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TTL——Transistor-Transistor Logic 1 H' g& s# |1 Q& o5 a) C: m8 X/ O
HTTL——High-speed TTL
; ^& j$ J$ q: b6 j7 I- MLTTL——Low-power TTL
8 x$ B6 B3 ^* V/ m: g WSTTL——Schottky TTL 8 |& N, o8 X! q; ]+ ~3 O
LSTTL——Low-power Schottky TTL " z* q. [4 Q, D% d+ D
ASTTL——Advanced Schottky TTL
. @6 _7 ]8 c" @; F* [+ K. R! ]ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL
1 B7 e) F3 |. f* Q- s4 E+ H! [& w; y* I; VFAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL % R& K* d. L3 V6 o3 x: U
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor
6 K. l: Q' K' q. c! R) g2 f) s4 JHC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容)
% X- n4 j) A4 u; t. `- `AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)(亦称ACL) . P6 j4 x" |8 o& Q' o: ]
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) : p6 z( D( |& g# h. C7 s8 M
FCT——FACT扩展系列,与TTL电平兼容 1 @9 o& m P9 f8 x. H' h2 m/ D
FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1,TTL电平:/ q' m; p+ E) _; I' \
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平; t; r/ Y; b. c3 E+ j! R
是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
- P" Z% T, L5 o0.4V。 3 B' U8 t$ X7 | f' m. d
2,CMOS电平:
5 p5 s, j1 l0 m; J 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3 G, c7 q9 ?6 p: h6 \( ?" P
- P; E9 ]+ H: s5 h8 B8 f* v3,电平转换电路:/ {5 F9 a3 z, ^* m3 g0 }
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需
5 `! t; z$ e d+ n( Z$ e要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
( t0 w. b) t/ {- u9 K8 r8 R4 T
( J% d; v3 D! V# L8 |, l4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
8 M% c: k. x2 U5 u# i; c将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱. M/ A9 k- a. B9 z% q9 g
动门电路。
3 U# |9 Q$ G% L6 v* t; l4 f% f5 p0 W) Q' m8 G# u
5,TTL和COMS电路比较: : ]6 ?, c5 Y4 a- X/ n' k) C
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 * [8 g# o) ^. }& m2 A2 I% @
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 + S# f% P" C3 u8 y y! N
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 t6 M0 r) K" y: S6 W/ N
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
) u1 ?$ L) U4 O) C现象。
" P' J& d) @* Y" F6 X; t3)COMS电路的锁定效应:
! P: D6 }9 j8 `7 p$ X COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大
" i, T6 I& a- `* N' W$ [* a9 g( h- w。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易4 q+ h/ }7 J( e8 @3 l+ ~
烧毁芯片。8 u4 a0 ]6 P4 l
防御措施:
0 M; C* |' F, f' z J { m 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 $ U4 m3 p9 v$ |! Y3 I
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 " z# t8 {6 U2 j: [
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
' ~( a9 r0 |. C6 `# h# k 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电
6 g4 y9 {, I6 R- D" Q. u源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS
. ~' {' Y1 j- B电路的电源。
0 |) f/ E% Z8 ]# U! a" @2 Q
% I: ~3 Q. ]+ `% y6,COMS电路的使用注意事项
; {( B, s0 m2 v& ?2 s/ O4 ^1 l, G+ L 1)COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以! p6 V6 f t7 @ H* X# O3 @
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
% I' V |2 s* C/ r 2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的 t8 ]: i) w/ m" E) Q. j
电流限制在1mA之内。 2 }1 i- A" M% I+ d: I1 Z# L
3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
5 v/ ]5 F4 e" c- }- H, A& ]: t" s 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是; d& h& \7 c; K- n
外界电容上的电压。 1 `! G* Z9 w' G% v$ h5 D
5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 $ ~% ^$ k/ l& }. G
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7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 0 H7 g" t9 Q! C. {' V
1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。0 C, ^& j# b/ ]) L% Y) D, F
6 B$ w- V) p% J$ n: C3 f. P7 H9 q. V 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
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5 q8 C8 q) h. E; h% G4 a) [
7 q2 u3 ~" ^' b( s' n& L" ?8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。 0 Y$ ], m4 }* x6 k
OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截
2 v. I- L( ?9 q: ]5 b止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也
3 t; q( s; X, U9 A5 U: r就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD$ w0 B. v% W9 r! `1 |+ c* J
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了
6 g7 {2 ^5 U% {! R x; l能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱: E3 a7 q ?" E% F, {3 M' i' M
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。 % V0 j ~- V7 y
9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
! y# y* G7 m) g4 {. v+ w) k% d" C. g8 C TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为
O. |1 w4 \$ V C' i6 y( H% R. n" cTTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。 |