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各类电容器和 EMI 静噪滤波器用于电源与数字 IC 的连接，如图 1-1 所示。通过形成去耦电路充当滤波器（如图 1-2 所示），在连接 IC 电源端子和配电网（PDN）的连接处，功率完整性（PI）可以增加。1） 2）1 T* J; B% n. o* v7 O% E1 ~1 ~
去耦电容作用如下：+ h1 m3 z: z, |9 A: I G \* f
（1）抑制由 IC 产生噪声或进入 IC 的噪声；（2）提供与 IC 操作和维持电压有关的瞬态电流；（3）变为信号通道的一部分。
. L1 e6 b" O2 n* a) [$ d0 x当电路的时钟速度相对较低或电路的噪声容限较高时，通过安装旁路电容器，将电源接地（电源端子附近），可以很容易形成此去耦电路。在本手册中，此旁路电容器就被称为去耦电容器。然而，具有高时钟速度的 IC、产生大量噪声的 IC、噪声敏感型 IC 都需要更为复杂的去耦电路。本手册旨在解释电源组件的工作以及如何选择合适的组件来获得高性能去耦电路（图 1-3 所示的平滑电路除外）。通常情况下，（1）从噪声抑制角度来看（如图 1-3），去耦电路的性能主要由插入损耗来评估，（2）从供电的角度来看，其性能主要由阻抗和（3）信号通道形成来评估。因为这两种角度不同，本手册的前半部分（第 2 章至第 5 章）将着重讲噪声抑制性能，并根据插入损耗这一指标进行解释。后半部分（第 6 章至第 8 章）则着重讲供电性能，并根据阻抗这一指标进行解释。
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发表于 2016-9-24 17:09
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