如图所示， 0.1uf 电容，何用？

Quantum_

+ h: Z0 a8 j: C) S" m
8 t3 C+ _% T: e1. 如下图， 在一个P型mos 管的G,S 角位， 接一个.1uf的电容，是何用意？
* E- _2 p5 p( `: H$ y. L+ z2. 自举？ RC？似乎都不是！

中臣

有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

kobeismygod

Quantum_ 发表于 2016-11-4 18:51
% i* @) J* m; B# O1 h$ E/ w1. 谢谢Koby

: K) u$ N* S, C- |' B2. 稳压?

8 B& Z) S% p" e6 q/ H5 I如果这个管子是充电回路里面的，为了让流过管子的电流稳定，一般会在GS之间加这样的一点电容来稳定VGS电压。如果这个管子只是用来做loadswitch的话，那么这个电容还能起到soft start的作用，也就是缓启，防止出现inrush，原理就是当输入电压也就是S端电压上点瞬间，电容相当于短路，那么GS电压在那一瞬间基本是为0的，随着RC时间的推移，电容两端也就是VGS电压会逐步建立，管子逐步导通，从而达到SS的目的。

kobeismygod

稳定VGS电压，和自举没一毛钱关系。

HengliangYau

中臣 发表于 2016-11-4 07:53
有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

- A/ F3 y2 W9 g/ ^6 a$ s6 R$ Ebingo
# o3 P& ~9 a& O" C6 O. ]  ~

djadfas

好像没啥用

lize314

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Quantum_

中臣 发表于 2016-11-4 07:53
有一本書叫做 ：加速電容； 上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉，否則G電壓稍低于S，導致MOS輕微導通；

1. 谢谢中臣。

2. “上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉”。
7 b3 I3 `( {) W, k4 z7 q! s! ^----这个结论似乎有道理。

1 d% A% e- d, P) Z0 Q6 ?3. 否則G電壓稍低于S
" V5 B+ k; Q; s3 B& a----只是为何G的电压会低于S呢？

Quantum_

kobeismygod 发表于 2016-11-3 20:08
稳定VGS电压，和自举没一毛钱关系。

! u' s1 ^( ?4 h9 E* C1. 谢谢Koby

4 L# f2 c* b4 B8 M' G2. 稳压?
----工作机理类似By Pass 电容吗？

中臣

Quantum_ 发表于 2016-11-4 18:45
1. 谢谢中臣。

2. “上電瞬間讓MOS G S電壓相同 而關閉”。

! s, }# \% u. L1 @上電瞬間S的電壓就建立， 而G的電壓要RC delay 后才會建立，即330K電阻和GD極間電容和一些其他的雜散電容；所以G相對S會有延時電壓差；
% _5 g( r2 [$ o$ I/ t

松哥无敌

中臣 发表于 2016-11-5 07:52
上電瞬間S的電壓就建立， 而G的電壓要RC delay 后才會建立，即330K電阻和GD極間電容和一些其他的雜散電容 ...

完美回答！
# N8 ^- G* M& d, m9 a) l

arod13

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i265

根本用处没多大   需要看你用在上面电路 什么场合上面  

winboy755

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东山郡谢

1、防止上电瞬间MOS管漏电或瞬间浪涌产生高的VGS;
6 `% P" S* `9 G4 Z6 D2、与R142组成RC延迟放电电路让MOS管延迟开关，以针对MOS开关前级电源负载响应差的对策或针对MOS管开关后级某些有上电时序要求的电路；此做法需先确定负载电流大小再考虑RC时间和MOS管的功耗。