求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

+ }0 w, H1 n; ]
! u6 I$ C# f9 T/ Z+ y% Q我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！
/ ~3 P5 p0 n2 |. k

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
+ T" y; w* _$ `6 g为什么？？？

1 H) d& K# }0 B( I2 o* s了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
S11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。
1 q; m$ O) p2 Q0 p- O
( L" |2 g4 q/ _9 z' z% a$ u: _

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
. a  Y3 o* F- R2 ~: f2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
+ v) h5 T1 o) }0 w（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
0 x$ q: \" l  c* i$ c- E* X（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
) `. y5 n4 {1 Q- s' j0 |端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么
4 T7 i* g6 z1 \/ H( ^! f7 ~- n/ r6 h9 N

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。

cousins

通俗的解释：
6 d' h2 k; m* d5 S5 b  u: W你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
复杂一点的解释：
/ U6 D2 k$ ]$ b: q端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确
4 s1 I' n, c, B4 N* q9 ?4 ?( A

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
通俗的解释：
你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

6 J: ?5 l8 @# J2 k5 E那如何设置才是正确的呢？
7 O8 U3 k0 c: V5 k8 e/ [

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
) k& T5 |* U* H" W! W楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

" x, M5 p" E7 K( n, G# m我再琢磨琢磨，谢谢啦
0 C3 L2 |- D, x1 W% }5 ]

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
! S6 r( f% }/ c8 j, D那如何设置才是正确的呢？

: {- J8 J9 q% o- K0 Llumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。
( T& V5 F8 v8 f, w, z1 u$ Q( |4 i

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

! w, U; g% _( s; `2 c$ @原来是这样，谢谢！

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
. T. F: {& C0 d4 X  a+ ilumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

/ v: o  u. }7 B$ }什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~
. i+ S2 K. a5 S

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

7 t# B/ m$ a1 a" r3 b0 [覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
$ w0 A/ E) l1 J" h端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
1 ^( q% z1 X4 f% S4 \% b' XS11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

为什么？？？