电路分析

YJ0911 · 发表于 2019-3-29 14:19

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求大神分析图片中红色框内电路，谢谢

niuth · 发表于 2019-3-30 21:17

实际上Q6、D4、D8也可以不用，只用Q5也可以。但考虑到输入电压比较高，PMOS管能够可靠工作在线性区，VGS需要接近-10V左右（也就是Q43的3与1的压差），剩下的压差由R34和Q5的C-E来承担。在没有Q6时，流过R34的电流是流过稳压管Z04的电流，电流值稍微小了点，使R34承担的电压不太大，剩下的电压全由Q5去承担，造成Q5的VCE过高，促使该器件工作于放大状态，器件的耗散功率会较高，如无散热措施会造成器件很快失效。增加了Q6电路后，会提高流过R34的电流，使电阻两端电压提高，这样就会使Q6、Q5两个器件的VCE降低，从而降低耗散功率，温度也就没那么高了。这个电路原理不难，难点是体现在如何调配各器件所需承担的功耗，使器件尽可能在不增加额外散热措施的情况下稳定工作。

niuth · 发表于 2019-3-30 09:13

本帖最后由 niuth 于 2019-3-30 11:56 编辑

按我的理解，该部分功能应是这样的：正常情况Q5导通，Q3截止，Q43的VGS在Q5作用下为低电压，使PMOS管导通。当输入过压时，Q3导通并控制Q5的基极电流，使Q5的集电极电压升高，逐渐关闭PMOS管。Q6为辅助电源，其C-E之间承担一定的压降，使Q5能够工作在饱和区，降低功耗。

hyz12888 · 发表于 2019-3-30 09:21

YJ0911 · 发表于 2019-3-30 15:52

niuth 发表于 2019-3-30 09:13
; {# @& L4 h" n5 e1 L2 g# M按我的理解，该部分功能应是这样的：正常情况Q5导通，Q3截止，Q43的VGS在Q5作用下为低电压，使PMOS管导通。 ...

非常感谢，还有一点想请教一下，下图比较难弄明白，还需麻烦您讲解，谢谢

lize314 · 发表于 2019-4-1 08:20

学习学习，如果只是过压保护一个稳压管和三极管就够了.

YJ0911 · 发表于 2019-4-1 10:28

niuth 发表于 2019-3-30 21:174 z5 @" @* G- E
实际上Q6、D4、D8也可以不用，只用Q5也可以。但考虑到输入电压比较高，PMOS管能够可靠工作在线性区，VGS需 ...

谢谢

辉辉辉辉 · 发表于 2019-4-2 08:57

学习一下

linchichi · 发表于 2019-4-3 11:31

學習下

APP_338284 · 发表于 2019-4-13 18:37

您好用什么软件仿真的？

YJ0911 · 发表于 2019-4-16 12:57

APP_338284 发表于 2019-4-13 18:371 _, {8 d% e+ v+ u1 T0 F
您好用什么软件仿真的？

我都不会仿真，你用什么软件仿真，求教

style19 · 发表于 2019-5-28 16:47

YJ0911 发表于 2019-4-1 10:28* g( \2 j$ a$ {* `2 G& i- b
谢谢

學習了，感謝

anguchou · 发表于 2019-7-13 22:22

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