|
本帖最后由 cousins 于 2015-3-9 15:14 编辑 . o8 L2 V0 F* M, b5 ~3 u, N! ?
2 U' t5 |+ A6 r3 e+ e
1.via的估算) I9 \1 Y% L2 @- O2 V5 ^; M
Lvia / BGA pairs$ _1 y0 A9 i9 t7 {
Lvia = 0.032*Length/ (pi*Log(2 * B / OD))
+ G6 b9 o% p' VB为电源孔与地孔的中心距
3 \& L) D4 _* V, I; U, POD为钻孔外径
* \$ ~ R. B+ p- |' t; W7 ~8 uLength为过孔长度7 \0 ^- Z- y1 o: W
pi为3.14
- X) V2 [4 t* |' R0 R
$ C1 y* \* e9 O2.扇出线的L估算为0.02nH. v5 Z& m1 c% ]9 q ?2 D3 _
. v: O, V0 j* N8 O3.电容的esl依照封装对应估算为
3 p1 a- l$ O6 g0201 0.2nH5 f! f. s2 F- Q* c: F8 \
0402 0.3nH
$ _2 C) u1 ~* Y* {' |' w- e0603 0.4nH
. w- X, I6 y$ C: M0805 0.6nH
7 [! E. `8 m+ u7 I1206 1nH0 `- T: k h0 {1 x7 m( n, e# K
电解电容 1nH以上- Q- g- I- D& D6 M
; k S8 x( C8 Z' Q6 j ? V
5 o5 H# k) y6 j/ S5 d3 s* P接下来就是估算整个电容对应的阻抗
+ [3 w5 h6 j- v, i" d环路的loop inductance为 扇出L+BGA的过孔L+电容焊盘L+电容过孔L+电容自身寄生L" D; X5 y# Q* e
若电容的过孔和bga的扇出过孔是同一个过孔则只需算一个过孔L对就可以。& |9 ^* `* I4 ^: k; `1 e3 I" x
然后阻抗就是r+j*omega*L+(1/j*omega*c)的估算桥段,可以看出C越大阻抗越小,然而C越大目前的工艺来讲L也会越大,同时,还会有电容直流耐压的可靠性设计要求,因此你要在其中选择一个均衡值,满足避开谐振的要求,同时又要满足直流耐压需求,另外还有一个成本的控制。当然电容并联使得esl减小是个不错的办法,但是要注意实际情况下,0402可靠的并联是6颗,更多的数量并联对esl的减小不再是明显的线性减小。! j6 {1 S4 n$ T+ z0 ?7 ?
3 F! r* i: W+ j: H" n4 P
至于r,在1GHz以下环路的电阻相对于L的感抗很小,主要的电阻来源于VRM的esr,只关心1MHz以上的话,可以忽略,你一定要算,就算入环路走线带趋肤效应的esr+过孔的esr就好,个人觉得,估算没必要那么较真。除非你想自己编写前仿真函数库。; O8 D5 N, U/ |
. h# V5 T, O6 A( ^+ [" [6 @1 P/ d7 ~$ g; C* E$ ~
|
评分
-
查看全部评分
|