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基于CMOS电路的IDDQ测试电路设计4 l/ Z$ b' v3 F! C( X [# U0 w5 r
引言 测试CMOS电路的方法有很多种，测试逻辑故障的一般方法是采用逻辑响应测试，即通常所说的功能测试。功能测试可诊断出逻辑错误，但不能检查出晶体管常开故障、晶体管常闭故障、晶体管栅氧化层短路，互连桥短路等物理缺陷引发的故障，这些缺陷并不会立即影响电路的逻辑功能，通常要在器件工作一段时间后才会影响其逻辑功能。 功能测试是基于逻辑电平的故障检测，通过测量原始输出的电压来确定逻辑电平，因此功能测试实际上是电压测试。电压测试对于检测固定型故障，特别是双极型工艺中的固定型故障是有效的，但对于检测CMOS工艺中的其他类型故障则显得有些不足，而这些故障类型在CMOS电路测试中却是常见的。对于较大规模电路，电压测试测试集的生成相当复杂且较长，需要大量的实验数据样本。 IDDQ测试是对功能测试的补充。通过测试静态电流IDDQ可检测出电路中的物理缺陷所引发的故障。 IDDQ测试还可以检测出那些尚未引起逻辑错误，但在电路初期会转换成逻辑错误的缺陷。本文所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测，通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否有物理缺陷。测试电路的核心是电流差分放大电路，其输出一个与被测电路IDDQ电流成正比的输出。测试电路串联在被测电路与地之间，以检测异常的IDDQ电流。
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发表于 2018-12-28 09:16
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