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楼主: dqd7411
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【精品】2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品下载

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该用户从未签到

481#
发表于 2012-12-18 17:53 | 只看该作者
2012年IPC第一届PCB设计大赛(中国区)作品点评。只代表个人意见。: y$ |" M6 h5 \1 N7 |

0 T4 V1 W, [. a1 l6 N) t7 f6 Q先来看下冠军的作品' H& r  u: V' I4 {$ Z5 I& ?
1.光绘设置好,看图自然就方便多了,我们选ART03(黄色)看地址的走线,拓朴结构走得蛮顺,上面DDR颗粒之间绕线很少,且误差都在+/-30MIL内。还有一组DDR3数据线(红色)能做到同组同层,看此层线间距很均匀等长也很美观。空的地方都铺上了地铜与POWR04的电源耦合非常合理。
' o! v/ U+ n! n/ X- b% Y) c. m  d
8 m6 I* x9 q, n( T
& ^7 ^; a* M# G7 u. c1 A% Q2 W+ Z2.再来选ART06看下走线。一部分是地址线(黄色),另一部分(紫色)是DDR3的两组数据线也是做到了同组同层,所有走线没有跨分割(平面层都是整个平面),地址线分两层走比较合适,做到线间距均匀合理,蛇形线也很美观,此层空的地方也有铺上GND,这样能考虑到板子的信号质量和板子的平衡防翘曲。
( x* l( o: p) Z$ [ 1 l9 E; H' U3 W# O' m$ x0 }8 G
! _+ c$ H7 r4 \. ~
3.选TOP加上丝印来看,TC3216钽电容能均匀整齐的摆放到板子上,且每个焊盘都有两个VIA。此层空余处也有铺GND并打上了地孔。* n: l* T9 ~& G6 r: Z7 C* {  u* B
! Y! z6 g4 `3 Q, r# m6 g* v

0 U$ v, w& D) }$ @/ A" O% H% r  r0 {4.选BOTTOM加上丝印来看。地址线的上拉(黄色)电阻长度很短,有一组DDR3数据(红色)也是同组同层走,还有一根REF线左右穿插稍微有点绕。( `4 V* l9 M% q* y5 h" C

, E& O! |+ L) F$ T
9 o! p1 O* h8 o5.所有DDR3的数据线误差都是+/-10MIL,在这么有限的时间内等长、文字、设置光绘都能做得如此的到位是非常的不容易!/ D: u1 s' n# f! g5 f& Y" s8 e
, n9 F  z+ V% A9 O0 x1 P

7 t  L& j; ?( V9 i' N% c8 B$ H1 D  W6.我们整体看下电源,DDR1.5V的电源供电在CPU下面有点过远,这是美中不足,布局时考虑不够全面。
2 J. \& |. Z+ F1 X* X- s; X
( \* [  w0 Z% E
! N' _( F% \' G4 _) d/ Z0 x下面来看下亚军的作品  _" c! {# \/ g; ~/ k+ }- H
1.光绘没设置好,我们只能选ART03加开板框来看了。地址线(黄色)看起来右边的空间很充足,感觉线之间有点紧凑,DDR3颗粒间的蛇形线有两处重叠,估计时间来不及了,红色线和紫色的两组DDR3数据线走得非常好,同组同层没有跨分割(平面都是整块)线间距也很均匀。空的地方没有铺铜,估计时间不足。
) W0 \8 u- M: n7 f8 M" ?2 z
, n# G0 O' `: ?, I) u. q! y7 X' `$ Q6 U
2.选ART06加开板框来看。此层的地址和数据线都做到同组同层,地址和数据也是平均分配到两个内层,此层看起来感觉非常美观。
& ?$ e2 g0 L! }6 v
) r/ I3 _  l4 m  z. W9 A  Z3 A$ d5 I! }/ {; g
3.我们开所有走线层和丝印层来看。TC3216的钽电容都有均匀的布局,VTT上拉供电路径很短,电源部分都有先过电容输入,过电容输出,DDR3/1.5V电源供电也很近,电源控制部分也很短.CPU在右边DDR3的出线也很好接线,这是一个非常完美的布局。REF走线只有12MIL要是再加粗点更好。6 \! L, V# r) Z0 ]* x

1 W7 _, n5 m8 n1 c: J$ N/ ~- r- g
8 p6 ~7 \' `1 D8 J下面再来看下季军的作品
) Z& v: V9 h* E- {+ O, d2 C# @1.我们开L3层来看。地址线(黄色)走线很靠板边,红色和紫色DDR3的三组数据线走得有长有短,明显是空间太紧张。现在接通已经是很不错了,等长应该是没有空间做了。季军此布局欠考虑,是影响布线的关键。
& u0 w- ]+ d1 B9 W: l 8 W9 a* V) c% j% w
0 h, f/ u* q' Y9 Y
2.我们接着看L6层。黄色地址线右边有希希的几根,DDR3颗粒之间的线太密了,线没有合理的分层,紫色DDR3数据线只有DQS差分在TOP层走很长才在此层换,相对来说这组线走得比较好。
6 H# O5 r  O" V( u. M0 s
  ]' @" T3 i- t, }" L+ o/ v6 s* \
3.我们接着看BOTTOM层。地址线(黄色)在背面这么多小滤波电容的情况下真是太难走了,最左边RST/OTD两根地址线已经不是走菊花链,已违背DDR3的设计要求。
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3 p1 v8 n* X0 D0 {$ @* j4 z- Q2 p1 I
4.我们接着看TOP层。有一根黄色CSN0在其它层没法接,就在此层绕来接通。红色的DDR3数据线也是参差不齐的换层。还有TC3216钽电容摆在CPU上部没有多大意义。5 c" b9 f; q, H

' [7 U0 a3 Y! o3 m7 X6 X7 ?
- D+ \  n3 b) s. j/ J& v5.再来看电源部分。12V电源输入到MOS管处只有12MIL线宽,输出也是一样过细。1.5V经过电感到电容再给DDR3供电太远了。与亚军的相比布局正好是倒过来了。4 E; Y# a8 `. B9 T2 Y

- E( U8 h* K( t+ t往下看VTT部分的供电吧!
% @- G: F- X, k0 Q; }& a  WU7输入1.5V转出VTT,没有经过两个TC3528钽电容滤波进来,这里是设计上的失误。
2 t7 a4 n" d  q5 k, u2 Q
' ?5 X0 r. }  z4 J2 `再来看DDR3REF。
, t# Q+ c' A' t  oREF电流小于100MA,没必要用一个平面层分割来处理,这样走在L6与BOTTOM层的线就会跨分割,信号完整性的考虑欠佳,估计以前设计DDR3太少了。
' W/ _. z( |# o& ]
/ L6 N3 k' T8 p7 {9 |+ P3 _

评分

参与人数 2贡献 +15 收起 理由
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该用户从未签到

482#
发表于 2012-12-18 18:02 | 只看该作者
太牛了
/ Y" ]" M% P6 K+ L; d
6 s7 Q& M1 t3 P$ h2 G大牛啊
, c6 t& T! E4 J9 }  L

该用户从未签到

483#
发表于 2012-12-18 18:14 | 只看该作者
下载下来才知道  这不是用AD画的$ ]' {+ A3 q! K6 A! \- a. T" M

该用户从未签到

484#
发表于 2012-12-18 18:26 | 只看该作者
欣赏欣赏。
  ?; r  K8 Y7 o1 g+ K7 e" \

该用户从未签到

485#
发表于 2012-12-18 18:42 | 只看该作者
好东西,要学习!

该用户从未签到

486#
发表于 2012-12-18 19:20 | 只看该作者
学习学习,谢谢了。。。。。。。。。。。。。。
  • TA的每日心情

    2020-3-31 15:45
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    487#
    发表于 2012-12-18 20:39 | 只看该作者
    看看

    该用户从未签到

    488#
    发表于 2012-12-18 20:49 | 只看该作者
    看看高手是怎么设计的~

    该用户从未签到

    489#
    发表于 2012-12-18 22:08 | 只看该作者
    !拿来看看

    该用户从未签到

    490#
    发表于 2012-12-18 22:53 | 只看该作者
    给力!

    该用户从未签到

    491#
    发表于 2012-12-18 23:00 | 只看该作者
    好好好看看

    该用户从未签到

    492#
    发表于 2012-12-18 23:04 | 只看该作者
    用什么软件打开啊,我怎么打不开呢?求救!!!!!

    该用户从未签到

    493#
    发表于 2012-12-19 06:47 | 只看该作者
    学习学习

    该用户从未签到

    494#
    发表于 2012-12-19 08:21 | 只看该作者
    楼主威武

    该用户从未签到

    495#
    发表于 2012-12-19 08:55 | 只看该作者
    学习学习
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