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本帖最后由 超級狗 于 2019-3-8 21:39 编辑
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3 ?" x- t K8 O* EMOSFET 電晶體閘極電阻（Gate Resistance）的功用
0 P8 q" r6 Q& _9 l! r/ rMOSFET 電晶體會在閘極（Gate）管腳串接一顆電阻，這顆電阻被稱為閘極電阻（GateResistor），通常被標記為 Rg 或 rg。
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6 l/ q; G1 l, e8 z0 ^2 V閘極電阻（GateResistor）的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴（Ringing）現象，閘極（Gate）本身有寄生電容（Parasitic Capacitance），若閘極（Gate）的控制走線帶有過大的電感，LC 會產生振盪。, U1 r, t8 Y" ~ Z& z' S' |* ?
. X: Z, Q$ C" B2 j振鈴（Ringing）現象會讓 MOSFET 電晶體，處於要開不開、要關不關的異常狀態，電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙，嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻（GateResistor）有點類似數字電路中的阻尼電阻（Damping Resistor），能衰減振鈴（Ringing）的強度，而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。
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发表于 2018-3-8 20:35
发表于 2018-3-9 08:35
，这个电阻的取值为100R就好？还是有其他的推荐值，本人是小白，还请版主多指点
发表于 2018-3-13 15:41