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[仿真讨论] DDR3的地址线的上拉电阻需要做等长设置吗?

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1#
发表于 2014-11-21 23:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到别人的约束里好像没有设置,不知道要不要设置?

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2#
发表于 2014-11-22 09:33 | 只看该作者
不需要  你要等长也没错

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3#
 楼主| 发表于 2014-11-22 12:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 09:33
* K& k+ f# F8 u不需要  你要等长也没错
( {# j) U6 h# L) B6 P! T
那这个上拉电阻走线的长短有要求吗?感觉太长了不好啊
5 F( q' m, R7 @* K

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4#
发表于 2014-11-22 12:45 | 只看该作者
不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。
) v7 w/ E6 w* _& C2 I, _若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制,不要超出clk长度300mil以上。; b; H; n, ?/ x9 n6 b
若为T chain,全部都可以做不超过clk长度300mil以上的控制。
9 J6 D, n+ n% W5 G: _: J4 t至于等长,2T没你想得那么严格,1T你就以卡在100mil以下。

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5#
发表于 2014-11-22 21:11 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 12:45
5 P# G6 ~; u4 A, s/ l4 S: ^不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。7 F( k2 y! a( D& H6 b: q' ^
若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制 ...
" a2 r* P# {5 j, I
在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速率,一般都是看leveling的调几分之几的CLK。所以这个才是决定你可以设计的skew是多大。

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6#
发表于 2014-11-24 10:51 | 只看该作者
Coziness_yang 发表于 2014-11-22 21:119 P7 o) {' B9 B" h' x( p) m
在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速 ...
9 R! T5 J, m/ @! |. z
那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。
! E8 m* V( u, h/ m- l1 x
1 R3 ]& {, A) }4 P0 ^7 s  b- d

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7#
发表于 2014-11-24 22:47 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-24 10:514 D! X" i+ j6 Q+ b/ T9 q
那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。
# p4 A1 z6 ^+ y/ {
300mil的skew就相当于51ps,而对于DDR3的1600Mbps的信号线来说,CLK的周期是1.25ns,所以对于300mil的来说还是没有问题。但其实在实际的DDR3绕线时,我们的设计基本是等长,基本放在100mil以内。) M) n) C- m  U) j3 q+ v4 R

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8#
发表于 2014-11-25 08:43 | 只看该作者
尽量短点,在300mil以内会好点,VTT以拉线的形式做,不用铺平面

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9#
发表于 2015-1-12 08:40 | 只看该作者
放在最后一边DDR那里,最好做等长

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11#
发表于 2015-1-13 19:13 | 只看该作者
末端匹配电阻,就是一个端接。和时序没有多少关系。不用作等长,但是有长度要求。走线越长,端接效果越差,一般要求500mil即可。
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