MOS管开关的问题

超級狗

kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

9 h5 }& S% b9 C( C- F; a我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……
, f. h3 X( B0 p! W, G3 g2 c
' @. m) |  x/ m; ^/ l- [8 s% c
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不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。

' Y2 l9 x' n- J: e9 v; k" [R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。
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6 ], X# T! H9 y# B1 S  F% u) V" q; n! }不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。

超級狗

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定

2 }4 G: c9 P) _" ^8 C! E0 j5 t3 d順便給這份文件好了！
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付官星

如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67

松哥无敌

超級狗 发表于 2017-7-8 15:39
' J2 q, s$ b, y; ~+ t  x+ B0 `5 JUSB 2.0 VBUS 旁路電容的規定
9 N7 X2 \- J) E6 A+ \$ }4 H; y5 |
順便給這份文件好了！

狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。

fashaoyou

T8打开太快了啊，加soft start试试

kobeismygod

超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
- t' l" Y4 S0 V4 K7 ^我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……

. }$ V- Z: J  i" y, t超人表示不服！
5 K1 l( V0 w- U# k/ }! d" i/ F6 s' bC68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了

mirage_huang

非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！

lizudong

100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解

zrqiu1314

学习了