DDR4计算Zpkg和Tdpkg

tencome

$ p9 H  x: }& i9 z3 _( P6 H

3 ?* N- K7 z; [5 aDDR4单颗芯片仿真数量的计算

客户给了一组DDR产品的仿真数据参数供参考使用，以数据线DQ0为例。按照客户的要求需要计算的4组参数(Zio Tdio Lio Cio)。
1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？
( E( @& \; i: `$ o: k/ Z  l+ x3 }2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？或者需要其它的数据或者计算方式？
有没有大神帮忙算该数据线的Zpkg和Tdpkg是多少？


Net i    Net j Rij (mOhm) 自感Lij (nH)     自容Cij (pF)         Kij            Mutual L max (nH)    感Mutual L total(nH)   Mutual C max (pF)     互容Mutual C total(pF)
5 w- F4 H6 s. w# T3 JDQ0 DQ0   176.507      3.00985         0.521093                                    0.587372                  2.00264                 0.0546876                     0.12612
$ x4 `0 W0 R* L, Q4 t) j
7 z. V5 }6 q, h  x) ]# j$ }  H5 h

honejing

1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
4 u& p5 G$ s" e4 o! X2 B2 i( R9 i
  @, P" i9 D* b6 ?: q( d$ o9 v2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感来计算？
答：自感及自容
0 `- I, ?/ i0 z0 c* D6 eZpkg = (3.00 nH /0.521 pF)^1/2 = 75.88 Ohm
( E( K8 t, j1 eTdio = (3.00 nH * 0.521 pF )^1/2 = 39.5 ps
9 Z7 y  f/ A) K% O- V
不過客戶給的仿真数据有可能與規格書描述的方法不同，它做的可能是 maxwell 矩陣電容，規格要的是 SPICE 矩陣電容。

tencome

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
$ N2 ?1 T4 [- \! M, L) j0 H! U
* n4 e! E5 n. h6 R% H# ^/ q2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

多谢大神，本人新手，以后多多支持。

tencome

: p* t  X% P+ `* \

honejing 发表于 2016-9-28 16:42
8 r; b  ]1 _. F: n& t) v. F1. Lio/Cio 是指自感（容）还是互感（容）？答：自感及自容
! [* f( y0 q/ K8 g
2. 计算Zpkg和Tdpkg时，是使用自感还是互感 ...

% M2 {4 [& x; X2 C1 W6 d+ ^
再问一个问题，

1. DDR4是VDD/VDDQ/VPP都有输入电压，做RCL参数仿真时需要不需要输入这几个参数的电压值？

( Q+ Z$ a( H4 R; {; T/ |. Q! U2. DDR4单颗unit设计时，像DQ信号线的要求是等长的，这个等长允许的上下限一般设定为多少？
     DQ信号线是DQ0~DQ7，是要求全部DQ等长
' y/ Z' w+ x  n8 ~      还是 “DQ1与DQ2等长, DQ3与DQ4等长”之类的？
. t& M7 b% j3 t

honejing

1. VDDQ.
2. 全部DQ等长，自己再找資料學習。

bidinghong

学习学习，谢谢大神

zhuhj

飘过

fangfalun

新知识需要学习，多谢了

boxster0330

路過，看看
* |. H2 E- x/ t3 m! j/ y$ I. w

502174142

DING