与单开关反激式电路相比，双开关反激式电路的主要代价就是需要一个浮动的高侧驱动。一个栅极驱动变压器通常用于双开关反激式电路的高侧FET，而栅极驱动变压器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯没有在每个周期内正确复位，那么它就有可能饱和。其中一个最常见的驱动技术就是使用一个与驱动绕组串联的AC耦合电容器。这个电容器将平均电流强制为0A，这就确保了变压器不会饱和。 然而，它仍然有可能在瞬态时饱和，而驱动信号的DC信息将会在驱动变压器的次级侧上丢失。显示的是在没必要使用耦合电容器时驱动一个变压器的简单方法。当驱动信号变为高电平时，小信号FET，Q2接通，而驱动电压被施加在变压器的绕组上。当驱动信号变为低电平时，它将绕组的同名端下拉至接地，并且关闭Q2。当Q2关闭时，变压器内的磁化电流正向偏置D1，在相反的方向上，将VDD施加在变压器绕组上。 为了少于50%的占空比，变压器保证能够完全复位。通过增加一个与D1串联的齐纳二极管，你可以将占空比扩展到50%以上。这个驱动电路提供了两个额外的优势。首先，所有的磁化能量被回收至VDD，从而提高了效率。第二，在磁化复位期间内，FET的驱动由一个负驱动实现。这个负驱动能够通过加快关闭时间来减少开关损耗。这个简单的驱动电路确保了驱动变压器的正确复位，并且能够提升效率。 \9 z. c% \! m+ O4 W
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发表于 2018-12-1 15:57
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