Pspice——可控硅的控制

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一、Schematic

9 w8 J1 t5 \5 V

器件信息：
, z6 W  ]: Y& T$ D6 Q5 ^器件                    模型                       库
信号源                 V4、V5                   Vdc/ SOURCE
开关                    U1                          Sw_tOpen/ ANL_MISC
& B4 s6 T; d3 B+ r1 a; x可控硅                 X1                          MCR1906-6/ THYRISTR
电阻                    R1                          R/ ANALOG
, u, Y) ]- g; q7 E- N- @3 C/ f可变电阻             R3                           R_var/ ANALOG
GND                    0  
激励源说明：
$ \2 _2 C; q! N; r! L: H3 KVdc：直流电压
开关说明：
( s$ _% m3 _. ?0 ?" U9 Q8 N1 v; RTopen：open的时间点，也就是初始闭合的时间。
Ttran：从close到open的过渡时间，也就是transition的意思。
开关还可以设置闭合和断开时的电阻值。
二、仿真结果
1、R3 set=0.01，即1K Ohm

& {" ]( Y" G" g可以看到，一开始开关闭合的时候，可控硅导通，电阻R1左端电压为0.7V左右（即可控硅导通压降），后续即使开关断开，可控硅仍可依据可控硅中导通的电流而保持导通，这与三极管或是MOS做导通开关是不一样的。
. \6 K( N7 s8 V2 B2、R3 set=0.1，即10K Ohm
7 w6 p0 d2 T2 o9 y5 I  Q2 M5 `此时，开关闭合时可控硅就无法导通，原因是因为R3太大，使得可控硅控制端G提供的电流小于门极触发电流Igt（1mA），R3至多4K左右。
' n& j; l7 b5 s5 D
* d; u( O  \& S# T" f
" F0 h2 r8 i6 S/ x

helendcany

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john2008liu

欣赏分享。谢谢。