PMOS竟然导通了？！

guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-2 16:27
6 P, Q) N$ z6 ?' |这个图有防倒灌功能吗？BAT1供电时，BAT2有没有电压？

有呀，给备用电池灌点电不少很正常吗，但备用往往电压比主电池高，所以不用担心灌点问题。

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 15:33
这边的疑惑是M1为啥能导通了，（看现象是），（对M3接法，故意让它体二极管上电导通的）

是不是真的导通了，光看电压没有，最好串给电流表，看下是不是持续有电流，还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。

Scisci

6 e2 c. d1 N( t$ G6 b7 z7 H" i

guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22
你从那里看到M1是导通的？如果M1导通了那么M3还能导通吗？你不知道MOS有寄生电容吗？来网上给你扒一个双 ...

好哒，可是，M1如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的电压啊，想不明白，另外如果M1是导通的话，M3失去作用了，始终通过体二极管导通，会有问题（发热很厉害），不知小弟分析的对不对，我10楼有再贴一个仿真验证。

Scisci

bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:22
5 y! X/ |5 C, l: h; I看M3的D和S方向!!

  g0 E$ {% k; l3 T) v故意对调的，另外这边疑问是M1不是M3，M3故意让电压过来的
: {8 o9 N' n( B9 g( H" N# u2 E$ {

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
5 \$ K# @) b, M2 Q6 \& o0 S好哒，可是，MI如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的 ...

的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？
) T* W- T) @4 L: k6 w$ _4 Y

Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:48
, z4 G( t5 k8 c; _的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有 ...

这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。
1 ?# Q" t1 t# O' M3 y

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 17:03
这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该 ...

, E; j4 `5 Z) u  m那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。
3 T1 q+ a, C, {; y

Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:23
那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上 ...

8 N) E5 S) `; K& M: E1 t1 p是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。
3 ^" F" x. }% k. S

Scisci

貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。。。

guchenglihua

Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
( m- y+ V* c5 b; A4 b7 D+ k+ U貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电源一直放电。
5 Y5 y7 u  ~0 M; R/ N" [7 d

IO357

R1是330K   2.249V，   加了R3 330R 2.99V，  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K， 这个值是哪来的？

huo_xing

Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
6 {) T- n! b. x1 Q( l0 W) T7 d貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

0 q" N* u7 l/ u7 N) s. t3 G本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。

Scisci

guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55
不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V ...

被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。
+ A  G! P+ h& P1 p0 @

Scisci

huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20
本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
5 G  J6 K$ s6 ]; E# X+ W0 y当然，如果你要求不 ...

感谢答疑