 T# w8 F6 L( l& D+ oVtemp可以看做是一段导线。
& j% {# L* A/ y最后点击Simulation->Run。# v3 r% j. x" A) j" F

7 ~+ ^! }- ]1 u- }可以得到结果' g+ \, R0 @$ f+ f7 d( {- d
# O3 M% d, v, \: M+ g
这与忆阻器的滞回效应基本一致。
/ c2 @! a9 M7 I4 B) w% j. z' s. ^2 r

0 H) f9 ?: D/ u; H5 K
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