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本帖最后由 超級狗 于 2019-3-8 21:39 编辑 # j; @1 H- K$ E9 Y( H: f. \
3 u; x2 n* l T* @; NMOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用
' E" M4 ]7 {+ R2 p- C+ yMOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。( R# p f0 R; s' w9 ?- c8 {. w' w
|3 x: ?# a" r$ P# J閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴(Ringing)現象,閘極(Gate)本身有寄生電容(Parasitic Capacitance),若閘極(Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。6 o+ ^5 U* m6 R$ i3 i( ^
4 J* {2 b4 ]5 k3 H1 _# ?4 l) s* R/ }振鈴(Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻(GateResistor)有點類似數字電路中的阻尼電阻(Damping Resistor),能衰減振鈴(Ringing)的強度,而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET 或 IGBT 電晶體的控制電路。: T- P. O9 n* t5 O7 a9 L8 V+ y
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