找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 1672|回复: 26
打印 上一主题 下一主题

MOS管开关的问题

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2017-7-5 10:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
线路中,R74阻值改成100K时打开T8,OTG_Power会塌陷,各位大神能让我明白为什么吗?. t% G2 L$ I9 w

% B* D; y3 X/ a. P2 h$ q
: K7 |7 z8 v" }% M

图片1.png (11.33 KB, 下载次数: 2)

图片1.png

100K.png (8.13 KB, 下载次数: 1)

100K.png

10K.png (7.73 KB, 下载次数: 1)

10K.png

该用户从未签到

推荐
发表于 2017-7-12 21:25 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-7-8 14:518 K: [  a/ M- H0 T( @$ X
我是鋼鐵人,我和超人持相反意見,因為我們是屬於不同的漫畫集團……
1 U/ g' [" i8 y( [6 y5 \
超人表示不服!
. k' x9 }2 B& [+ X/ O6 O  c; ?4 h: p/ ?C68其实可以看做OTG POWER的负载,问题就转化为了T8作为开关,其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小,I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压,用时越短,瞬间抽取的电流越大,也就越容易跌落,这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因,因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外,看到楼主截图,如果没看错的话,有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些??所以我感觉是开关开的太快了,以致闪到腰了
! z5 }  b0 J! s2 ~

该用户从未签到

推荐
发表于 2017-7-8 14:51 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42# B0 b+ b: p4 N6 n
电阻为100K的时候,T11可以很快速的把C极拉低,使MOS 导通,所以瞬间会有跌落,反之10K导通速度没有那么快 ...
0 o$ C: F6 A" m& G  W0 L
我是鋼鐵人,我和超人持相反意見,因為我們是屬於不同的漫畫集團……, i, U3 Q6 Z$ p" P9 {* Y7 |+ K

2 L! F7 n+ y- y, K
1 O* Y3 @# y3 W6 [5 G) j. c) _9 t" m  Q
不是啦!個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢,來不及對 C68 充電的緣故。' c6 W  p! f+ \5 T7 j: g  l
# L' Z4 e( [' [* z) K' F! l+ S
R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。) L. T1 m/ P  y  U7 b+ d$ [& ~: x+ ~
* j$ q- z+ g% P+ `9 g3 Z5 S
不管 MOS 管或 BJT 管,各管腳內部還是有寄生電容的。
% a) g& g8 J/ D( R- H0 g" |
4 F) Y' r3 d( j1 d! x: i5 {0 G- E+ S6 w) i/ x

点评

超人表示不服! C68其实可以看做OTG POWER的负载,问题就转化为了T8作为开关,其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小,I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压,用时越短,瞬间抽取的电流越大,也就越容易跌  详情 回复 发表于 2017-7-12 21:25

该用户从未签到

推荐
发表于 2017-7-6 15:18 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
! Z, N; i' Z& V( h. U电阻为100K的时候,T11可以很快速的把C极拉低,使MOS 导通,所以瞬间会有跌落,反之10K导通速度没有那么快 ...

. Y" X* l% |6 f- [0 v! @) ~. _5 E为什么100K跟10K差别这么大呢?原理是怎么样的啊,大神9 u  C0 Q1 X! A8 K

该用户从未签到

2#
发表于 2017-7-5 14:02 | 只看该作者
第一个图是什么参数下的波形

该用户从未签到

3#
发表于 2017-7-5 14:20 | 只看该作者
在T11的 C集串个几k的电阻看看  
  • TA的每日心情
    无聊
    2023-9-5 15:54
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2017-7-5 15:38 | 只看该作者
    开关速度太快了,后级电容C68抽载导致的; OTG_Power估计供电能力不强或 trace有点长了 ; 建议soft start,把R120换成电容;

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2017-7-5 22:20 | 只看该作者
    可以把C68改为47UF电容,负载瞬间太重C68储能不够。

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2017-7-6 10:06 | 只看该作者
    强烈关注这个问题

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2017-7-6 10:14 | 只看该作者
    为啥R74阻值改成100K会这样了????强烈关注这个问题

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2017-7-6 10:35 | 只看该作者
    我还想问个问题,PMOS管的上拉电阻阻值怎么选型啊?

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2017-7-6 14:42 | 只看该作者
    本帖最后由 kobeismygod 于 2017-7-6 16:08 编辑
    . _' T3 X* @, r( O# _. e
    + k& D7 E% o7 w. B电阻为100K的时候,T11可以很快速的把C极拉低,使MOS 导通,所以瞬间会有跌落,反之10K导通速度没有那么快,可以再R74两侧加电容,从而降低管子导通速度。

    点评

    我是鋼鐵人,我和超人持相反意見,因為我們是屬於不同的漫畫集團……@#$%^&*! 不是啦!個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢,來不及對 C68 充電的緣故。 R74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。  详情 回复 发表于 2017-7-8 14:51
    为什么100K跟10K差别这么大呢?原理是怎么样的啊,大神  详情 回复 发表于 2017-7-6 15:18

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2017-7-7 09:12 | 只看该作者
    我顶我顶我顶顶顶

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2017-7-7 17:48 | 只看该作者
    建議你使用MOS G極腳位 串連一顆 電阻 會比較好。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 16:20
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    15#
    发表于 2017-7-8 12:06 | 只看该作者
    电源输入端带载能力差,前端挂个大电容试试,不然可能会引起系统复位.
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-7-24 12:19 , Processed in 0.140625 second(s), 29 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表