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DDR4 布线是否可以参考1.2V 电平

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1#
发表于 2016-12-8 13:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1. 有没有人做过DDR4 的项目。
' o( }2 a' b, ~% a2. PCB 成本考量, 板层4层。
" [% H- l6 ]; w3. On board 设计, 部分数据组及Address, command需要参考1.2V 电平层。
  x/ W( p7 I% k* F2 {4. 以上设计, 是否会引起信号完整性问题。(最好是实测经验/数据,因为所有SI 工程师都告诉我, 那样设计不好)。
3 w# k$ @3 N1 D, S0 s" R5. 实际情况, 有多坏?
% B5 f% o0 ^: C7 o; D( T& s1 Z. @1 a/ S# v
谢谢!

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2#
发表于 2016-12-8 15:44 | 只看该作者
DDR3倒干过 参考1.5V  没用过4

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3#
发表于 2016-12-9 11:19 | 只看该作者
一般除开数据线外 其他的都是参考1.2V

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4#
发表于 2016-12-9 13:18 | 只看该作者
参考VDDQ没有问题的,对于高频信号电源和GND都是可以参考的。

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5#
发表于 2016-12-9 15:37 | 只看该作者
可以看看于争的视频,这个参考都是一样的,对于你的信号。

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7#
发表于 2016-12-13 09:58 | 只看该作者
SI会叫你用6层板,参考层一定要是GND。

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8#
发表于 2016-12-14 10:27 | 只看该作者
参考过电源层,保持完整没出过问题

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9#
发表于 2016-12-14 22:21 | 只看该作者
做过dd3的十层板,之前内存走线、参考平面考虑不足,会存在高频起不来的情况。目前是地址、控制信号参考电源平面,数据信号参考地平面

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10#
发表于 2016-12-22 14:21 | 只看该作者
四層板 需要考慮 參考平面完整性   如果超過兩顆  不太建議4層
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