MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
* ]! v* y' N0 z' |7 W电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

3 j5 m3 i3 [% U我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……



不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
: K0 B# }+ a" S) g' |/ {. i3 _* z! o
: \, U' B: ^% UR74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。
$ ^9 R6 |5 p0 }2 u0 j/ \
不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。

7 U! ^6 @* ^3 C# G6 F& q0 }
- k7 D& R& @* L1 ^

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

9 {0 t3 K3 f& @& P順便給這份文件好了！

付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
! J: b  t' n. [. c# w
' K& d- m" q3 m順便給這份文件好了！

8 D  A3 f2 P' V0 r, d6 b* j- l狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
( L; {. _- Q3 S. r9 D, ?我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

超人表示不服！
C68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了