Designer自带DDR3 Example问题请教

snsArvin

5 p" ]* E, T4 A1 p. K
9 C5 j. k& G" H3 B- C% m2 }0 b大家好，小弟最近在学习Designer仿真时，遇到一些问题，甚是不解，请大家指点。
我学习的例子是ANSYS自带的，得益于cousins版主的推荐。
3 e( ?  c7 m# Q" |; w  c6 t5 q文件在类似这样的目录下D:\Program Files\AnsysEM\AnsysEM15.0\Win64\Examples\Designer\SI_Circuit\DDR3_Example.adsn
1.图中的红色部分代表什么？

我看了，这是个.sss后最的文件，不知道这是个什么文件？
. h5 ]  D  b( d: u, j' d2.图中的DQ信号，属性里面为何有diff这样的说法？而且按照这些参数，计算出来阻抗并非50欧姆，如何理解？
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3 v- q% u9 R! h2 E! _0 `. `+ c( U, q

cousins

1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
# N- v& j9 Z; ~1 L% ~2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是两对靠近的差分线。
- m' G% t7 v& K9 I) K6 W例子中的通道模型并非你一定要用的，真正项目中用touchstone替代Nport通道就好。
" e: c. P# c% O4 m3 i- Y# e& D注意检查touchstone的passivity和causality。

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:29
1.过孔通道模型。代表传递函数。你可以认为是s参数的替代品。
2.这是自带的双diff 耦合模型，你可以认为是 ...

1 t  r( o+ ]$ H8 @, Y7 P. a版主，您好。
1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
& P+ W) M8 S% ~% O# Q( n; N5 ~( G% T! @2.图中是dq信号，不应该是差分才对呀

cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:31
* u6 R/ a  L2 b% O版主，您好。
7 q: A/ e2 ?5 o( X1.过孔模型，这个在真正仿真时肯定是我们自己提取的吧
" n: I+ n1 B* _( A' M2.图中是dq信号，不应该是差分才对 ...

例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
* K* S3 I/ k0 h2 q实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模型。

snsArvin

cousins 发表于 2015-3-12 16:37
例子只是例子，只是告诉你工具的基本使用方法
  L. w+ f8 w; x" `" O3 X4 T实际的项目中，整个通道应该是自己提取，不可能用自带的模 ...

' P0 {+ p% i9 ]( S5 o# F- ~+ K这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？
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cousins

snsArvin 发表于 2015-3-12 16:44
这个子电路是怎么转换为symbols的，如果导入ibis时，选择pin模式导入，是不是就不需要这个PKG电路了？

...

7 z6 Q6 z$ X* |不需要转换，你新建circuit时，component里就会有对应的元素生成。
  N) `; ?9 B3 }导入ibs时选择pin就可以读取pin中的package信息。
如果你有pkg model，可以编辑ibs定义package model读入rlc。
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buymoreba

请教package

buymoreba

怎么在ibis中编辑pacage,这样designer可以直接导package的参数吗？
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) K6 g) y* x4 {1 t! D+ K$ P
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buymoreba

怎么在ibis中编辑package

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学习了学习