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AO4840L详细介绍- H" w2 o3 [9 Z, I k
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一般说明* {% m$ e" Y; F3 Z. p$ D8 F( F
AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。
' _& [* S9 j0 q+ n7 Z7 E( V9 y N: Q3 N3 i/ X& F' y
特征7 }4 ^2 ~2 S( w9 e' x2 g' l9 Y
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）' ]$ E. C; b* x* o" g2 ?
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
. W* M5 A1 }. X. c P) l. `% k. x3 yRDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）4 _/ K1 _ q$ s* s3 w7 I* F) T
0 U ^) s+ i/ T$ K, w0 |详情介绍：
n- j3 ?8 q, F8 K1 o: N) Q对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求# u$ m9 R2 D( q1 g p y! E
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
3 b- ]" R* _" _3 v0 K' ~! O! n1 \制造商标准提前期：16 周# Q# P9 I+ }4 N* n! @0 t
系列：-
/ k" S- s- H' R; j2 S. S: K包装：剪切带（CT） ,带卷（TR） 3 y- P7 y6 b$ b2 O( J/ b
FET类型：2个N沟道（双）& U- o) M* \- E( ?. @: t, L
FET功能：逻辑电平门7 e: a* F- }; ?. x. p; }1 K5 O5 y7 [
漏源极电压（Vdss）：40V
' b% Z7 d( r: k/ J5 x( @ R电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
( X4 o( }" R1 W) Y$ P不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
/ Y/ W9 ?8 t/ A0 K2 J& K不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA1 F1 c6 A6 n! y$ |* R. x I
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
) m; |0 f0 b2 X, s不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V" p: j% q8 x; u8 o$ a. a7 y
功率（最大值）：2W
# x i; N7 `. n* T; w工作温度：-55°C~150°C（TJ）
# |' c; m& _; g8 }" v安装类型：表面贴装(SMT)
9 k2 m" U8 j. G8 ^# c4 R/ f5 Y封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）' j# g+ [" H+ P$ N% ~2 L, H
供应商器件封装：8-SOIC
5 }/ K* ?7 r6 @# q$ e
) A& ~9 Q4 v; ?# x |
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发表于 2019-4-3 15:27
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