关于SD卡的一个奇怪问题

xiaoyu19890210

一个新项目中使用的SD卡出现数据写入出错的问题，出现的概率很低，写入几百M数据大概会出现一次。
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SD 时钟为50M，单边采样，对比之前图纸发现SD卡CLK线上增加了一个10pF电容，EMC工程师为了防止EMI超标，建议增加的，所以怀疑CLK信号有问题，测量发现CLK信号除了上升沿较缓外，无其他问题，上升时间大概为5ns，但是建立、保持时间完全满足SD卡协议要求。

然后怀疑会不会是时钟抖动较大，导致某些数据建立保持时间不满足，而在单次波形测量中没有抓到，所以进行时钟抖动测试，测试发现时钟DJ抖动较大，为2ns，到此以为找到了问题原因，但是不放心，还是再确认一把，将CLK频率将为25M，这样就算有抖动，就算时间上升时间较大，建立保持时间也是够够的，但是测试发现写入数据还是会出错。
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* W( e- n5 N- }2 I9 O# P9 L. q+ ^到此，彻底没有了方向，翻看SD卡协议，发现高速卡对时钟上升时间有要求，要求不能大于3ns，难道是这个原因导致数据写入出错？将10pF电容删除，测试发现CLK上升时间提升至2.8ns，输入写入发现没有再出现之前的错误，测试n遍，写入了几个GB的数据还是没有出现错误。
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% S7 V7 @: B# y2 U; o问题来了，难道真的是上升时间不满足导致SD卡数据写入出错？？实在是不能理解，建立、保持时间完全满足，单单这个上升时间不满足会导致数据出错？？实在不能相信最后的结论，一直认为很多总线中对上升时间做规定，只是为了要满足建立、保持时间，难道CMOS电路内部锁存器神马的对这个时钟上升时间有什么特殊要求？
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1 A) f% @9 U( ~3 _; B恳请大神帮忙解答一下小弟的困惑，万分感谢。@超级狗


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超級狗

狗然素一位用功的工程師，很常見的問題、但很少人會去深究原因。
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前座的工程師幾個禮拜前剛好也遇到這問題，後來是改主控端 SD 總線的驅動能力（Driving Strength ）解決。

# }$ j$ b2 v( A$ d" X& k1 O% X這個問題的說法有很多，各有其支持的擁護者。講時鐘的上升時間（Rising Time）及下降時間（Falling Time）造成的也不算錯，嗯插屁（NXP）的技術文檔，或許可以給我們一些啟發。
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xiaoyu19890210

超級狗 发表于 2016-7-25 21:39
狗然素一位用功的工程師，很常見的問題、但很少人會去深究原因。

, W7 q% z9 g6 J" o3 d1 p前座的工程師幾個禮拜前剛好也遇到這問 ...

. U( d0 @+ B5 W0 W3 t狗版主的意思是SD卡端信号幅值不满足SD卡的最小输入阈值要求？
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myl593799546

也遇到这个问题过，但不是说读不了数据，而是上升时间超标，后来也是通过修改驱动能力解决的

liaotingkang1

以前也见这样的问题，后来排查发现SD 的数据线和CLK 的ESD （体电容太大）贴错啦。

CLT988

sinky

没见过这样的问题，收藏一下。

jibuzhuw2012

楼主问题解决了请反馈一下解决办法哟

liangjiatian

写入错误 我也遇到过 CLK 并接电容 不能放  还有走线距离长度 也有影响      
最后想问问 @超级狗   SD卡走线 到底要不要走等长之类的

newcomsky

mark

xiaodun123

和CLK的时序确实有很大的关系