RK3588 EVB开发板原理图讲解【五】

sunychip001

RK3588 DDR电源PCB设计：
1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽，路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。
# Y, `( q, g1 |' h
0 E. J0 V$ y( i2、VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降；去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

3、原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如下原理图所示。
( K! `$ H2 e8 l) z# Z$ ]
/ c/ s- C; V" e( U
5 V9 b% t5 n7 A0 v

6 _) `$ M+ Y; c( y2 a8 Y; R7 i( ]
4、RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，同时建议走线线宽10mil，如图3所示。
( R  f) V  Y0 O0 K& k
+ x3 n5 e4 X3 S3 [  K; Q6 T& f# V
. g. h* D3 Q" s) x
( B! W7 J% [& J3 \6 P图3. VCC_DDR&VDDQ_DDR电源管脚“井”字形链

当LPDDR4x时，链接方式如图4所示：
9 ^% u9 c* i: N5 x4 g3 Q  @
. N8 c" `& s6 R+ Y

- p0 j* L8 n1 R$ J9 L! Q8 X图4. RK3588芯片LPDDR4x模式VCC_DDR/VCC0V6_DDR的电源管脚走线和过孔
% ~5 E5 M; T* D1 y  c
, k% [( R: E0 d. i' P+ s7 M+ [5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil，尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。
) C+ w: ~; k# m# N) P  e
8 W% R0 n; A2 c


2 x- W# V5 m# m4 u

6、RK3588 GND 管脚 PCB 设计

RK3588 芯片的 GND 管脚，至少保证每 1.5 个 ball 需要对应一个过孔，尽量每个 Ball 对应一个过孔，
提供更优的 SI，PI 条件，以及对散热也有帮助。
7 s. b& ~, `) ~9 f' d4 ?, iRK3588 芯片的相邻层必须是一个完整的 GND 平面，保证主参考地靠近 CPU 的 Ball，用于保证电源
完整性以及加强 PCB 的散热。
) [) G5 W& U# A1 T
RK3588 芯片下方相同网络的 GND Ball 在顶层走“井”字形，交叉连接，建议走线线宽 10mil。

$ c0 z7 e; ^- w4 `0 {0 D
现在把RK3588 DDR的layout部分关键层展现出来看看效果





整板效果

RK3588 EVB开发板原理图连载：
$ _  v$ ?6 {6 }9 Y  G* ~, JRK3588 EVB开发板原理图讲解【一】RK3588原理图设计- 整体框架设计
7 [8 V+ P7 A& H" ?) s3 W' l# j) z! VRK3588 EVB开发板原理图讲解【二】RK3588原理图设计- HDMI输出设计
) F4 v( H+ J, q0 j& P, }" ?RK3588 EVB开发板原理图讲解【三】RK3588原理图设计- 电源管理设计
RK3588 EVB开发板原理图讲解【四】RK3588原理图设计- PCIE接口设计
7 |; G) m( K. x9 ?2 J& a

Quiescent_521

开发板好的很不错