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NRF51822 ADC检测,关机后耗电大,请做过的朋友建议

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    开心
    2019-11-19 16:20
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2018-3-6 10:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 21:51 编辑
    7 p+ }8 w5 F; Z
    7 t( l' z, C9 H3 DNRF51822  ADC检测电池,原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准,直接改成10K/20K,那么带来了新问题,就是关机功耗大。
    , ~5 r% N! I% m6 h" v3.7V/30K=123ua,51822内部也分流,导致实际关机功耗200ua+,大大超出计划,请问做过的朋友有何见解?% r0 z+ {6 }/ t& s
    7 w3 j/ S* d$ R8 d/ P& d1 U. l
    / o1 [+ k; O  u$ L& V1 [: n
    + Y: h7 I( I1 ~/ w- }! ~4 \

    , N9 M% p9 X) p  e+ c. B

    nRF51822_PS_v3.1.pdf

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    洋人的圖晚上給樓主!^_^  发表于 2018-3-6 15:51

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    发表于 2018-3-8 20:35 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2019-3-8 21:39 编辑 # c, i, ]$ j" F* t( v7 I
    hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
    + ~4 e' y8 ^  O请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
    0 n1 W4 G; V& H; b0 G
    MOSFET 電晶體閘極電阻Gate Resistance的功用
    1 v* }4 C" z) c+ m% g' KMOSFET 電晶體會在閘極Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻GateResistor通常被標記為 Rg rg
    # r9 v% o- W$ `! a7 W
    2 @  i( D4 o, ~
    閘極電阻GateResistor的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴Ringing)現象,閘極Gate)本身有寄生電容Parasitic Capacitance),若閘極Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
    6 _  `" Y$ V" b
    6 S( h9 R$ N3 R4 \, F  y
    振鈴Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻GateResistor有點類似數字電路中的阻尼電阻Damping Resistor能衰減振鈴Ringing)的強度而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET IGBT 電晶體的控制電路。
    # r6 R  M% o* T. d1 q; p9 Q
    5 c! ^8 W+ m- B3 [
    0 a9 H" W$ h) A1 `0 m$ q

    - V/ i/ W# z3 `( I, k3 e

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    [LV.1]初来乍到

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     楼主| 发表于 2018-3-8 15:35 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-3-7 11:31
    , M$ u8 H' B& i+ n7 ]% c系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
    6 G2 z4 `4 q# {4 {& Y' g. [* @
    我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?1 N  [3 r, K0 O" K6 p4 S. x3 _
    6 N/ U5 H  b  J8 c( o3 z

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    不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。 再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。  详情 回复 发表于 2018-3-8 16:32
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    奋斗
    2020-12-7 15:56
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2018-3-6 15:17 | 只看该作者
    不要将电压检测直接加在电源端,通过一个N管加一个P管和一个IO口来控制,当输入高电平才检测电压值,这样就不会一直耗电

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    3#
    发表于 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 15:45 编辑
    ; h. |- f: F0 e: G
    ! B) W+ `* a% x如果關機時只把電源芯片關掉,電池電壓還是會從沒電的 NRF51822 ADC 管腳灌入,漏電也有可能造成開機後 ADC 功能異常。
    ( H3 t( z7 u5 B- j+ z) Z* S2 x1 ~5 ]- N9 R( ~1 w
    網路上有人說,他用 NRF51822 搭配兩個外接 470M 分壓電阻偵測電池電壓沒問題,但他的架構是用一個開關,關機時就把電池切掉。
    / F5 }) H& a( M& k: `6 R" _9 H
    ! ^. }6 x' B) a+ T

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    4#
    发表于 2018-3-6 17:02 | 只看该作者
    我是用MOS管开关,定时测一下,待机的时候直接关断 MOS用开漏引脚控制

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    如果關機後 VCC_Batt 還在,電壓還是會透過 R21 往 PMOS 控制管腳灌。最好還是透過 OD 門或 OC 門控制。^_^  发表于 2018-3-6 20:48

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    5#
    发表于 2018-3-6 17:10 | 只看该作者
    电池电测,分压一般用M级的吧。

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    6#
    发表于 2018-3-6 17:14 | 只看该作者
    一般用的M级的。

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    小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。  详情 回复 发表于 2018-3-6 17:15

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    7#
    发表于 2018-3-6 17:15 | 只看该作者
    yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:143 V. X: c4 Z7 g
    一般用的M级的。
      C9 |& t# C  h( @5 k; s" U& ?
    小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

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    请问 小电容是如何做电流补偿的??能不能详细解释一下,谢谢; 我感觉是不是因为电阻太大了,产生的白噪声有点大,才加了个小电容降噪?  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:40

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    8#
    发表于 2018-3-6 20:39 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 20:41 编辑 . A8 X$ i& _- k) V
    ) o% H4 }/ w3 J; A' ^
    有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
    6 c2 G' h+ ^3 b+ x! D# U3 K, s
    3 q+ A( z2 J+ Z7 J1 U

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    6837_1.png

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    版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?  详情 回复 发表于 2018-3-7 09:45

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    9#
    发表于 2018-3-6 21:03 | 只看该作者
    系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!( c  `  z# K! X% T8 s

    . c) _. |* U1 T& a3 H( a  \& a3 k7 H8 ^. d

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    VBAT Switch.jpg

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    请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?  详情 回复 发表于 2018-3-8 09:58

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    10#
     楼主| 发表于 2018-3-7 09:45 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-3-6 20:39+ k' c0 E& k5 a0 ]  v
    有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
    & |( y  D- F( s, j4 ?, ]% F
    版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?

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    系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。  详情 回复 发表于 2018-3-7 11:31

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    11#
    发表于 2018-3-7 11:31 | 只看该作者
    meng110928 发表于 2018-3-7 09:45/ B6 ?; p) L( Z) t
    版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律 ...
    2 Z: q8 o* \: \# g1 t
    系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
    3 i% V+ F) \6 D+ p$ e3 b
    2 K' V4 q! h  V1 k
    5 X) w1 J; a9 X( @8 V+ T

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    我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:35
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    12#
    发表于 2018-3-8 09:58 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2018-3-6 21:03
    $ n- N+ Y- o9 k系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!
    , X- S/ m6 R/ \* O: d+ V4 y( }
    请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?/ k/ u+ d+ k1 |3 c3 \, v

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    MOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用 MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。 閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 M  详情 回复 发表于 2018-3-8 20:35
    这是MOS,电压控制。  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:31
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    13#
     楼主| 发表于 2018-3-8 15:31 | 只看该作者
    hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58) G( D+ [) n# c, o
    请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

    ( ^. T! `$ V8 v- n& n4 k3 A这是MOS,电压控制。
    . c% U0 _0 W9 V  R$ \5 R! a; e

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    15#
    发表于 2018-3-8 16:32 | 只看该作者
    meng110928 发表于 2018-3-8 15:35
    1 _5 d; E& Z/ d* f# H我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电 ...
    4 s5 F5 o# K! t& j9 a8 ]
    不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。
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