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[Cadence Sigrity] 求解DDR-SSO分析

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1#
发表于 2013-6-6 08:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR-SSO分析时,controller和memory芯片封装内部走线的长短差异、应该在哪里设置补尝呀?{:soso_e196:}  {:soso_e196:}  {:soso_e196:}  {:soso_e196:}  {:soso_e196:}  {:soso_e196:}

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2#
 楼主| 发表于 2013-6-6 16:00 | 只看该作者
没有一个人回答我呀?

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3#
发表于 2013-6-13 13:23 | 只看该作者
可由兩個方面修改:* J' v+ {: {; h! Q" V& |9 U
(1) Layout 蛇線修改(layout人員調整)* N. G8 F+ `. h# ~' k) [. |
(2) Rx增加ODT匹配阻抗(需跑仿真)

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4#
 楼主| 发表于 2013-6-13 23:27 | 只看该作者
coppi27 发表于 2013-6-13 13:23
* x  p4 Z6 s- i2 v6 e. ?. f可由兩個方面修改:
  x) Z7 i5 k" O7 Z(1) Layout 蛇線修改(layout人員調整)3 _0 P7 D  g* e* G( T
(2) Rx增加ODT匹配阻抗(需跑仿真)

$ Y! Y/ R3 D: m' h5 F, H! K这位大侠误会我的意思了。我说是CPU和DDR封装基板内的走线长度补尝。

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5#
发表于 2013-7-5 10:52 | 只看该作者
基板内 Package里面的走线吗? 那个怎么补呀?

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6#
发表于 2013-7-31 13:26 | 只看该作者
cpu和ddr封装基板内的走线长度要在调线长的时候就把pin delay给加进去的。

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7#
发表于 2013-7-31 13:32 | 只看该作者
后期封装里面的长度是没有办法补偿的!!

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8#
 楼主| 发表于 2013-7-31 13:42 | 只看该作者
hanbingchong 发表于 2013-7-31 13:32
. c/ |9 b" B3 a* p, ^; e, v后期封装里面的长度是没有办法补偿的!!

% P9 |! M1 f  M那等长还有什么意义?封装基板的误差都很大的

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9#
发表于 2013-8-15 19:20 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2013-7-31 13:42 7 m& [0 ~6 j6 w$ _; T* B2 w! H
那等长还有什么意义?封装基板的误差都很大的
5 `) Z+ n* ?! K3 Z) L3 j$ r5 O
这个一般都在pcb板上调张长来补偿封装内部信号的延迟。

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10#
发表于 2013-11-9 12:36 | 只看该作者
我觉得最好的方法加载packaging模型,

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11#
 楼主| 发表于 2013-11-9 12:40 | 只看该作者
Dandy_15 发表于 2013-11-9 12:36
/ s' S0 M3 j5 W我觉得最好的方法加载packaging模型,
# m7 L0 F; l% m. u# [7 X* e( ~
有人说IBIS模型里的Pin_r,Pin_l,Pin_c已经做了补尝

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12#
发表于 2013-11-9 14:57 | 只看该作者
原则上是这样的,但是简单的Pin_r,Pin_l,Pin_c并不能说明所有的问题,如引线的耦合问题就不能体现,频率一上来,这可能就是问题了,低频应该关系不大。正解应该是Pin_r,Pin_l,Pin_c矩阵形式,这些应该就是在packaging模型里才有。

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13#
 楼主| 发表于 2013-11-10 20:46 | 只看该作者
Dandy_15 发表于 2013-11-9 14:57
' v0 S0 L$ H0 `6 ^& ~原则上是这样的,但是简单的Pin_r,Pin_l,Pin_c并不能说明所有的问题,如引线的耦合问题就不能体现,频率一上 ...

2 M/ |* X/ @" F2 h7 k有道理。有道理。
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