DDR4计算Zpkg和Tdpkg

tencome

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DDR4单颗芯片仿真数量的计算
; Q4 E! t/ `$ S/ D; i2 u! m$ q
客户给了一组DDR产品的仿真数据参数供参考使用，以数据线DQ0为例。按照客户的要求需要计算的4组参数(Zio Tdio Lio Cio)。
1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？
2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？或者需要其它的数据或者计算方式？
有没有大神帮忙算该数据线的Zpkg和Tdpkg是多少？
/ Y! p) Y" W2 E/ q& i0 t) z

; J5 W; B% K( fNet i    Net j Rij (mOhm) 自感Lij (nH)     自容Cij (pF)         Kij            Mutual L max (nH)    感Mutual L total(nH)   Mutual C max (pF)     互容Mutual C total(pF)
DQ0 DQ0   176.507      3.00985         0.521093                                    0.587372                  2.00264                 0.0546876                     0.12612


* y. _$ e0 m' B8 O( _( z" h% ^

honejing

1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
+ f% E0 Y; i$ @$ I. E! C
  l1 I3 w: y, p9 L2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？
答：自感及自容
Zpkg = (3.00 nH /0.521 pF)^1/2 = 75.88 Ohm
: I7 a  f+ M8 z$ S, f: s: KTdio = (3.00 nH * 0.521 pF )^1/2 = 39.5 ps
# [8 _: C. D9 y, k0 i7 n
. v6 i* X6 W+ h/ K不過客戶給的仿真数据有可能與規格書描述的方法不同，它做的可能是 maxwell 矩陣電容，規格要的是 SPICE 矩陣電容。

tencome

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
$ F0 s# ~6 |; y* I1 F1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
, o& p+ ?9 J6 `( r1 d
2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

多谢大神，本人新手，以后多多支持。

tencome

: t9 s* I. k6 M3 N+ k' }1 [

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
3 |! X/ ?6 x+ k, R! ~6 A. U1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
/ \1 ]3 i2 h, u* j# \9 D; g4 l
7 p8 T. m' H7 H2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

6 }% ?+ t2 O5 k+ l
/ I# i$ g7 Z. X) f" e0 z( a: }5 U再问一个问题，
7 [$ f! I6 z3 y. W
1. DDR4是VDD/VDDQ/VPP都有输入电压，做RCL参数仿真时需要不需要输入这几个参数的电压值？
/ }. ^& H5 c, L1 k. B
2. DDR4单颗unit设计时，像DQ信号线的要求是等长的，这个等长允许的上下限一般设定为多少？
: c: d7 d; S$ A! k% P5 D1 j     DQ信号线是DQ0~DQ7，是要求全部DQ等长
      还是 “DQ1与DQ2等长, DQ3与DQ4等长”之类的？

honejing

1. VDDQ.
2. 全部DQ等长，自己再找資料學習。

bidinghong

学习学习，谢谢大神

zhuhj

飘过

fangfalun

新知识需要学习，多谢了

boxster0330

路過，看看
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