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本帖最后由 pjh02032121 于 2012-10-10 22:01 编辑 . ~2 l. X1 W0 ~7 P. ?3 b- K" o& J
2 Q9 Q1 S$ T+ \1 m, O' d% W晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）来台呛声，全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示，已正式推出结合14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程的14nm-XM技术，协助客户加快行动装置芯片上市时间。格罗方德指出，14nm-XM将于2013年提供客户投片，2014年可量产投片，要与台积电的16纳米FinFET制程一较高下。
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台积电日前变动了技术蓝图，28纳米之后的20纳米研发已经接近尾声，2013年就可进入量产，2014年将进行大规模扩产，而原本20纳米之后的14纳米已经取消，改成较符合客户需求的16纳米制程。台积电在16纳米只提供一种通用型制程，并首度导入3D架构的FinFET晶体管制程，投产时间预计在2015年。
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为了与台积电相抗衡，格罗方德全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen来台宣布，针对新一代行动装置芯片开发的14nm-XM技术已完成开发，采用3D架构的FinFET晶体管制程，并将领先同业在2014年就投入量产，与台积电较劲意味浓厚。, ^) \% T( m( U, s
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格罗方德表示，14nm-XM采用模块化的技术架构，结合了14纳米FinFET元件与即将量产的20纳米20nm-LPM制程技术，客户能够以最快速度，运用20nm-LPM技术转移使用14nm-XM技术，相关的芯片试产已经开始在格罗方德位于纽约萨拉托加郡的晶圆8厂测试，初期制程设计套件现已开始提供，并预计将于2013年提供客户产品投片，2014年可望导入量产。5 n4 d: y; L* }
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Michael Noonen表示，格罗方德的前身是超微的晶圆制造事业，投入FinFET研发已超过10年时间，以此为基础可加快FinFET制程的量产。格罗方德制定了一套新的技术定义方法，并以此开发出具成本效益且低功耗的14nm-XM技术，除了制造便利性及设计方便性，亦可让设计者重复使用前一代产品中部分的矽智财。
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- |! _" y, u1 U+ z9 ~4 h 格罗方德近期也积极争抢订单，除了已拿下高通28纳米手机芯片订单，据传也成功向联发科招手，并计划由联电手中抢得更多德仪OMAP处理器代工订单。另外，格罗方德对绘图芯片代工订单也兴趣浓厚，希望能在明年成为辉达（NVIDIA）的主要代工厂之一。 |
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发表于 2012-10-10 19:47
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发表于 2013-2-14 15:43