RK3588 EVB开发板原理图讲解【五】

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RK3588 DDR电源PCB设计：
2 q. P2 V* U( A6 C7 i1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽，路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

' o; @  v8 Y, h2 j* q* b2、VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

3、原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如下原理图所示。


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2 Q" p; F! ^* t! P7 C
4、RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，同时建议走线线宽10mil，如图3所示。

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图3. VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链
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( X5 |- ]0 n) x& v当LPDDR4x时，链接方式如图4所示：


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; a6 [0 J, x. C  A- x图4. RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔
' e( Y1 a* z9 ]3 N4 H' k8 C+ b
5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。
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6、RK3588 GND 管脚 PCB 设计

RK3588 芯片的 GND 管脚，至少保证每 1.5 个 ball 需要对应一个过孔，尽量每个 Ball 对应一个过孔，
# j+ V  |# p' d. P7 Q' b提供更优的 SI，PI 条件，以及对散热也有帮助。
RK3588 芯片的相邻层必须是一个完整的 GND 平面，保证主参考地靠近 CPU 的 Ball，用于保证电源
# M8 q2 z9 W; Y4 _/ B完整性以及加强 PCB 的散热。

RK3588 芯片下方相同网络的 GND Ball 在顶层走“井”字形，交叉连接，建议走线线宽 10mil。
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现在把RK3588 DDR的layout部分关键层展现出来看看效果
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整板效果

RK3588 EVB开发板原理图连载：
RK3588 EVB开发板原理图讲解【一】RK3588原理图设计- 整体框架设计
RK3588 EVB开发板原理图讲解【二】RK3588原理图设计- HDMI输出设计
RK3588 EVB开发板原理图讲解【三】RK3588原理图设计- 电源管理设计
0 t- f+ M- [, c' J3 i5 \) gRK3588 EVB开发板原理图讲解【四】RK3588原理图设计- PCIE接口设计

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开发板好的很不错