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电源和地分配网络的轨道塌陷噪声

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1#
发表于 2009-3-26 10:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。
; u% F7 }6 \9 R但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路径和低路径的阻抗尽量小吗?如果是的话怎么才能是这个阻抗尽量小?

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2#
 楼主| 发表于 2009-3-26 11:02 | 只看该作者
怎么没人回答呢???

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3#
发表于 2009-3-26 17:34 | 只看该作者
将电源平面和地平面靠近。这样可以使的电源与地之间的阻抗非常小。

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4#
 楼主| 发表于 2009-3-26 18:11 | 只看该作者
通常在layout的时候,电源平面和地平面就是挨着的啊!那靠近是什么意思?

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5#
发表于 2009-3-26 19:56 | 只看该作者
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。! k$ k- A/ g0 m) v- m
但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路 .... l/ }/ y( s! Z0 M, @1 _7 |2 ^
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00
  D6 [3 A8 v5 O- ?' n, x

) _, ^; o. u+ b  V) e" }& aappend decoupling capacitor

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6#
 楼主| 发表于 2009-3-26 20:42 | 只看该作者
[quote]( T' d0 j8 _) l% J% e
# W# n0 k+ P9 P$ [
append decoupling capacitor. S& A# M, @) h( B5 o
forevercgh 发表于 2009-3-26 19:56 [/quote什么意思?
$ z2 W) l( }  d7 \( v解释解释吧!]

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7#
发表于 2009-3-27 14:36 | 只看该作者
本帖最后由 Vincent.M 于 2009-3-27 14:40 编辑 9 V0 W% k6 r; V5 ?8 E
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。
+ r! @0 M# T1 Z& q8 i, M但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路 ...
2 t1 }) Z7 J8 G& deven_zhou 发表于 2009-3-26 10:00

+ n, U7 z0 y0 U2 E+ w这个问题不好回答,最好有实际经验,根据情况来逐个分析并提出解决方案,我的经验也很少,以下是我个人的总结!
- ]5 f9 Z5 b5 H增加旁路及去耦电容:
. D% s9 g$ D+ J+ v- y0 E1、不同等级的电容稳压:Bulk电容为存在大量慢充放电电压的区域稳压,小电容提供少量快充放电区域的稳压' l) s, F. u% f, W
2、不同电容值的去耦电容:低频去耦、低ESL的高频去耦电容。去耦电容要紧靠IC与电源层及地层的连接部位。9 n& t' C, S+ J5 p% P8 r
$ f" E! q( M/ ?: X( i
过孔:6 o# ~( v/ \! h/ H- ]
1、尽可能的少用过孔
! U6 ^2 u* v# {2 a1 k6 b! _2、如果必须用过孔,在过孔反焊盘不产生内电层开缝的情况下,过孔之间要紧挨着,以增加过孔间互感,从而减小电流回路总感抗7 d3 a4 q% Z6 z/ V

8 Z0 Q8 L4 T+ }1 W2 k: {电源和地层的分布:8 J4 f; R3 W: V7 D$ F7 @
1、以增加层间固有电容的原则设计层叠方案,即产生低频去耦作用
- s) x( r5 a: O7 |' C% t2、减小层间谐振阻抗:减小层间距、增大ER、增大介质损耗; N1 F$ z9 C. p, ?9 @2 h. \% f! E7 Q

2 p, U; I$ H; A* b6 \+ B& K# EIC:
& G! I. ]; _, g' v9 \/ K: ?1、选用低自感的ic封装
- a1 O' x9 N4 {# ]2、少用IC插座
7 O8 p. z0 |1 q4 A1 h3、选用多电源管脚的IC

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8#
发表于 2009-3-27 18:46 | 只看该作者
append decoupling capacitor. c+ @* K1 G  p$ w9 ]
forevercgh 发表于 2009-3-26 19:56 [/quote什么意思?) d# u" J+ e2 M8 c" o
解释解释吧!]0 F9 w1 ^* f( X; q' k% y) ~8 Q
even_zhou 发表于 2009-3-26 20:42

+ N2 d  e/ V. _4 ]$ P
8 R- ]9 G7 X  p( {$ a, Z3 ?
8 Z4 o& E6 R" i2 f9 p: @研究下电容的阻抗特性比较有帮助/ B/ i$ O" t* S9 K# @9 ~# S( `
一般的EMC教程都有讲到,如
3 {6 C0 A# a" T4 O3 F清华大学出版社 《电磁兼容原理及应用教程》第二版

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9#
发表于 2009-3-27 21:49 | 只看该作者
7# Vincent.M ; S* N4 F) g$ F$ b4 ~, k* o
1 ]/ j, x9 j  e; _& E
总结的很好。。。
, J$ P; T4 s" ^4 |5 w补充一点,少使用过孔不是绝对的。灵活的利用过孔的特性有时候可以减小电感。

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10#
 楼主| 发表于 2009-3-30 11:08 | 只看该作者
17413- z1 v" s% i/ E/ k' k6 j
: L0 o/ b6 C7 d9 o+ A
研究下电容的阻抗特性比较有帮助7 ~+ n4 V( h3 l! J* J+ L3 J
一般的EMC教程都有讲到,如
0 R- k$ a8 R7 d& K/ X清华大学出版社 《电磁兼容原理及应用教程》第二版% m- F9 `1 ~( \
forevercgh 发表于 2009-3-27 18:46
, G$ ~, l: x% S3 q+ a
你有这本书的PDF吗?有的话能传上来吗?/ o* P0 |5 z7 e2 a- e
谢谢

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11#
发表于 2009-3-30 19:37 | 只看该作者
自己搜索一下吧,可以在线阅读,但是下载不了的。

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12#
发表于 2012-1-11 11:19 | 只看该作者
学习了。。 我感觉还要把路径尽量做大来减小这个压降,还有过孔可以多打,。这样寄生电感会小的。

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13#
发表于 2012-5-28 18:36 | 只看该作者
vikingrex 发表于 2009-3-27 21:49
2 c2 t5 y& y$ w- c7# Vincent.M  
8 H' F$ y* X9 U+ K* [2 ~, b/ P( n8 p0 @1 o
总结的很好。。。

& g7 @6 ~3 Z: l; s如何灵活的利用过孔的特性来减小电感呢?

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14#
发表于 2012-5-29 15:42 | 只看该作者
学习下!!!

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15#
发表于 2012-6-1 17:21 | 只看该作者
学习了
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