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本帖最后由 Heaven_1 于 2024-12-20 18:53 编辑
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6 }' R/ K' \+ u1 |1 \+ \全桥拓扑相比于半桥或推挽拓扑,具有更高的功率处理能力、对称的电压转换特性以及更好的效率,常常适用于高功率和高效率要求的应用场景。比如:不间断电源(UPS)、电源转换器、电源转换器、音频放大器等等。) X# V0 u8 E0 W. b
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本文重点介绍的这一款MOS管是验证用于12V/24蓄电池搭配的UPS中的全桥拓扑电路中。此类UPS通常在SOHO小型化办公室和家庭办公需求的设备中使用。它是一款纯国产MOS管并能替代IRFB7545PbF型号场效应管使用。" z0 O; c; p" {+ D# o
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: r. r+ F1 x2 Y; Z% y! |它就是来自飞虹半导体研发、生产的FHP1906V型号MOS管,能够代换IRFB7545PbF、HY1906、FHP1906A等型号的国产MOS管来应用于全桥拓扑!
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它作为一款N沟道增强型场效应管,以其120A、60V的电流、电压特性,电子工程师不仅可以应用于全桥拓扑中,还可以用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制和驱动等应用场景。
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5 v* T: n4 B& L' f0 b% ^这款FHP1906V场效应管产品具体参数:Vgs(±V):30;VTH(V):3;ID(A):120;BVdss(V):60。RDS (on) = 5.0mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 6.0mΩ(max)@V GS =10V。: t1 ]& ~& b7 o
4 _% o, n" y7 _. g0 K上述参数都是FHP1906V能代换IRFB7545PbF作用于全桥拓扑解决全桥电路的效率、功率密度、热管理和整体可靠性等问题。
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除此以外,FHP1906V的主要封装形式是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。2 N* @2 t5 u. h* f1 K* g1 Q0 ? ~! l$ o
! p& a" U% g/ k9 A采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。. m! t( j- |: `. e
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若要介绍一款120A电流、60V电压的MOS管,优先推荐纯国产的FHP1906V型号来代换IRFB7545PbF应用于全桥拓扑中使用。
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8 n/ ^% F* {6 u6 ?( S120A、60V的MOS管代换使用,对于全桥拓扑选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于全桥拓扑中,还可用于车载高频变频器、户外储能电源、电机驱动控制器等终端应用场景。 e: T; ~4 m- ], i2 j
( H K6 F1 n- m, J# ]' O为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可! q& P# A5 ^: u0 j5 e
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