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开关电源关键器件的热设计

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发表于 2018-12-27 09:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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开关电源关键器件的热设计

* n% N: v2 K8 I4 G/ F+ Z* i' L
. z. q/ C! _3 ~* M6 E+ t( ^9 B电源模块发热问题会严重危害模块的可靠性,使产品的失效率将呈指数规律增加,电源模块发热严重怎么办?本文从模块的热设计角度出发,介绍各类低温升、高可靠性的电源设计及应用解决方案。' I# J$ C( R! I4 e& P1 v
% H. k! j& I% i" N
高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大,高温会导致电解电容的寿命降低、变压器漆包线的绝缘特性降低、晶体管损坏、材料热老化、低熔点焊缝开裂、焊点脱落、器件之间的机械应力增大等现象。有统计资料表明,电子元件温度每升高2℃,可靠性下降10%。& t. |% ^  y2 \5 H2 N* @
7 O8 f1 m3 z/ v3 d$ `
一、关键器件的损耗
6 K  V: x6 A5 k2 N' q
. }: B3 T) J9 \0 f  e* j4 z. n表 1是开关电源关键器件的热损耗根源,了解器件发热原因,为散热设计提供理论基础,能快速定位设计方案。0 J* r8 J; D6 E3 \

" v; _8 ~+ v$ `' l8 M% a% x- k表 1  主要元器件损耗根源$ c! d6 o- d4 m/ r! ^$ @* u

0 ~. h/ f+ l$ l4 d
; e3 i; J; K# ~: s- O: _1 ^
1 S- q7 A# o8 h- p, {! L/ z  F* T
二、开关电源热设计
# n* _0 b  U0 b. G
/ S4 p* A6 N/ K; |  ^* b' Y' v7 A从上表了解关键发热器件和发热的原因后,可以从以下两方面入手:
- |0 s4 r1 c* _) X% J7 D  N- s  O- K! U; m6 G: A; X2 U
1、从电路结构、器件上减少损耗。' ?. w4 B- h" G2 ~9 F5 k; H6 E, h2 x
& y  J. d3 `. z$ @& y9 a
如采用更优的控制方式和技术、高频软开关技术、移相控制技术、同步整流技术等,另外就是选用低功耗的器件,减少发热器件的数目,加大加粗印制线的宽度,提高电源的效率。
! G+ M: _1 W( ~4 @5 [+ k/ J" r; ]7 z1 M, g
a.方案选择优化热设计
7 o" K6 V7 z; t) x0 J; N+ ^4 w2 R" _% x4 v( _
图 1是同一个产品的热效果图,图 1 中的A图采用软驱动技术方案,图 1 中的B图采用直接驱动技术方案,输入输出条件一样,工作30分钟后测试两个产品的关键器件温度,如表 2所示, A图关键器件MOS的温度降幅是B图的32%,关键器件温度降低同时,提高了产品的可靠性,e所以采用高频软开关技术或者软驱动技术,能大幅度降低关键器件的表面温度。
, m4 h" j" L3 l. ?& E8 |1 M8 t7 \$ V% l% I" z; Q( B: c8 {( R
图 1  采用不同驱动方案后的热效果图
! p/ v3 ], B" W) x  _, t% S# Q' X& F* w! E& {' N

. Y$ d. ^( t, B7 V, u/ O- ?/ K/ N; ~. n% g
表 2  主要元器件损耗根源
: i" d7 ?- r3 G/ h- ^7 r" X* W  J# u
( z- G3 X( e) o. j9 i

& \1 c% P' C3 z) i% J: g$ zb.器件选择优化热设计5 l! V9 C' E. g2 d: F

$ `6 L' d3 N% A器件的选择不仅需要考虑电应力,还要考虑热应力,并留有一定降额余量。图2为一些元件降额曲线,随着表面温度增加,其额定功率会有所降低。
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& r+ E% M: c0 ]1 q1 Z, r$ m$ ~4 O
图2 降额曲线

* Y( a# v) W8 B3 v$ a1 f, Q. m/ C, H- G" P/ o) ~' f
元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异,DFN封装的MOS管比DPAK(TO252)封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下,温升会比较小。一般封装越大的电 阻,其额定功率也会越大,在同样的损耗的条件下,表面温升会比较小。 9 c. g" e; @7 h2 i9 D6 F8 r/ M

# G+ d- D. k8 t9 g7 L- C6 W2 F$ N有时电路参数和性能看似正常,但实际上隐藏很大的问题。如图3所示,某电路基本性能没有问题,但在常温下,用红外热成像仪一测, MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下,极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。通过调整电路参数,降低电阻的欧姆热损耗,且将电阻封装由0603改成0805,大大降低了表面温度。) c$ f' Z% |! ^  y( `

  ~4 }9 ?+ [+ x% z+ y* z

5 H! J' ]) L. D* Q! o, _! q# F! n
图3驱动电阻表面温度
- i9 b! S% H2 u' q5 A

2 n& ^; j+ ~+ i1 P; wc.PCB设计优化热设计1 u3 @, L4 p5 ~: ]  q2 s0 @$ M6 i

# `1 s: c$ d$ ]/ y6 ^! @0 x3 ^; |6 |. ^PCB的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、PCB层数都影响到模块散热。常用板材FR4(环氧树脂)是很好的导热材料,PCB上元器件的热量可以通过PCB散热。特殊应用情况下,也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。( O( C+ w  u4 ~6 r: U. [2 g6 I
/ W/ L0 m% S1 e9 ~- a
PCB的布局布线也要考虑到模块的散热:a).发热量大的元件要避免扎堆布局,尽量保持板面热量均匀分布;b).热敏感的元件尤其应该远离热量源;c).必要时采用多层PCB;d).功率元件背面敷铜平面散热,并用“热孔”将热量从PCB的一面传到另一面。) V7 I; y! R( K0 O' f" \7 N$ @. k9 ]

/ w% k: h% s9 w4 @2 @% D" L  \! m/ a
如图4所示,上面两图为没有采用此方法时,MOS管表面温度和背面PCB的温度;下面两图为采用“背面敷铜平面加热孔”方法后,MOS管表面温度和背面铜平面的温度,可以看出:
6 k5 R, ^0 h% X" \( ^, [$ R
- b4 d8 K; o# X4 d' d5 U" W# y  C. `: HMOS管表面温度由98.0℃降低了22.5℃;/ I# m" ^1 y) A, T' y
' X+ ]2 S2 Q. k* y$ f
MOS管与背面的铜平面的温差大大减小,热孔的传热性能良好。
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. Z& N8 M+ J2 f1 L$ _) T' a2 E
3 ^' |( a$ ]: H* P9 u$ f
图4 背面敷铜加热孔的散热效果

5 P/ ~! l, g  [: B* Q9 t: ^+ l) Z+ \* j* [9 N6 R  U& b
2、运用更有效的散热技术。
. X; s2 T- A; {! x! h( q- e5 Z. m+ B* K7 k1 P
利用传导、辐射、对流技术将热量转移,这包括采用散热器、风冷(自然对流和强迫风冷)、液冷(水、油)、热电致冷、热管等方法。
* G! O' E( W; W- ?, W( c2 h+ G) }. G9 J/ X7 _( }; x% n# I
热设计时,还须注意:
. \$ V0 u- H! b. o1 E3 _' s* ]0 R' h7 _4 S+ m! N  i) K5 _9 I$ X' r
a.对于宽压输入的电源模块,高压输入和低压输入的发热点和热量分布完全不同,需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估;
* e5 k" i1 K. I7 w; n" V
; j: ]+ ~) [$ l1 b/ l' I$ Fb.在灌封类电源模块中,灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。
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& f% w+ p% u# W( F; F除了上述提及的电源热设计技巧之外,还可以直接选用高性能的隔离DC-DC电源模块,可快速为系统提供高靠性的供电隔离解决方案。致远电子基于近二十年的电源设计经验积累,自主研发设计自主电源IC,打造全工况优选定压DC-DC电源P系列,满足所有工况需求,为用户提供稳定、优质的供电解决方案。致远电子自主电源IC相较于传统方案,内部集成短路保护、过温保护等保护功能,具备更高的集成度与可靠性,保证全工况高效、稳定供电,能够为用户I/O及通信隔离等应用提供标准、可靠的供电解决方案。
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