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这是我第一次参加cadence培训,本来上一期也很想去的,但是由于其他事冲突没去成。+ I, J- K3 C: c0 k; U; V
这次培训带给我的感触很深,就是感觉很多牛人都去听课了,大家好学的劲头真是深深的触动了我。
4 A8 J m5 E& M9 K* D不是有句话说:我不怕别人比我优秀,我只怕比我优秀的人比还要努力。是的,在深圳这样一个充满
4 T& _$ l. d. a3 @, P, I' I竞争的城市,各路大神各显神通。不要说你止步不前,哪怕是你进步慢了,就有可能面临被淘汰,$ R2 P. d+ |% N$ L5 R% b" v+ U2 H
还听过一些老工程师说过,深圳是一个给的工资的城市,只要你有能力,哪里都能产生财富,哪里
$ t. t7 l% z) Y2 g9 O都能大放光彩,但是能力靠的是积累,是不断的拼搏、奋斗、学习。这次参加培训的所有同学,
+ Q( h$ o1 q2 x- f" ]- A: A" U9 f不管年纪大点的、小点的;能力强点、弱点的,公司差点、好点的等等,你们所带给我的都是一个
6 A5 R7 u4 E0 {) F$ {; U u充满激情的人,同样也就是所谓的奋斗者。能加入这样一个大家庭,我感觉很荣幸,同样也很骄傲。
/ s. K/ a. W. g E+ y, {: B( N* m和大家一起学习、一起探讨,一起进步,让我也充满的激情。 , H0 q. x4 E) _# ^4 F5 T* ^! n
废话不多说了,我把这次听课的一些随堂笔记整理了下,希望能对没去的同学有点帮助,
- [% R+ Q5 O* S& S4 h7 Q也希望去过的同学能够给与完善和指正。4 C# S8 L2 M) v( R. K7 i
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项目名称:HDTV(方案:TI 8168)Soc芯片 布局:接口电路靠近接口放置(PHY芯片) PoE网络供电(路由器)PoE模块,RJ45网络接口设计:不带变压器,挖空变压器地下所有层铜皮,自带变压器,挖空最上一排孔到板边所有铜皮,数字地使用单点走线的方式连接到数字地地铜皮。 SDRAM DDR DDR2一般使用远端T型拓扑,DDR3一般使用FLY-BY拓扑(特殊菊花链,4片以下和T型拓扑差别不是很大)。 主控芯片的引脚设计一般已经默认了DDR设计拓扑:地址线在数据线右端(Fly-by拓扑、菊花链),地址线在两组数据线之间(T型拓扑)。设计前仿真,是为了选择合适的拓扑结构和规划好线长、线距。 曼哈顿长度:两直角边的长度。SMD器件距离板边保证5mm以上(SMT),至少保证长边,不能保证增加工艺边。 机壳不可以直接接到板内:使用磁珠(封装1816以上)+电容(20pf/2KV优先保证耐压)的模式‘机壳地以下不可有除机壳地以外的所有信号,包括数字地。 装配安装孔,要么直接连在外壳地,要么保证净空距离2.5mm以上(具体跟防 静电等级有关)。所有的外部接口都要增加 ESD防护,并且适当的增加共模电感,外壳接外壳地,并在旁边预留磁珠和电容到数字地。 相邻DDR芯片相距保证3mm以上,最多5mm。DDR2以后芯片自带阻抗匹配可调ODT,但这仅针对数据线,所以其他的地址、控制、命令线根据实际情况需要做阻抗匹配,针对DDR3的Fly-by拓扑一般使用终端匹配,走线最后上拉,并且是Stub无限接近零。走线顺序:一般先走地址线(地址线一般最长),然后走时钟线,根据线距(以时钟线为基准一般±200mil)要求绕线,最后走数据线(同样以时钟线为基准)绕线。 数据:10根一组(D0-D7 DS0+/DS0-)同组同层,尽量少换层,切记不可跨分割,DDR走线区域禁止走其他任何信号线(特殊情况特殊处理)。所有的Layout,都不应该使用某一经验值(特殊情况特殊处理),都应该以芯片的Layout Guide为准则,选择合适的拓扑,合适的线长、线距。 叠层设计时,尽量保证层叠对称:敏感信号优选地作为参考平面(DDR信号、DVI、USB等)
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这次培训,我感觉收获很大,学到不少的东西,也解开的心中的一些疑惑, 接下来的所有培训,我都努力去参加,希望不断的提高自己的能力, 感谢杜老师、感谢吉米大师、还有那个讲数据线阻抗的大师(不好意思 不知道怎么称呼) , V0 P/ \( S j( p/ P5 k
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