AO4840L详细介绍

Cinderella0922

AO4840L详细介绍

一般说明
1 s0 L$ `, `' x) i. P% V       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。
  G$ y; C5 ~+ V( Z
* E: K: _0 d7 N$ {/ u+ T1 T% N# e  y特征
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
# u* `1 x. E. K# E: a) s- ~RDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）

# W" `, F1 E- V" S* M3 S详情介绍：
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
) y& U/ |# U3 C7 j5 D; t: q湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
  y; j( [- q+ }制造商标准提前期：16 周
系列：-
7 H, D; _* N1 I: Y' w, V9 N包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
FET类型：2个N沟道（双）
" c( f4 v' ~; X. wFET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
1 w7 M7 [  |- _5 X电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
( W. o$ v  |1 w' U- u$ D不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
* [( x- y; ^: ]" u: \  V% y8 A功率（最大值）：2W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装(SMT)
2 c3 ?/ ^( W- Y9 B封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC
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