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[Ansys仿真] 求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发表于 2016-3-23 15:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 8 q  R4 ~) c% b  A7 }, ]0 C! l4 G

- }0 ~4 i6 i! L+ b' r5 o$ Q2 L5 d7 W我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果(阻抗)有明显的区别,这是为什么呢?这两种情况是:(1)lumped port大小只接触到传输线和参考地边界;(2)lumped port大小覆盖传输线端口面,但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图:图1和2分别为情况一和情况二,图片右边导体为参考地。有哪位知道,帮忙解答一下,先谢谢啦!% b6 Y6 K8 ~0 l
" ^/ @1 G1 ~+ u; y: H4 `
( u  L, L# l8 e* y# \8 j1 q

1.png (73.03 KB, 下载次数: 15)

情况二

情况二

2.png (20.57 KB, 下载次数: 9)

情况一

情况一

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发表于 2016-7-18 13:21 | 只看该作者
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24- p7 g" ~7 C+ G6 G
为什么???

( z' `6 }0 ~- k- h4 B8 d6 f了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
7 @: n: y3 C8 W: ]+ E; p9 {( iS11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。
  p/ E8 Y* Z" K5 V+ L9 o
1 @( r# E- \; C4 D: w( \0 r' o: K

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发表于 2016-3-24 18:49 | 只看该作者
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
6 o; |; g, T' S# X3 p2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:- A# H* |: G# g! P; r  m' C' d5 l7 |
(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;, |$ c1 G* T2 Q3 l$ l$ c
(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;) g1 B7 J* g' `* e# h( W; E, n
(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;
. ~# @+ y4 u0 q6 V* L$ B, t% `(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。  H* ]' J" f+ _1 h. P
以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35

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发表于 2016-7-18 09:44 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-14 17:15
) I4 \$ P3 X/ ]0 P覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。7 x) d9 |8 m- b. o6 _. B2 B! R5 r
端口与导体面相切是仅仅一条边。  {! ?0 s+ M; R7 V: s0 M  x# `
这样好理解了么? ...
; D7 W: l8 V! Q+ v5 J0 M% g
soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么* d% z' X, {7 l1 s7 O

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 17)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 8)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 9)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 7)

波端口-仿真图.png

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3#
 楼主| 发表于 2016-3-24 22:35 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
. j2 O! `! \" K9 }7 k7 W9 D1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。 ...
. f# d: Z( l2 Z, g+ k) I
我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。9 p* h5 j) D% u5 \( {, z$ {

点评

楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确  详情 回复 发表于 2016-3-26 22:08

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4#
发表于 2016-3-26 21:39 | 只看该作者
通俗的解释:
# ?- T) m+ n  G! G! h6 s你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么?% B5 u, }" Z2 p
复杂一点的解释:
; f( y5 W4 A3 T4 X端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布,重叠了多余的导体,会使这部分导体中多出不真实的电场矢量,这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上,还怎么满足散射测量一致?

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那如何设置才是正确的呢?  详情 回复 发表于 2016-3-26 23:57

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5#
发表于 2016-3-26 22:08 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
  B! r5 V7 T' Y" X) \8 J& n9 B7 w我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不 ...

$ k% ~/ ]1 R5 x6 Z- x3 G, Q% ~. j! B$ E/ X楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确
. r% W; Q( @. m

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我再琢磨琢磨,谢谢啦  详情 回复 发表于 2016-3-27 00:05

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6#
 楼主| 发表于 2016-3-26 23:57 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-26 21:39
3 q% H2 w* P/ W通俗的解释:$ `) N1 u4 a6 }" w6 r1 K
你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

' ^2 F6 t# x; _( {& e  K; T那如何设置才是正确的呢?( A2 t* _$ ?& ]6 u$ X- ^- S9 j# J

点评

lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。  详情 回复 发表于 2016-3-27 07:14

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7#
 楼主| 发表于 2016-3-27 00:05 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08, P. F& K% Y( w& u
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确
5 v$ ~7 `/ s: L& y" i' C7 D
我再琢磨琢磨,谢谢啦# |0 f4 e' H- I/ n+ P; h

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发表于 2016-3-27 07:14 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-26 23:57" i' b- {) u8 ?. n2 \
那如何设置才是正确的呢?
. W! v: D5 `, [+ ?8 [; |7 v# E
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。
; Y  \1 h  |5 M
9 h( ]6 g+ C- D& f" I

点评

什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23

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9#
 楼主| 发表于 2016-3-27 10:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14
4 h+ x( r- @) k0 e: Ulumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
3 d9 B$ B8 K6 {! B0 M
原来是这样,谢谢!
2 |  ?# t8 ~* l# t

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10#
发表于 2016-7-13 14:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14! n6 j8 o0 A, l- x) S
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
  l8 V, j& J2 h' s! }
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~
1 Y% \2 q% w. L, c

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覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15

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11#
发表于 2016-7-14 17:15 | 只看该作者
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24/ H' L! ]* M4 C5 \. Q
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...
  G. z0 h4 r. K- y0 {7 a5 U, V: }
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。8 a( N3 T8 H" G* s0 g" a4 _. R
端口与导体面相切是仅仅一条边。
. L$ r) ]9 s0 z( h8 c这样好理解了么?
0 ]5 G* _( Y( f' P6 T$ z5 `: T1 r

点评

soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44

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13#
发表于 2016-7-18 10:16 | 只看该作者
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。
/ W" v0 @2 L  J$ I2 j

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那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
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    发表于 2016-7-18 10:24 | 只看该作者
    cousins 发表于 2016-7-18 10:16
    ) Y+ [0 H  g! L1 X; V+ n  eS11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。
    * K# I. \. w+ x7 x% z* h
    为什么???

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    了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
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