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AO4840L详细介绍
! A# e" Q9 z. R9 z/ i& d4 F. |8 }9 t/ h$ J1 u; x: ]: P
一般说明5 R# y( `3 V) |
AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。
% g4 ~$ r% S( `1 D# U" F; m; M8 p4 i0 H1 a
特征0 L( K N: w7 p2 q$ {
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）; V* X |$ x! W3 x8 ]
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）2 ^9 v' N$ G: w1 Q7 p$ \7 E9 l
RDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）" [( t J# k) X; O
J" m' Z: H+ U: J8 G' Z) u2 u
详情介绍：
& l) t7 Q# d8 V8 S- t( G: e* }对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 U2 L3 {% I& K# E湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）% Y8 M. u: N) Z: t, K# T7 @
制造商标准提前期：16 周
9 Y0 B2 _ `+ |系列：-7 D8 ]% S, |/ K3 C' Q% w! V/ {
包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
' |. g* V$ H3 H8 m9 e" b- LFET类型：2个N沟道（双）
# r! V+ ^9 k# H3 c; @1 ?FET功能：逻辑电平门
+ `7 N6 C8 e3 s& k! V" c漏源极电压（Vdss）：40V
( f6 d# ~- k( L' ^& m( b电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A& Z0 X; h, f, f7 ]& o, O) \$ ~
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V0 p9 T# }$ o; ]: V# c' F" z
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
" s4 ~" |8 {! ^$ \& g. e不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V/ C( ?, }: C' ~9 U8 d5 k
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
) r/ {. g/ @$ K8 b: {- R" E4 C功率（最大值）：2W3 D. }8 l6 ]3 I o% X! u' x
工作温度：-55°C~150°C（TJ）* z5 i7 C7 U3 ]- F% s% o, s
安装类型：表面贴装(SMT)% ~- a8 E$ ^$ l d
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）7 ~ K- B8 Z( l$ P" @0 Z- A; s- U
供应商器件封装：8-SOIC
9 {. |2 T- K$ L# ~: Y2 [9 \' U# k8 |
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发表于 2019-4-3 15:27
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