正在看或者看过信号完整性分析第八章的请进

烂泥桑

本人正在看，有不懂得，所以想请教一下：
. J, ~) S; ?: A& O  q5 d3 a
8.15节的容性时延累加。本人表示对图2中的C=2PF/5PF/10PF 不太能理解。首先书中公式RT10-90=2.2*0.5*Z*C；关于这个0.5的解释，我自己把它理解为连线中途的容性负载这样的结构，因为书上写了“传输线的前一半...传输线的后一半”。运用前一节的结论，不影响信号质量的中途容性突变C<0.004*RT,但是图2举例中RT=50ps，电容C为2pf 5pf 10pf不是远超这个限制了吗？我感到很矛盾。我特想知道的是怎么个电路原理图才能得到图8.26的波形（一模一样的），希望有仿真过的朋友给点信息  
/ Q0 \% o6 w% o4 B, ?
图片上不来。。。。

烂泥桑

另外我还有一个问题想补充一下，下图中的公式是在书上8.14节 连线中途的容性负载反射 一节出现的，我只想问问这个RT是指最原始的信号的上升时间如50ps，还是指信号遇到中途容性负载，上升时间被延长后的、电容两端的电压上升时间，如（50+2.2*0.5*Z*C）ps？

woshilanmao

我这里做了一个，楼主可以参考。
6 s3 C* ^9 i1 l) v9 f5 \. B! K

不过这里激励为理想step信号，上升沿为62.5ps（10-90%为50ps），容性延迟没有书中的那么大，这里的延迟分别为38ps，88ps，174ps

烂泥桑

woshilanmao 发表于 2013-11-30 09:37
6 |; ]* U7 Z2 n% S7 m% M0 L( q- A我这里做了一个，楼主可以参考。

/ }7 V5 m! V8 \7 T1 _  r谢谢朋友你的回复，真的是太感谢了。不过我对电容那个上升时间什么的有着这样的理解。我觉得书上的意思就是说电容刚开始充电时，其阻抗确实是书上所写的那条公式，那个RT也确实是原来信号的上升时间，不过这也仅限于一开始的时候。到了后面，如果看回公式中的C*dV/dt，模电告诉我们这本来就是指电容两端电压对时间的变化速度。所以我就得出我前一句的结论“仅限于初始的时候”。不知道我这样理解对不对呢？
. Q4 o5 p+ D, H8 n+ z
& V1 q& S$ N& r" YPS：还有那个仿真中RT=50PS 软件设置就要设置RISE TIME为60多ps那个，真是太贴心了，我也是在做了几次仿真后才突然发现这个事。再次谢谢你的回复

烂泥桑

最后附上于博士说法，结束本帖：

草草

学习了，我又要回去好好看书了。

cousins

这种容性的变化通常发生在过孔，走线拐角，以及连接器部分

烂泥桑

cousins 发表于 2013-12-24 14:15
. z$ H8 e# m+ ~, f0 o1 d这种容性的变化通常发生在过孔，走线拐角，以及连接器部分

% r+ O" F" z2 O1 c3 F7 Q6 b4 i( ^* O能具体问一下吗，连接器是什么东西啊，能不能上个图，我经常疑惑跟我以为的是不是同一个东西？

cousins

连接器含义很广
9 U8 C' I, y* `有PCB与PCB之间的连接元件，有公座，母座，公插，母插，线材等
比如PCIE金手指，比如USB接口，HDMI接口，SATA接口等等
简单的理解就是任意传输线出现图形结构变化都会有容性的变化
  j( J5 z* V. g1 L% ~0 K2 E/ \公司内部上不了图，不好意思

烂泥桑

cousins 发表于 2013-12-25 14:44
  A" L1 G2 J% l% P: D9 d4 x连接器含义很广
# @1 u+ [7 ]* A+ C9 T& X, _有PCB与PCB之间的连接元件，有公座，母座，公插，母插，线材等
" K. m7 Z# V6 O9 I1 l; _# E比如PCIE金手指，比如USB ...

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