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半导体激光器特性1 Y! w& p+ `' Z. a
, p0 R- h b0 u半导体激光器是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。它诞生于 1962 年,除了具有激光器的共同特点外,还具有以下优点: z+ `+ U$ ?8 g# v
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(1) 体积小,重量轻;; o% ^4 e/ O; _" u4 T0 x
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(2) 驱动功率和电流较低;0 l4 M" ]# a2 _' p
4 H+ c9 K+ z+ X* ^(3) 效率高、工作寿命长;
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(4) 可直接电调制;2 J2 U1 J" a7 F J$ g
. s1 u0 p7 P: D# X, _7 x(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成;$ c: H9 c) J! g
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(6) 与半导体制造技术兼容;可大批量生产。
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6 e, @# e) q7 J3 Z' S! }- j由于这些特点,半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实验室实现商用化且产值最大的一类激光器。
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8 i( L" ?" E/ D: O& V半导体激光器工作原理
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半导体激光器工作原理是激励方式,利用半导体物质(即利用电子)在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈,产生光的辐射放大,输出激光。! B: R' b) I( v
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1 v1 {3 a p( V9 s" W( ^2 S2 y半导体激光器是依靠注入载流子工作的,发射激光必须具备三个基本条件:7 y* o) d2 n7 i" U
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(1)要产生足够的 粒子数反转分布,即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数;
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& q( \6 h. |' E/ Z; X! X(2)有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用,使受激辐射光子增生,从而产生激光震荡;; [ v) t3 s9 j+ F
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(3)要满足一定的阀值条件,以使光子增益等于或大于光子的损耗。, o! c) ~& L; ~& m B
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