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不同的多层板层数为什么阻抗可以不一样?

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  • TA的每日心情
    开心
    2025-10-31 15:13
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    [LV.10]以坛为家III

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    1#
    发表于 2018-7-13 09:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    拿PCI 标准来说
      ^% d) M: c/ {0 R( C. w) R 3 B7 i; k0 [7 t* t3 i3 a2 Q/ z
    6层差分100ohm。8/10层就减少到85欧姆了?这怎么计算?有什么规律吗?还是那100ohm还做也没关系吧?
    8 F7 f- `: ~3 I1 ~( S3 f5 n2 F2 h" z2 N: c! w! F, @

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2018-7-13 15:19 | 只看该作者
    阻抗跟层厚有关哦

    点评

    请问具体是为什么?该如何计算呢? 一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗?  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:14

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2018-7-13 19:14 | 只看该作者
    先把这篇看懂
    6 B. ^1 N* u, N( r& }, u& l! ^https://www.eda365.com/forum.php? ... amp;highlight=POLAR
    * _+ ]* w) ^/ ?) b+ Q1 P. F

    点评

    谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢? 单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗?  详情 回复 发表于 2018-7-16 08:15
  • TA的每日心情
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    4#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:14 | 只看该作者
    V-zhong 发表于 2018-7-13 15:19
    : H, q" C9 c- y: z. B1 B阻抗跟层厚有关哦
    ) h) W5 Y. A: }5 k4 e
    请问具体是为什么?该如何计算呢?5 Y7 Y: K0 Y& d6 [
    一般不都是规定单根50欧姆。差分100欧姆吗?
    ; G& Z  M% X- i! M: _  T, @  D& R6 `: K% D! E

    1 Q7 b, J' Q4 O4 q! V
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    开心
    2025-10-31 15:13
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    [LV.10]以坛为家III

    5#
     楼主| 发表于 2018-7-16 08:15 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-13 19:14% L0 N/ _6 \, Q9 e4 U. K: Y
    先把这篇看懂7 o( Q( Y; k* ~
    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=55684&highlight=POLAR

    8 ]+ H7 k% H+ I谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢?6 F4 Z4 T0 u( p* _* ~2 v+ y; p
    单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的吗?7 c" }6 C# u5 i, U% l0 e% R1 M
    9 e! X$ {; |8 u

    " q! V/ H8 v+ h$ ?8 Q& S! i

    点评

    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样:  详情 回复 发表于 2018-7-19 10:58

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2018-7-19 10:58 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-16 08:15
    9 M, Y+ Q, \- u# k/ r+ C5 E* p# Q谢谢!这个贴没回答为什么会不同层数。设计的阻抗要不同呢?
    + _7 P) T4 _' m# t7 S4 d' j9 C单根50欧姆。差分100欧姆这难道不是固定的 ...
    ( ?9 |- t7 _+ D0 m! D
    这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这样:
    - i5 f7 m) p& U9 b 8 J+ M8 `5 C2 g; {
    PCI Express layout guide.pdf (491.08 KB, 下载次数: 1) - i7 P& i0 Q- }) P  ?6 l% }

    , ~9 ~% t( v* I2 F
    + D1 N# T- [1 Z/ j4 t( v  ~

    点评

    我想问这是为什么? 为什么要怎么做阻抗?  详情 回复 发表于 2018-7-19 12:01
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    2025-10-31 15:13
  • 签到天数: 1275 天

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    8#
     楼主| 发表于 2018-7-19 12:01 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2018-7-19 10:58
    ( h- @1 p+ W( o" e; _5 s这个跟DDR3到底要走fly-by拓扑还是T型拓扑结构的选择道理一样,有专门的说明就按要求来协议规定确实是这 ...

    ) b6 {* s+ d. M( H1 z/ R8 T) O3 o我想问这是为什么?
    % l( j0 [& [4 Z为什么要怎么做阻抗?
    . o1 p7 \+ f* F; z' q0 l: P0 M9 E( {8 D9 v- q
      ]2 j8 y+ V3 Q% m: |

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    9#
    发表于 2018-7-23 09:54 | 只看该作者
    当然可以100OHM,不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

    点评

    是不是可以理解为是为了妥协! 100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。 但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好?  详情 回复 发表于 2018-7-24 19:31
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    10#
     楼主| 发表于 2018-7-24 19:31 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-23 09:54
    ' C' \% M* M8 M; s' W& O1 D* l当然可以100OHM,不过你会发现更多层的时候85OHM更容易实现。

    5 {& p! w9 q: g+ |2 n是不是可以理解为是为了妥协!
    4 I2 u- S, Y; F1 Q( v3 V  k100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。- U; k  @" b6 s  a5 G
    但是100Ohm信号比85差不了多少。但是会比85Ohm好?
    - s7 b5 |8 U- }; B7 U

    点评

    那个差异几乎可以忽略不计。  详情 回复 发表于 2018-7-25 09:22

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2018-7-25 09:22 | 只看该作者
    we167527 发表于 2018-7-24 19:31, B& H2 v  A5 t$ s. [
    是不是可以理解为是为了妥协!
    ' N* r: l( P1 `3 i9 W7 M3 r100Ohm的。做85Ohm是为了更容易制作。4 Z4 }1 x+ L( P6 D
    但是100Ohm信号比85差不了多少。 ...
    8 _6 V4 p6 k, z! y$ s" d4 ]% `
    那个差异几乎可以忽略不计。! K( z5 i8 B: Q2 f4 P1 D" `

    点评

    噢~  详情 回复 发表于 2018-7-25 20:59
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    2025-10-31 15:13
  • 签到天数: 1275 天

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    12#
     楼主| 发表于 2018-7-25 20:59 | 只看该作者
    ykwym 发表于 2018-7-25 09:22
    3 U. m* ~) o7 t: m) y9 \1 N( A那个差异几乎可以忽略不计。
    / s0 Z0 ~! |4 {1 O" @5 @
    噢~
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