FLASH被异常改写的问题分享

stm32f103zet6

stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
% |! e+ ~  N1 N它们的共同点：
9 Q( C5 V* m/ ]1，统一排地址：但地址不一样
! x7 B7 y3 m/ B1 i2 I2，编程方法和的函数一样
1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写
2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
3，HAL_FLASH_Lock();锁住写
) X; Y; D' {! K3，擦出方法和函数一样
6 Q+ m* ~& w: X. l( ~7 n& K) @HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
' y8 ^5 h% C- T& F* G! p4，读方法和函数一样
Read_eeprom_int32(uint16_t addr)
6 [# @$ ^& W3 t, H- H( Q6 {不同点：
地址不一样：
EEPROM：0x08080000开始的2K字节
. s  R8 i6 I0 }8 C) ZFLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。

cat12620

楼主说的很对