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问:PMOS做模块电路电源开关时,D极端电容放电等问题?

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发表于 2017-5-13 11:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
原理如图。. B' b. q1 G! G# P+ p8 r) g  q
这两天遇到了这么一个情况,问题好几个:
* z  w& B% s+ H* C* K1、mcu是刚刚焊上去的,没有程序,根据MCU硬件配置,该电路控制IO应该是三态。
5 ?2 B. C/ \6 `) J, W; w  I) q2、给电路板上电,用万用表测D极电压约为1.6V,并逐渐上升,经过2-3分钟,VCC_BLK电压升至3.3V。
0 ~9 {% e# z. h1 A3 W# P3、但,如果上电后先测S极电压(0V),再测D极电压,不需要经过2-3分钟时间,而是直接3.3V。8 c) [7 d! |7 ^- a$ E
//以上情况,为什么在控制IO为三态的情况下,D极会出现这样的情况?
. S2 I$ r; L. |9 @4 c- u/ g
" n3 @' u$ e7 t' @. e0 t' n( q  }3 C; r
4、断电瞬间,还是万用表测,D极电压0.2V,并逐渐下降。) Y# r* @3 h5 ~$ i/ A

% V2 \  l& P% ~6 b$ N$ k- u4 d//现在这个电路D极电容还很小,但如果是470uF这样的大电容呢?有必要并联一个放电电阻(470R)吗?可电路正常工作时,放电电阻带来的电流消耗呢?特别是电池供电的情况。+ w$ X5 f. ]. d4 M2 P& x
. _4 y- a' |  b4 u& B, r7 I
( M4 _) K4 F$ V0 I7 t7 V% V  i* r
5、将控制IO线上串的电阻焊除,即断开控制IO。给电路板上电(G极悬空,S极3.3V),测得D极电压约1V。
$ ?2 f% B* d5 W2 N) t; F//为什么D极会有电压?2 |3 y- u% b3 Q1 A
4 f$ V# B0 w; ^" l; M/ F
以上,谢谢各位。
; `: Q; i2 F/ i, U3 q- m. U7 u6 L5 S9 `4 L/ L' y! z8 P

1 C$ ?2 E8 ?1 d+ v& z3 u7 ?

PMOS电源开关.png (23.23 KB, 下载次数: 15)

PMOS电源开关.png

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2#
发表于 2017-5-13 11:54 | 只看该作者
本帖最后由 myiccdream 于 2017-5-13 11:55 编辑
6 Z0 k, e- u; h! x% G2 M! p
; S1 ~8 y2 `3 r1 y9 s( G都不知道怎么说得好,
; V% T: m& z% ?: C( WPMOS的判定条件是 Vs 的电压与 Vg的电压 。比如Vgs= -4.5V完全开启。$ |2 y5 l3 g7 y7 G
你现在在S点的电压为3.3V。
$ N0 @7 j/ H9 ^9 }( f然后Vg有可能是悬空也有可能是三态,但是不管是那种情况。 你觉得Vgs是不是负?

点评

1、这个MOS管门限电压是0.9V。2、不管是悬空还是三态,我认为都不会使MOS管开启,VGS电压不达标。问题是,D极有电压呀,怎么回事?  详情 回复 发表于 2017-5-13 12:03

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3#
 楼主| 发表于 2017-5-13 12:03 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-5-13 11:54
0 F$ |5 w$ \) _0 p都不知道怎么说得好,
& Q1 l5 h6 |; |- EPMOS的判定条件是 Vs 的电压与 Vg的电压 。比如Vgs= -4.5V完全开启。
% A6 L6 C9 X% U& v$ C5 [你现在在S点 ...
) U0 k! i3 e- ^2 S9 h
1、这个MOS管门限电压是0.9V。2、不管是悬空还是三态,我认为都不会使MOS管开启,VGS电压不达标。问题是,D极有电压呀,怎么回事?: ^3 [$ U$ d4 ^+ a/ J

点评

你的观点 是如果G极悬空,则无法满足Vgs 为负的XX情况。 这个观点是建立在理想的PMOS上。而实际是G和S之间有寄生电容。然后扯出一堆什么“米勒效应”Zzzzz的。 我的观点就是你设计的电路不应该让PMOS出现G极悬空和  详情 回复 发表于 2017-5-13 12:34

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4#
发表于 2017-5-13 12:34 | 只看该作者
shiyi_jiang 发表于 2017-5-13 12:03! V3 K2 [7 P% `% ?: N2 V$ u$ w
1、这个MOS管门限电压是0.9V。2、不管是悬空还是三态,我认为都不会使MOS管开启,VGS电压不达标。问题是 ...
! P) e" k. m9 [( L- r5 K0 ~, {2 k
你的观点 是如果G极悬空,则无法满足Vgs 为负的XX情况。$ Z, w: H" q! V
这个观点是建立在理想的PMOS上。而实际是G和S之间有寄生电容。然后扯出一堆什么“米勒效应”Zzzzz的。
  S% @- b" `$ y0 D, ?7 S( d  S  D3 S我的观点就是你设计的电路不应该让PMOS出现G极悬空和三态" r* ~3 z! N/ K/ s

点评

应不应该另说,现在咱讨论这种现象的原因。  详情 回复 发表于 2017-5-13 12:55

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5#
 楼主| 发表于 2017-5-13 12:55 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-5-13 12:344 Y$ S) L$ `) d( Q+ j* G5 h
你的观点 是如果G极悬空,则无法满足Vgs 为负的XX情况。
1 Y2 B% Q* P/ p7 l: z这个观点是建立在理想的PMOS上。而实际是G和S之 ...
) a0 O: S! r( j
应不应该另说,现在咱讨论这种现象的原因。
- F$ V$ @. `# w8 |( B* S6 H; q

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6#
 楼主| 发表于 2017-5-13 17:36 | 只看该作者
再说明一下,这个问题是非常好解决的。在这里,只是讨论下MOS的特性,是什么特性导致这样的问题出现?!

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7#
发表于 2017-5-13 20:54 | 只看该作者
PMOS的G、S 端要并联一个较大电阻(比如100K),让MOS管处于一个确定的状态,这样你量的才准确! 开关频率太快还要并一个电容,对MOS管保护寿命和EMC有好处。

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嗯,谢谢。  详情 回复 发表于 2017-5-13 21:08

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8#
 楼主| 发表于 2017-5-13 21:08 | 只看该作者
Aubrey 发表于 2017-5-13 20:547 B0 p3 e2 r; h6 ^2 g* v/ s8 e
PMOS的G、S 端要并联一个较大电阻(比如100K),让MOS管处于一个确定的状态,这样你量的才准确! 开关频率 ...
  Z, F0 |3 S6 Z6 g, x
嗯,谢谢。

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9#
发表于 2017-5-16 08:58 | 只看该作者
用万用表测电压慢慢上升不知道是什么原因,但是先测 G 极再测电压直接3.3 我觉得是万用表测量电压时内部有测量电阻把 G 极拉低了的原因吧

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我不了解万用表电压档输入结构,如果万用表电压档那边有对地电阻的话,倒是会出现这样的情况。  详情 回复 发表于 2017-5-18 09:16

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10#
发表于 2017-5-16 09:57 | 只看该作者
对于这几个问题,建议示波器抓一下上电波形,可能是上电瞬间有低电平,然后产生了沟道,CPU虽然马上变成高阻,但并没有完全关闭这个沟道

点评

这个的确有点不明白。  详情 回复 发表于 2017-5-18 09:19

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11#
 楼主| 发表于 2017-5-18 09:16 | 只看该作者
hao2012 发表于 2017-5-16 08:58
0 i5 u6 p# D! C7 y8 W% w5 ^8 h2 ~用万用表测电压慢慢上升不知道是什么原因,但是先测 G 极再测电压直接3.3 我觉得是万用表测量电压时内部有 ...
4 v, N7 ~# k( w  j6 ?6 X
我不了解万用表电压档输入结构,如果万用表电压档那边有对地电阻的话,倒是会出现这样的情况。
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12#
 楼主| 发表于 2017-5-18 09:19 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2017-5-16 09:57
0 k; \+ I9 g7 k( @& x5 U, Y6 z3 Q5 u对于这几个问题,建议示波器抓一下上电波形,可能是上电瞬间有低电平,然后产生了沟道,CPU虽然马上变成高 ...

( i: \8 G8 T, h9 [这个的确有点不明白。
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13#
发表于 2017-5-18 14:52 | 只看该作者
我觉得是Cgd/Cgs电容比与Vds/Vgs电压比这两个比值之间的问题,解决方法确实很多,如果有兴趣你试试将3.3V电压变成更低或更高的电压,现象就会更明显了。

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14#
发表于 2017-5-22 10:41 | 只看该作者
这个可能是设计缺陷,mos的g级状态必须是确定的,9 ^/ V) q* m! V$ b0 a$ Y+ }# F
gs间加个大些的电阻,再看看现象是否改善

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是的,MOS管G极要求状态确定。  详情 回复 发表于 2017-5-22 13:47

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15#
 楼主| 发表于 2017-5-22 13:47 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2017-5-22 10:419 `, C4 Q/ b1 k- N2 L; X
这个可能是设计缺陷,mos的g级状态必须是确定的,
7 \6 C+ Y. ]) [. w! k, K& d0 Vgs间加个大些的电阻,再看看现象是否改善

  w& b' c- m" J# p8 C+ q是的,MOS管G极要求状态确定。0 }9 V- w8 X  |6 R; f3 E! f5 w

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