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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑
& c+ U: b( E2 _ B1 z$ `3 y9 \. n5 B) o
% a% L8 C4 H! G: W, y1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.
6 o# U" D) K3 P) n3 k a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业)
$ o7 U6 h0 k( d% r+ z, M1 q5 L: @ b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.
6 i+ V; j4 P7 K' H c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps?
: a' \* Y+ p, }9 d2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成)6 i L& {5 P% R2 V* `
- u; I5 `7 [, v8 w1 w6 M7 t3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?
9 H0 v6 ~) l% P3 R8 f4 j a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?
9 u+ l, {5 d8 a( d U# d7 w1 @0 u* j b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.. U' W. M: I1 R3 v- }0 o
c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题.8 Y) |6 f- R+ s( @: r& s6 U0 ]2 Q
& l) v3 a3 W" z: J S以上,谢谢!- l+ W8 q; _/ {! }! R' F9 Q& r6 y
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