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有关DDR3设计六层改四层

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1#
发表于 2013-9-9 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
最近遇到DDR3设计,有2片DDR,为了节约成本,六层改四层,布线没有任何改动,都是走表层
. Y" Z! s! Z3 y# g8 M: f5 R叠层改变了,四层 top-gnd-power-bottom  六层 top-gnd-L-power-gnd-bottom
+ n  y3 ~# \! M9 ~0 Ldata 高八位 打孔翻层
7 K% R5 X' m, Gdata低8为,top层
+ X9 Q: w; \8 x+ X  ?8 ?. n, Y% O" Q; r' G0 t
仿真出来的眼图
& ~; }( k5 K, F- u* k

6}M]I%UPVOBU4ARK}JY{XVX.jpg (136.42 KB, 下载次数: 12)

data眼图

data眼图

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2#
 楼主| 发表于 2013-9-9 11:33 | 只看该作者
分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

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3#
发表于 2013-9-15 12:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-9 11:33  l/ N: B9 j! G4 {3 a( u
分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

, F; C" j7 N5 ~& k4 X有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。

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4#
发表于 2013-9-15 12:06 | 只看该作者
日月光也搞PCB设计?

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5#
 楼主| 发表于 2013-9-17 10:01 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:066 d: Y  F, ?$ f9 m. r
日月光也搞PCB设计?
% |8 g1 Q2 E+ j+ w
帮忙做SI/PI仿真

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6#
 楼主| 发表于 2013-9-17 10:04 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-15 12:05
) O- ^, h6 h  a5 p& r0 ^2 E  ~有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。

- T8 [0 m) J* K; D' ?8 a间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面选GND比VDD好,GND相对稳定一些

该用户从未签到

7#
发表于 2013-9-17 22:05 | 只看该作者
丫丫 发表于 2013-9-17 10:04
6 W" b8 b4 ^: \  \( z' ~! `间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面 ...
1 d9 l9 _6 s4 w2 ~& R
在信号的回流路径上,也要注意干扰。

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8#
发表于 2013-9-17 22:17 | 只看该作者
风刃 发表于 2013-9-17 22:05
9 H7 z4 m; G- R  M在信号的回流路径上,也要注意干扰。
& ?% S  s. l3 w. x( `2 |
四层板啊,这些问题应该也比较好控制的。$ F* q# d; J' t4 W# s

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9#
发表于 2014-1-23 14:52 | 只看该作者
撸主找到问题原因没有呢?求分享
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