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开关电源关键器件的热设计 7 j- r( k' ~% ?) |+ Q0 M! K* p
4 W7 E2 h$ z) N( a电源模块发热问题会严重危害模块的可靠性,使产品的失效率将呈指数规律增加,电源模块发热严重怎么办?本文从模块的热设计角度出发,介绍各类低温升、高可靠性的电源设计及应用解决方案。3 z% m3 c$ p% r0 q1 l
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高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大,高温会导致电解电容的寿命降低、变压器漆包线的绝缘特性降低、晶体管损坏、材料热老化、低熔点焊缝开裂、焊点脱落、器件之间的机械应力增大等现象。有统计资料表明,电子元件温度每升高2℃,可靠性下降10%。( t+ G6 G+ e$ V" U! A
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一、关键器件的损耗
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表 1是开关电源关键器件的热损耗根源,了解器件发热原因,为散热设计提供理论基础,能快速定位设计方案。
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: f7 F* f. `1 K5 C2 m' x表 1 主要元器件损耗根源 V b+ M8 l5 L& ~( S y% }
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二、开关电源热设计
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0 z* V$ O' C$ @4 C从上表了解关键发热器件和发热的原因后,可以从以下两方面入手:
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1、从电路结构、器件上减少损耗。
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( X6 r% D! i; M: x4 Z6 c( k如采用更优的控制方式和技术、高频软开关技术、移相控制技术、同步整流技术等,另外就是选用低功耗的器件,减少发热器件的数目,加大加粗印制线的宽度,提高电源的效率。
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a.方案选择优化热设计5 i A# s5 n- L6 C0 r- O
6 y9 Q, s+ N) a* U( k1 q' ]/ `" D+ |图 1是同一个产品的热效果图,图 1 中的A图采用软驱动技术方案,图 1 中的B图采用直接驱动技术方案,输入输出条件一样,工作30分钟后测试两个产品的关键器件温度,如表 2所示, A图关键器件MOS的温度降幅是B图的32%,关键器件温度降低同时,提高了产品的可靠性,e所以采用高频软开关技术或者软驱动技术,能大幅度降低关键器件的表面温度。
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图 1 采用不同驱动方案后的热效果图; G; U1 A2 D1 {# @+ o/ }/ [6 A0 B
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1 }. O3 P7 s! y$ n" z& P表 2 主要元器件损耗根源
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C# D# i/ N" U- X6 t; [b.器件选择优化热设计; X! X# A, o: Y" c2 x7 K
* {( s' K# y! X# x+ o* ]器件的选择不仅需要考虑电应力,还要考虑热应力,并留有一定降额余量。图2为一些元件降额曲线,随着表面温度增加,其额定功率会有所降低。
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' ]2 n& Y3 t0 S9 x5 E, j图2 降额曲线 ! P; [/ E# ^7 H/ A8 l. f6 \
" x- C6 r, k/ o1 S' N元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异,DFN封装的MOS管比DPAK(TO252)封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下,温升会比较小。一般封装越大的电 阻,其额定功率也会越大,在同样的损耗的条件下,表面温升会比较小。 2 Y1 h; h* w; P3 p/ v j
0 |1 r r* m( l% W5 h+ ]& F有时电路参数和性能看似正常,但实际上隐藏很大的问题。如图3所示,某电路基本性能没有问题,但在常温下,用红外热成像仪一测, MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下,极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。通过调整电路参数,降低电阻的欧姆热损耗,且将电阻封装由0603改成0805,大大降低了表面温度。
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. X: R+ b) a8 X# s+ v# _2 L图3驱动电阻表面温度 . g* G- R, }! N
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c.PCB设计优化热设计3 Z q+ W5 m$ O; Z
3 G1 ^! Q0 R( ^. ZPCB的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、PCB层数都影响到模块散热。常用板材FR4(环氧树脂)是很好的导热材料,PCB上元器件的热量可以通过PCB散热。特殊应用情况下,也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。5 L1 m" s+ i4 j
1 _* f @; p; X. DPCB的布局布线也要考虑到模块的散热:a).发热量大的元件要避免扎堆布局,尽量保持板面热量均匀分布;b).热敏感的元件尤其应该远离热量源;c).必要时采用多层PCB;d).功率元件背面敷铜平面散热,并用“热孔”将热量从PCB的一面传到另一面。6 j7 U: z! S8 K
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5 L# N& |9 _, l如图4所示,上面两图为没有采用此方法时,MOS管表面温度和背面PCB的温度;下面两图为采用“背面敷铜平面加热孔”方法后,MOS管表面温度和背面铜平面的温度,可以看出:$ r2 S5 {9 R7 F" {; l( Y
1 b# E8 Q6 ~# UMOS管表面温度由98.0℃降低了22.5℃;
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K) z. V- `# ?6 i* ~7 IMOS管与背面的铜平面的温差大大减小,热孔的传热性能良好。, c |4 y* a$ d! q" a
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. I4 M) h6 b) s( M, J8 G" N9 ~图4 背面敷铜加热孔的散热效果
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2、运用更有效的散热技术。5 F* y6 @- E4 ]/ K; b. R1 r
4 R! ?( J% d" O3 Y% t5 |+ d利用传导、辐射、对流技术将热量转移,这包括采用散热器、风冷(自然对流和强迫风冷)、液冷(水、油)、热电致冷、热管等方法。
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热设计时,还须注意:6 R: ~3 W' C8 q* u5 _3 C! u
( W$ M) H. w1 k& j% L, `a.对于宽压输入的电源模块,高压输入和低压输入的发热点和热量分布完全不同,需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估;
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1 p# H- e; c& F/ n) Ib.在灌封类电源模块中,灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。
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除了上述提及的电源热设计技巧之外,还可以直接选用高性能的隔离DC-DC电源模块,可快速为系统提供高靠性的供电隔离解决方案。致远电子基于近二十年的电源设计经验积累,自主研发设计自主电源IC,打造全工况优选定压DC-DC电源P系列,满足所有工况需求,为用户提供稳定、优质的供电解决方案。致远电子自主电源IC相较于传统方案,内部集成短路保护、过温保护等保护功能,具备更高的集成度与可靠性,保证全工况高效、稳定供电,能够为用户I/O及通信隔离等应用提供标准、可靠的供电解决方案。
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