关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序

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关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序

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' [# k0 q& L8 ]' {7 _4 i. a因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、 int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct,
! y9 C3 B7 t/ m4 U3 ?因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。
在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示

        struct         e2prom_data
- W, E* t8 X6 {5 X; f2 S        {
) {( r% h8 ]0 d; O$ J        char TEM_compensate;
        unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1
+ d' ~9 m6 L; F5 b- f% d5 n5 R; t3 T9 L        unsigned char sterilization_time_min[10];
        unsigned char exhaust_times;
9 E# }' b" @! N. V        unsigned char prebalance_time_min;
        };

+ m9 u2 I' f% U$ z0 v! {$ a* Nunion sector
{
        struct e2prom_data sterlization_data;
9 O" s8 @( ^& R; {/ s        unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];
; n- I$ Y; w1 b# X4 J} e2prom;


9 ~  Q. e+ z( F, @# v   联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。
而要读取数据的时候可以通过下面的  void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。
效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。

3 e# V6 O! m& v! y* Y; u5 C" \
void read_sector(char secn)
{
! I& R# P5 X! i" |7 Q' v/ D! w1 f          int i;
3 z# O0 w+ P# A+ H- ]7 F$ [( [- L        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;
        for(i=0;i< sizeof(struct        e2prom_data);i++)
        {
        e2prom.storage=Byte_Read( i+ E2prom_sector_start_addr);
9 S: C6 U4 U. N0 i        }
          IAP_Disable();
}

3 a: G% Z# x- A( \! k
5 Z! @" W/ t* D8 gvoid write_sector(char secn)
3 `' p/ ^+ b  ]/ \3 p# T/ \9 i0 }{
; x  S7 J' J6 Q7 w1 ]8 g        
! p8 \; S5 a, d' z" y        int i;
6 `$ ^# ^! C8 |* ~! [" a  t        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;


4 F% C4 Z# i3 k3 n/ _; t+ N        Sector_Erase(E2prom_sector_start_addr);
        for(i=0;i< sizeof( struct         e2prom_data );i++)
. h7 p  M6 y& _1 |8 N2 U        {
" E. H) Y6 O; p& R6 n+ F        Byte_Program(i + E2prom_sector_start_addr, e2prom.storage);
+ D2 i  O6 J5 Q, N2 D- B        }
; O& G0 D2 V4 A, m1 @           IAP_Disable();
}

  Q. u6 m- K) m1 q/ w
% w* j& z  K, X1 J+ Y! r4 k唯一不足的地方是实际数据地址是固定的，如果常年累月读写次数多了的话，EEPROM还是有可能出问题的，下一步改进的地方就是通过实际一个虚拟存储空间来延长EEPROM寿命，
  t: B$ R1 {$ b0 r$ Y实际方案是比如一个扇区是1K字节，那么把1k分成256个单元，每个单元4个字节，扇区首单元保存扇区状态，剩余255个单元作为实际存储单元，而每个存储单元又分成2+2布局，前两字节保存实际数据，后两字节保存虚拟地址，1.写入时写入数据紧跟后面写入虚地址VirtAddVarTab(0<=i<NumbOfVar)
2.每个Page第一个地址写入该页状态(Earse,Reveice,Vild)
! D+ c* [4 k  {0 y8 ]4 V
相同地址再次写入时不会把上次写的擦掉，而是在模拟EEPROM区尾部未写过的地方再次写入数据、虚地址，
! L0 Y* ]* e* [$ V3、 读的时候是从尾部开始匹配地址，也就是读取最后一次写的内容。
2 J! g2 y6 c( x4、模拟EEPROM区分为2页，如果一页满了把这一页内地址不重复的数据复制到另一页后擦除，2页交替使用。

1 a0 O; [, K( x一个代码：
, L# b: p0 k  w4 J+ ]2 a) z% A1 d* N

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