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在运行于Windows环境下的Pspice中,均采用图形方式描述需要仿真的电路。即在PSPICE提供的绘图编辑器中,画出电路图,并将其存为扩展名为sch的图形文件(计算机自动生成扩展名)。电路中用到的元器件、电源和信号源可从PSPICE提供的库中直接调用。
4 {0 \+ s) O4 j/ F 一个完整的电路,不仅包括电路的结构,而且还包含各元器件、信号源及电源的有关参数。电路的结构可以通过元器件符号以及它们之间的连线来描述;而参数则是在元件属性(Attributes)中描述的。描述一个元器件通常包括元器件符号名称、元器件在电路中的标号、元器件参数值等几部分内容。由于有源器件的参数较多,它们不直接在属性中给出,而是用专门的模型(Model)来描述,属性中只给出它的模型名称。仿真时,PSPICE从模型库中调出该元器件的参数值进行仿真。下面对电路元件的描述作进一步的介绍。
( y. E7 L' E0 L8 N' x7 @- E* P0 j# r4 ]$ D7 }" w1 l0 t" @
1. 电阻、电容和电感
; T" |% g3 p1 } 在符号库(*.slb)中分别用关键字R、C和L来标识电阻、电容和电感元件(PSPICE中的元器件关键字见表1.3.1所示)。在电路中以关键字开头,后跟长度不超过8个字符的字母或数字作为它们的标号。例如,R2、Ce、L5。它们的参数在元件属性的value项中定义。例如,value=10k。另外,在IC项中还可以设置电容的初始电压和电感的初始电流。R、C和L是不带模型的元件,因此,在做统计分析时必须将它们换成具有模型的元件,如Rbreak、Cbreak和Lbreak分别是带模型的电阻、电容和电感元件。
0 f9 X( V1 I6 s9 M- u( I0 L' e6 }5 |/ u1 x5 H' L; D( m+ s
2. 有源器件
' s) D0 {9 A+ V 有源器件在符号库中的名称(NAME)通常以关键字开头,后跟长度不超过8个字符的字母或数字命名,如Q2N2222表示一种NPN型BJT。74系列的数字集成电路芯片以它们的型号作为元器件名称。
- M- d7 e# ~4 S: s
" ]* G9 \$ T8 \2 _ 有源器件的参数均在它们的模型中描述。在PSPICE中是按器件类型(DEVICE-TYPE)来建立模型的,这些类型如表1.3.1所示。同一类型的器件有相同的模型结构,只是具体参数值有所不同。例如,Q2N2222和Q2N3904均属NPN型BJT。4 J& D5 w5 k1 h' o8 }* J
' f# q) |7 ]: \ 在模型库中,有源器件的模型名称(MODELNAME)与符号库中器件名称的命名方法类似。符号库(扩展名为slb的磁盘文件)与模型库(扩展名为lib的磁盘文件)是通过模型名称建立联系的。例如,Q2N2222、Q2N2222-X。6 m* i6 d! N/ H/ k
* b5 v% H7 w3 L5 ?: e0 y& |) k 电路仿真的精度主要由元器件所选用的模型和模型参数来决定。PSPICE中选用了较精确的模型,其模型参数也很多,在多数情况下,可以忽略其中许多参数。PSPICE在分析时使用这些参数的缺省值(default value 计算机自动给出的值,也称为默认值)。表1.3.2中给出了几种器件常用的模型参数。
- `) H. B$ U0 Y J# [
. A" u$ {, c" { O3. 信号源及电源
! P4 B, [) Q k. g: O, w' J ?7 y 在电路描述中,信号源和电源是必不可少的。实际上电源可以看作是一种特殊的信号源。在PSPICE中,信号源被分为两类:独立源和受控源。表1.3.3给出了几种主要独立源。在类型名前加V表示电压源,加I表示电流源。受控源共分为四类如表1.3.4所示,它们可用来描述等效电路。 + U" ?' ^$ w& J! E) ]7 Q' m
4 s8 `* r- W4 D$ E
信号源的参数可在其属性中定义。例如,脉冲源的初始电压V1、脉冲电压V2、延迟时间TD、上升时间TR、下降时间TF、脉冲宽度PW、周期PER等,均可在其属性窗中赋值。
v2 k! I0 M! K# T& q' y! ^8 G' f
* F X6 B$ @& e% G# \+ {6 ?* @; w表1.3.1; a; p/ I1 d! ~) J* f; j& E' g
. S9 S2 r7 z) O3 V5 N
序号 ; K) W3 M. F( W5 T4 f% d
类型名称
( X. m' ^7 B s9 `4 e& f描述关键词 , Q; N( s- s1 p7 U J1 P4 p0 ^7 t6 n
元器件类型
; i8 }9 b, e; ?6 m' M( |+ U1 O% M6 w2 T) A, t8 N6 X0 O/ L
18 e) O- q0 c0 g7 p
RES
" A' p, w: ^, i/ Y* |* X; BR
( {1 Y( B' T' n9 ]# u电阻器
6 [& W, Q1 N: N* m$ [
: X) m8 \/ ]! `2# J% R0 {$ |! A( B Z+ P. U, W: D" H
CAP
; B2 \) |7 [ L# WC
/ f" ~2 f- | l8 E2 c电容器
) m! A$ r J# C, L4 p7 V( ^4 g: G' H: c3 S7 L7 Z0 v
3. Z: F$ B# Q; n2 ]$ Z0 M
IND
0 j/ U0 U! w" D* z" I) ^1 s) o* ZL
0 X5 ]& e; m; y8 L! G; }- ]6 }电感器
+ x' Q; i* ~' {. t& p- {, g% M+ c9 l7 P; z- G. M
4; P6 I1 R0 y# u* X: o
D& Z! o+ z6 g9 {' B0 ]
D. g( ^0 k# u7 v9 J! o
二极管
7 q6 `5 m2 S7 ^5 @0 X) R2 {2 d" a: }- @* m, m4 M
5
, q) M" p. J) t. u: {) D9 ONPN3 l2 W! `7 Y2 Z( T- Q3 v1 d
Q
! D' f# s" Y; i0 Onpn BJT三极管
. j( ^& i7 T5 y* C
0 w3 i) q, z& g) m: `6- }; T8 p1 l0 T
PNP0 o& k5 `. o) }+ w* _/ R
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, h0 t& ~1 D; n4 a# xpnp BJT三极管8 W' @) v, E8 z3 ^6 b# x8 S
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! Y5 x1 j) z% S# [7 x5 B; @LPNP! ]6 F" A* z* U: W
Q, ~& A# u) ]+ r' \7 ]/ Y! T
横向pnp BJT三极管
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8
. h4 b8 w9 T6 R) X9 J& N1 c) i9 ?* INJF5 W/ c4 \) I6 h/ G2 e
J/ j0 y `# h+ k' ?& A' `; T' Y
N沟道JFET
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PJF
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NMOS
% V# g2 ~ D4 x+ q! KM
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9 p/ T7 q/ \* b' t& dPMOS
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GASFET
J2 a* L" Y1 j; F% n% sB
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, {; }1 q/ |- H% F) @4 fCORE
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非线性磁芯(变压器) M, ?5 i3 s( a. I, R- {. k
. {- B3 A5 ?0 N$ b5 ]
14# V6 |6 k4 x& H
VSWITCH4 `+ Z" J Y R2 w/ G7 j' t a
S$ i' v5 H8 V+ \2 @: t
电压控制开关% Y7 @# D s) y$ n5 {
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ISWITCH
! h' k3 T/ F/ l$ N3 gW/ O0 c& k. n9 M7 I9 Y
电流控制开关
% r; H5 Y! n9 s9 G% S \% @ n4 I5 q2 r5 E! F) p. v
16# n5 ]" r. n( ~
DINPUT
8 b3 ^/ `, k: H# p& Z" _N
" O+ k- F! F: G+ L数字输入器件
; v2 n& n0 i1 c F3 C* f
" L+ e" ^. o8 U2 ~' d17+ @" b R% N, G( B ]
DOUTPUT
" a2 e T! F. l+ g* H! KO+ j' v# k9 \7 U; v- Y
数字输出器件! O: @* |5 T9 S: r
# O5 m# l4 ?1 a/ d) \6 c7 r18' @2 g& [1 M' P: J
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数字输入输出模型5 T! ?( K1 V( x3 [
# f7 Y' v* A1 D* `4 v! `8 _1 U, e, {; t
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8 ^' @5 m5 A0 } W! ^1 P- G ZUGATE6 V; W( L) }" A z
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标准门
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边沿触发器5 t6 {* m1 K1 x1 L( I4 B8 z* Q
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229 M- S: k2 E! h2 W
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门触发器* @9 [3 [- u! U1 j0 i. v
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23. d, ~2 P) x/ ~1 G/ H
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+ ? s/ i& m2 U- `! S6 x7 }, bU
6 A/ D$ z9 ^5 S7 ~0 a4 o4 F脉宽校验器
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& C5 f2 H# e- t% \7 w, |0 N复位和保持校验器4 p) b; W2 }: v0 y! C/ W, Y! D
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250 ]. r' L4 p/ V5 G3 j
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数字延迟线 ' Z: R- j3 C4 J- K" Y6 Z8 {
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